芯片切片分析技術

芯片切片分析是一種在半導體、電子顯微學和材料科學等領域廣泛應用的技術。通過將芯片切成薄片，研究人員可以直接觀察芯片內部的微觀結構，如晶體管、電路布線等，從而深入研究芯片的內部結構和性能。這項技術不僅有助于優化芯片設計，提升性能和可靠度，還可以用于故障檢測和質量控制。

切片方式的介紹

1. 機械研磨

機械研磨是一種低成本的切片技術，適用于各種材質的樣品，如金屬、陶瓷、電子產品等。該方法可以提供大面積的觀測范圍，但精度較低，操作步驟復雜，且在研磨過程中容易產生機械應力效應，如變形、彎曲、刮痕、裂縫等。機械研磨包括取樣、鑲嵌、研磨和拋光等步驟。鑲嵌可以保護邊緣和易碎樣品，而研磨和拋光則是為了獲得光亮無劃痕的表面。

2. CP（Cross-section Polisher）

CP技術利用離子束切割，可以避免研磨過程中產生的應力和刮痕，制備出鏡面樣品，表現出材料內部的真實結構。這種方法適用于不同硬度的樣品，可以制備出光滑無損傷的表面，有利于后續的SEM、EDS等分析設備的使用。

3. Dual Beam FIB

聚焦離子束（FIB）切片技術結合了FIB和SEM，具有極高的精度和靈活性，可以在納米級別上對材料進行精確的加工和觀測。DBFIB是目前切片設備中精準度最高的，適合小范圍的精密切片。FIB切片技術的基本原理是利用高能離子束將目標樣品進行切割，通過物理撞擊和化學反應剝離樣品，實現高精度切割。

關鍵技術和應用

1. 樣品制作：芯片切片分析在樣品制作方面尤為關鍵，特別是對于透射電鏡（TEM）及掃描式電鏡（SEM）試樣的制作。這些技術可以用于觀察樣品的內部結構及缺陷分析，為后續的分析提供基礎。

2. 精準缺陷及制程工藝切片：聚焦離子束（FIB）切片技術可以應用于5nm以下的先進制程工藝，實現精準度極高的切片。這使得科學家能夠在微觀尺度上對材料進行深入研究，優化芯片設計。

3. 失效點VC（Voltage Contrast）定位：FIB技術可以定位精準到單個晶體管位置，這對于失效分析尤為重要。金鑒實驗室能夠通過精準的失效點定位，幫助客戶深入了解芯片失效原因，提高芯片制造質量。

4. SEM取向襯度：利用SEM技術，可以根據晶粒對比分析晶粒大小，這對于評估芯片生產過程中的質量控制水平至關重要。

5. IC線路修補FIB技術還可以用于IC線路的修補，這對于提升芯片的性能和可靠度具有重要意義。

切片方式的比較