一、概述
PN6795D開關電源芯片方案集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6795D開關電源芯片方案為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM兩種工作模式。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振、多模式技術與PWM頻率切換技術共同提高效率并消除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,頻率抖動技術可實現較好的EMI特性;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全面的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
二、應用
開關電源適配器
機頂盒等外置電源
三、產品特性
內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內置高壓啟動電路,小于50mW空載損耗(230VAC)
支持CCM和DCM兩種工作模式
采用準諧振與多模式技術提高效率,滿足6級能效標準
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
無需額外補償電容、無音頻噪聲
智能保護功能
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP)
開環保護 (OLP)
四、典型應用
PN6795D開關電源芯片方案在24V1A過EMC上適用,中銘電子作為芯朋微的一級代理商,可以為客戶提供專業的方案資料及技術支持服務。
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