英飛凌近日推出業界首款用于太空和極端環境應用的512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR閃存。

英飛凌近日推出業界首款用于太空和極端環境應用的512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR閃存。這款半導體器件采用快速四串行外設接口（133MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應（SEE）性能，是一款完全通過QML認證的非易失性存儲器，可與太空級FPGA和微處理器配合使用。

512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR閃存

這款新器件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局 (AFRL) 資助，并與Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同開發而成。它基于英飛凌經過實際驗證的SONOS（硅襯底-隧穿氧化層-電荷存儲層氮化硅-阻擋氧化層-多晶硅柵極）電荷柵阱技術，運行速度較低密度替代品提高多達30%。

“

下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度存儲器的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC等行業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高數據傳輸速率與優于替代品的輻射性能于一身的技術解決方案。

”

Richard Marquez

AFRL太空電子技術項目經理

“

英飛凌的抗輻射加固設計NOR閃存很好地補充了Micro-RDC的極端應用環境解決方案系列。隨著512 Mbit密度器件的推出，設計者能夠設計出性能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。

”

Joseph Cuchiaro

Micro-RDC總裁

“

此次英飛凌512 Mbit NOR閃存家族擴展到抗輻射加固存儲器產品組合，進一步證明了我們致力于提供高度可靠的高性能存儲器來滿足下一代太空需求。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了行業領先技術的發展，通過采用提高關鍵衛星功能性能的技術，來應對空間應用中遇到的極端環境。

”

Helmut Puchner

英飛凌科技航空航天與國防業務副總裁

英飛凌的SONOS技術獨特地結合了密度和速度，以及先進的輻射性能，具有高達10000P/E的出色耐用性和長達10年的數據保存期。該產品的133MHz QSPI接口為太空級FPGA和處理器提供了高數據傳輸速率，并采用占板面積1”x1”的陶瓷QFP（QML-V），以及占板面積更小的0.5”x0.8”塑料TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該器件還為太空FPGA引導代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的行業資格認證要求。

該器件的典型用例包括太空級FPGA的配置映像存儲和太空級多核處理器的獨立啟動代碼存儲。

供貨情況

新型英飛凌512 Mbit QML認證NOR閃存現已上市。

掃描二維碼,關注英飛凌官微尋找更多應用或產品信息

審核編輯 黃宇