芯片的ESD（Electro-Static Discharge，靜電放電）性能是指芯片在靜電放電事件中的保護(hù)能力和可靠性。?ESD是電子設(shè)備中常見(jiàn)但又極具破壞性的現(xiàn)象，可能導(dǎo)致芯片損壞、系統(tǒng)故障甚至整個(gè)設(shè)備的癱瘓。因此，ESD性能是芯片可靠性的關(guān)鍵因素之一。開(kāi)關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD性能、EMI性能，可提供更有利保護(hù)，?典型功率表如下：

PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，開(kāi)關(guān)電源芯片U2315X設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容 (以SOP-為例)。

1.原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。

3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片，保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。

4. 如 Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對(duì)于芯片的干擾。

5. 如 Line2 所示，VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

開(kāi)關(guān)電源芯片U2315X主要特性：

&集成 800V 高壓功率三極管

&谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高

&電源系統(tǒng)單點(diǎn)失效保護(hù)

&多模式原邊控制方式

&優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

&集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū)動(dòng)電路

&優(yōu)化的 EMI 性能

&優(yōu)化的 ESD 性能

&工作無(wú)異音

&恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

&超低待機(jī)功耗 <50mW

&線損補(bǔ)償功能

&集成完備的保護(hù)功能:

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過(guò)壓保護(hù)功能 (FB OVP)

逐周期限流保護(hù) (OCP)

過(guò)熱保護(hù) (OTP)

VDD 過(guò)壓、欠壓和鉗位保護(hù)

&封裝類型 SOP-7

開(kāi)關(guān)電源芯片U2315X集成了三極管基極動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)技術(shù)以優(yōu)化系統(tǒng)效率。基極驅(qū)動(dòng)電流隨著負(fù)載狀態(tài)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，輸出負(fù)載越大，基極驅(qū)動(dòng)電流越大，且基極驅(qū)動(dòng)電流正比于CS管腳峰值電壓信號(hào)。優(yōu)化設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，可滿足USB充電器的要求！