英飛凌的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產(chǎn)品”獎項(xiàng)。與此同時(shí)，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”的榮譽(yù)。

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此外，作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的革新與發(fā)展，推動市場向更高功率等級與更高能效水平邁進(jìn)。英飛凌最新一代CoolSiC MOSFET Generation2技術(shù)，在生產(chǎn)工藝、技術(shù)參數(shù)及性能表現(xiàn)上相較于第一代產(chǎn)品有了顯著的提升。

最新推出的CoolSiC MOSFET Generation2 TO247-4封裝產(chǎn)品，以單個(gè)單管7毫歐的Rdson導(dǎo)通電阻創(chuàng)業(yè)界新低，同時(shí)保持2微秒短路承受能力的卓越表現(xiàn)，領(lǐng)先業(yè)界。CoolSiC MOSFET Generation2的最大工作結(jié)溫直接提升至200攝氏度，相較于第一代產(chǎn)品，這一提升尤為顯著，從而使其更加適配于電動汽車直流快速充電站、牽引逆變器、太陽能逆變器等高效能應(yīng)用場景。Generation2系列碳化硅產(chǎn)品的推出，進(jìn)一步體現(xiàn)了英飛凌致力于通過提供高效率產(chǎn)品來促進(jìn)節(jié)能減排、加速低碳化進(jìn)程的堅(jiān)定承諾。