在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上，行業內上下游主流企業及行業精英匯聚深圳，共同探討行業趨勢，深化交流合作。安世半導體作為其中的重要一員，憑借其領先產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優秀產品獎」，這一成就不僅展現了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，也彰顯了其在第三代半導體領域深耕多年的成果。

Nexperia GaN產品線資深市場拓展經理成皓先生代表安世半導體領獎。

同期舉行的SiC & GaN技術應用創新峰會上，成皓帶來了《安世半導體GaN FET如何助力新能源行業創新》的專題報告。

他指出，隨著全球對可再生能源的需求不斷增長，GaN技術憑借其高效能和高頻率特性，正在成為推動新能源設備性能提升的關鍵因素。目前，安世半導體是業內可同時提供級聯型（Cascode）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商，產品具有較低的反向恢復電荷、卓越的溫度穩定性等優勢，為新能源應用降本增效提供優良方案。

獲獎產品

針對工業和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET

GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。

這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優勢，進一步加強了Nexperia為可持續應用開發前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

GAN039-650NTB的級聯配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。