編者:經歷了2024年的蓄勢與回暖,全球半導體業界對2025年市場表現呈樂觀預期。WSTS預測,2024年全球銷售額將同比增長19.0%,達到6269億美元。2025年,全球銷售額預計達到6972億美元,同比增長11.2%。伴隨市場動能持續復蘇,十大半導體技術趨勢蓄勢待發。
01 2nm及以下工藝量產
2025年,是先進制程代工廠交付2nm及以下工藝的時間點。臺積電2nm工藝預計2025年下半年量產,這也是臺積電從FinFet架構轉向GAA(全環繞柵極)架構的第一個制程節點,將導入納米片晶體管技術。三星計劃2025年量產2nm制程SF2,并將在2025—2027年陸續推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等不同版本,分別面向移動、高性能計算及AI(SF2X和SF2Z都面向這一領域,但SF2Z采用了背面供電技術)和汽車領域。英特爾的Intel 18A(1.8nm)也將在2025年量產,將采用RibbonFET全環繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術,采用Intel 18A的首家外部客戶預計于2025年上半年完成流片。
02 HBM4最快下半年出貨
HBM的迭代和制造已經開啟競速模式。有消息稱,為了配合英偉達的新品發布節奏,SK海力士原計劃2026年量產的HBM4,將提前至2025年下半年量產,采用臺積電3nm制程。三星也被傳出計劃在2025年年底完成HBM4開發后立即開始大規模生產,目標客戶包括微軟和Meta。根據JEDEC固態技術協會發布的HBM4初步規范,HBM4提高了單個堆棧內的層數,從HBM3的最多12層增加到了最多16層,將支持每個堆棧2048位接口,數據傳輸速率達到6.4GT/s。
03 先進封裝產能持續放量
2024年,先進封裝景氣復蘇,引領封測產業向好。2025年,先進封裝市場需求有望持續回暖,OSAT(封裝測試代工廠商)及頭部晶圓廠將進一步擴充先進封裝產能,并推動技術升級。臺積電在加速CoWoS產能擴充的同時,將在2025年至2026年期間,將CoWoS的光罩尺寸從2023年的3.3倍提升至5.5倍,基板面積突破100×100mm,最多可容納12個HBM4。長電科技上海臨港車規級芯片成品制造基地計劃于2025年建成并投入使用。通富超威蘇州新基地——通富超威(蘇州)微電子有限公司項目一期預計2025年1月實現批量生產,從事FCBGA高端先進封測。華天科技的江蘇盤古半導體板級封測項目將于2025年第一季度完成工藝設備搬入,并實現項目投產,致力于推動板級扇出封裝技術的大規模量產。
04 AI處理器出貨繼續保持強勁
2025年,一批AI芯片新品將發布或上市,在架構、制程、散熱方式等方面迭代更新,以期提供更強算力和能效。英特爾將在2025年推出基于Intel 18A制程的AI PC處理器Panther Lake和數據中心處理器Clearwater Forest。英偉達預計2025年推出下一代“Blackwell Ultra”GB300,此前發布的GB200 NVL4超級芯片將于2025年下半年供應。AMD將在2025年推出下一代AMD CDNA 4架構,相比基于CDNA 3架構的Instinct加速器,AI推理性能預計提升35倍。AI處理器的出貨動能將拉動存儲、封裝等環節的成長。
05 高階智駕芯片進入上車窗口期
2025年被諸多車規芯片廠商視為高階智駕的決賽點、量產上車的窗口期。地平線Horizon SuperDrive全場景智能駕駛解決方案預計2025年第三季度交付首款量產合作車型,疊加征程6旗艦版“決勝2025年這一量產關鍵窗口期”。黑芝麻武當系列預計2025年上車量產,提供自動駕駛、智能座艙、車身控制和其他計算功能跨域融合能力。芯擎科技自動駕駛芯片“星辰一號”計劃于2025年實現批量生產。國際企業方面,高通于2024年10月發布的Snapdragon Ride至尊版平臺將于2025年出樣。此外,基于前代Snapdragon Ride平臺,高通已與十多家中國合作伙伴打造了智能駕駛和艙駕融合解決方案,也將在2025年繼續上車。英特爾首款銳炫車載獨立顯卡將于2025年量產,滿足汽車座艙對算力不斷增長的需求。
06 量子處理器規模上量
聯合國宣布2025年為“量子科學與技術之年”。在2024年年末,谷歌Willow、中國科學技術大學“祖沖之三號”等最新量子處理器接連亮相,在量子比特數、量子糾錯、相干時間、量子計算優越性等方面取得突破。2025年,業界有望迎來更大規模的量子處理器及計算系統。IBM將在2025年發布包含1386量子比特、具有量子通信鏈路的多芯片處理器“Kookaburra”。作為演示,IBM會將三個Kookaburra芯片接入一個包含4158量子比特的系統中。此外,2025年,IBM將通過集成模塊化處理器、中間件和量子通信來展示第一臺以量子為中心的超級計算機,并進一步提升量子電路的質量、執行、速度和并行化。
07 硅光芯片制造技術走向成熟
隨著AI服務器對數據傳輸速率的要求急劇提升,融合了硅芯片工藝流程和光電子高速率、高能效優勢的硅光芯片備受關注。2025年,硅光芯片的制造工藝走向成熟。湖北省人民政府在《加快“世界光谷”建設行動計劃》中提到,到2025年,完成12英寸基礎硅光流片工藝開發,形成國際領先的硅光晶圓代工和生產制造能力。《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案(2024—2030年)》提到,支持光芯片相關部件和工藝的研發及優化,支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發和持續優化。在國際企業方面,英偉達在2024年12月的IEDM 2024上展示了與臺積電合作開發的硅光子原型。臺積電將在2025年實現適用于可插拔光模塊的1.6T光引擎,并完成小型可插拔產品的COUPE(緊湊型通用光子引擎)驗證。據臺積電介紹,COUPE技術使用SoIC-X芯片堆疊技術,將電子裸片堆疊在光子裸片上,從而在die-to-die(裸片與裸片)接口提供更低電阻和更高能效。
08 AI加速與半導體生產融合
AI正在加速與半導體設計、制造等全流程融合。2024年3月,新思科技將AI驅動型EDA全套技術棧部署于英偉達GH200 Grace Hopper超級芯片平臺,將在芯片設計、驗證、仿真及制造各環節實現最高15倍的效能提升。2024年7月,Aitomatic發布首個為半導體行業定制的開源大模型SemiKong,宣稱能縮短芯片設計的上市時間、提升首次流片良率,并加速工程師的學習曲線。2025年,AI有望輔助或者代替EDA的擬合類算法和工作,包括Corner預測、數據擬合、規律學習等。在制造方面,臺積電有望在2nm及以下制程開發中使用英偉達計算光刻平臺cuLitho。該平臺提供的加速計算以及生成式AI,使晶圓廠能夠騰出可用的計算能力和工程帶寬,以便在開發2nm及更先進的新技術時設計出更多新穎的解決方案。
09 RISC-V開啟高性能產品化
2024年,RISC-V進一步向高性能芯片領域滲透。中國科學院計算技術研究所與北京開源芯片研究院發布第三代“香山”開源高性能RISC-V處理器核,性能水平進入全球第一梯隊。同時,面向人工智能、數據中心、自動駕駛、移動終端等高性能計算領域,芯來科技、奕斯偉、賽昉科技、進迭時空等一批國內企業發布了IP,工具鏈,軟件平臺,AI PC芯片、AI MCU、多媒體處理器等芯片,以及開發板等產品,并在筆記本電腦、云計算以及行業應用等領域形成一批案例。RISC–V主要發明人Krste Asanovi預測,2025年RISC-V內核數將增至800億顆。2025年也被視為中國RISC-V產業承上啟下、打造高性能標桿產品的關鍵一年,加速打造標志性產品、深化生態建設并推動RISC-V+AI融合,成為產業共識。
10 碳化硅進入8英寸產能轉換階段
在2024年,碳化硅產業加快了從6英寸向8英寸過渡的步伐。2025年,碳化硅產業將正式進入8英寸產能轉換階段。意法半導體在中國設立的合資工廠項目——安意法半導體碳化硅器件工廠預計2025年量產。芯聯集成8英寸碳化硅產線計劃2025年進入規模量產。羅姆福岡筑后工廠計劃于2025年開始量產。Resonac計劃于2025年開始規模生產8英寸碳化硅襯底。安森美將于2025年投產8英寸碳化硅晶圓。
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審核編輯 黃宇
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