Trench工藝通過其深且窄的溝槽結構、高精度刻蝕與填充、垂直結構集成、兼容性強等特點,能夠滿足大多數電子設備對高性能、高密度和高可靠性的需求,廣泛應用于逆變器、同步整流、電機控制等領域。
2025年飛虹半導體首發新品FHP160N06V型號MOS管,正是擁有上述特點,而且還擁有極低導通電阻,讓其可以無縫代換HY3606P、IRFB3306PbF型號場效應管。
FHP160N06V作為N溝道增強型場效應晶體管,它采用先進的trench技術,在降低了導通損耗的同時,還提高了雪崩能量和開關性能。
該晶體管可用于各種功率開關電路,產品外形是TO-220封裝,符合JEDEC標準,在環保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環保。
下述將圍繞FHP160N06V場效應管的產品特點、友商參數對比、推薦應用范圍、部分典型特性曲線來介紹:
一、產品特點
(1)100% EAS測試。
(2)100% Rg測試。
(3)100% DVDS瞬間熱阻測試。
(4)采用細化分檔Vth,進一步提高了產品的一致性高。
(5)通過采用特色的trench工藝,結合優秀的封裝BOM材料,使產品擁有高可靠性,開關速度快。
(6)擁有極低的導通內阻RDS(on),優秀的品質因子FOM(RDS(on)*Qg)。
(7)雪崩耐量高,抗沖擊性能強。
二、友商參數對比
1、FHP160N06V對比HY3606P擁有更低的導通內阻,降低了導通損耗,同時提高品質因數FOM(RDSON*Qg),讓MOS管的性能更優。
2、FHP160N06V與IRFB3306PbF相比,降低了導通損耗,并且國產化在性能與價格的綜合方面更有優勢。
三、推薦應用范圍
1、適合全橋拓撲結構的工頻逆變器應用。
4、適合大功率高頻開關電源上的同步整流。
5、高頻逆變器應用:12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中的DC/DC推挽拓撲升壓電路。
6、適合5串磷酸鐵鋰電池組搭配的戶外儲能電源,其逆變模塊中的DC-DC推挽拓撲升壓電路上使用。
四、部分典型特性曲線
對于常需要用于逆變器、同步整流、電機控制等領域的產品建議可以多看看這一款優質的國產化MOS管。FHP160N06V新產品的發布為電子廠商提供更低導通電阻的產品選擇,也提供更高性價比的場效應管。
飛虹半導體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發、生產及銷售,給廠家提供可持續穩定供貨。至今已經有35年半導體行業經驗以及20年研發、制造經驗。除可提供免費試樣外,更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。
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原文標題:2025國產新品:Trench工藝與極低導通MOS管,FHP160N06V型號參數值得了解!
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