NSG6000 650V 單通道 半橋柵極驅動芯片
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
產品特性
最高芯片耐壓650V
兼容3.3V,5V,15V輸入邏輯
Vs負偏壓能力達-9V
防直通保護:
--死區時間130ns
欠壓鎖定
--VCC欠壓鎖定閾值8.7V/7.7V
--VBS欠壓鎖定閾值8.2V/7.3V
驅動電流能力:
--拉電流/灌電流=0.6A/1A
SOP8封裝
功能框圖
封裝管腳圖
推薦應用范圍
冰箱
洗衣機
家用空調
冰箱應用電路
VS負偏壓測試數據
我司產品有較強的VS負過沖耐受能力,pulse可達-80V@200ns;直流負偏壓可達-9V以下。
負偏壓測試
負過沖測試
Switching測試
雙脈沖
50脈沖
參數對比
我司產品相比市場上同類型號產品:
--電流能力更大,可以驅動電流能力更大的功率管;
--靜態電流更低,更低的功耗。
拉灌電流測試數據
拉電流測試
灌電流測試
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MOSFET
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原文標題:NSG6000 650V 單通道 半橋柵極驅動芯片
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