村田是目前全球量產硅電容的領先企業，其在2016年收購了法國IPDiA頭部硅電容器公司，并于2023年6月宣布投資約100億日元將硅電容產能提升兩倍。

以下內容主要來自村田官網信息整理，村田高密度硅電容器采用半導體MOS工藝開發，并使用3D結構來大幅增加電極表面，因此在給定的占位面積內增加了靜電容量。村田的硅技術以嵌入非結晶基板的單片結構為基礎（單層MIM和多層MIM—MIM是指金屬 / 絕緣體 / 金屬）

村田硅電容采用先進3D拓撲結構在100um內，使開發的有效靜電容量面積相當于80個陶瓷層（可視需求提供更低值）。由于使用非常線性和低色散的電介質，小型化、靜電容量值和電氣性能實現了優化

村田的硅電容器與半導體MOS工藝源自相同的DNA，具有以經過驗證的一致性數據建立的全模塊默認模型，因此提供了可預測、極為可靠的性能。相較于其他電容器技術，村田的硅電容器技術在可靠性方面提高了10倍，這主要得益于在高溫固化過程中生成的氧化物。此外，所有的電氣測試都在生產步驟結束時完成，這就避免了早期故障

村田硅電容與MLCC對比

當前村田在幾個典型領域都有對應產品，以下為官網硅電容選型列表，可以看到村田硅電容根據連接方式，厚度，溫度，ESL等特性做了分類，和MLCC形成了較好的互補，硅電容用來覆蓋汽車、寬帶通信、RF功率放大、醫療、RFID等領域，同時村田的硅電容很多可以通過IPD的形成，可以在這些特殊領域實現很好的利潤，在21年之前硅電容還是較多的在軍工和航天中應用，21年之后在民用領域，受益于高穩定性，小尺寸，易結合先進封裝等優勢市場也在逐步擴大。

典型應用：汽車領域

當前問題：放置在“引擎蓋”下的傳感器要求尺寸小，穩定性高，可靠性高，溫度范圍大（當前150°不一定夠用）

硅電容解決方式：采用硅電容，通過PICS（Passive integration Connective Substrate）方式裝配傳感器中，此處硅電容采用了氧化物/氮化物/氧化物電介質疊層和多晶硅頂部電極，電容密度為100nF/mm2，額定電壓為16V，擊穿電壓為30V，漏電流在工作電壓和室溫下小于0.5 nA，ESR<100mΩ，ESL<250pH，工作溫度為-55°C~200°C。

總體來說，村田本身作為電容大廠，MLCC已經在市場上占據了較多的份額，硅電容部分作為針對特定領域的產品出現，目前還是作為MLCC的補充，因此，我們看到，目前村田的硅電容還是以高耐壓，高溫，高穩定度，較低電容值，和MLCC形成較好的補充，如前面介紹，硅電容也可以走低壓大容值路線，這個部分可以替代一些高端MLCC。

審核編輯 黃宇