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?湖南靜芯推出DP 2.1的ESD&EOS防護完整解決方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-01-07 16:07 ? 次閱讀

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湖南靜芯推出DP 2.1的ESD&EOS防護完整解決方案

DP接口,全稱是DisplayPort,是一種用于數字視頻音頻傳輸的計算機顯示接口標準。該接口由PC及芯片制造商聯盟開發,旨在取代傳統的VGA、DVI等接口,提供更加高效、高質量的視頻和音頻傳輸。廣泛應用于電腦、筆記本電腦、顯示器、電視和投影儀等數字顯示設備上。它可以傳輸高清視頻和音頻信號,適用于辦公、游戲、設計和娛樂等多種場景。DP 2.1是VESA(視頻電子標準協會)在2022年10月正式發布的最新版DP標準。DP 2.1和DP 2.0在性能上沒有明顯區別,繼承了DP 2.0協議最大支持16K的超強分辨率和80 Gbps的原始帶寬的特性,但在接口與規范一致性、帶寬管理機制、顯示技術提升、線纜品質與傳輸距離以及兼容性等方面相比DP2.0都有所進步。且DP 2.1保持向下兼容,此前所有通過認證的DP2.0產品都符合DP2.1規范。

由于DP接口在系統上是外露給使用者隨時可以插拔的接口,最普遍的應用就是隨插即用、隨拔即關,然而這個熱插拔動作卻也經常是造成電子系統工作異常、甚至造成后續電路毀壞的元兇,所以在端口設計時常常考慮使用器件對接口進行靜電保護,以確保在能穩定可靠地工作。普通的防護方案或許會對數據的傳輸造成一定影響,隨著消費類電子產品需求的持續增長,對ESD保護器件性能加強的需求也越來越強烈。靜芯微系列產品可以充分滿足客戶的設計要求。

DP接口介紹

得益于USB-IF的支持,DP Alt模式可與USB4規范無縫銜接,因此DP 2.1接口可以有DP和USB Type-C兩種形態,本文只討論DP接口形態的防護方案。為了區別于普通的Type-C接口,DP 2.1會在接口處增加DP標識,用戶可以更直觀識別出DP 2.1接口。DP 2.1接口雖然跟Type-C接口、雷電3接口外觀相同,但三者協議不同,功能差別很大。

DP 2.1 具有三種UHBR(超高比特率)傳輸模式,按照頻寬分為UHBR 10、UHBR 13.5、UHBR 20,如表1所示。UHBR 10每通道頻寬為10Gbps,DisplayPort與USB Type-C接口皆可以采用,而UHBR 13.5、UHBR 20只能建構在USB Type-C的接口上,此介面除了可以將傳輸速率提高到80Gbps, USB PD供電最高還可以達到100W來實現快速充電。

傳輸方式 最大數據速率 接口類型
UHBR 10 40Gbps Display Port/USB Type-C
UHBR 13.5 54Gbps USB Type-C
UHBR 20 80Gbps USB Type-C

表1 DP接口的UHBR模式

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圖1 DP接口引腳配置

Pin 名稱 定義 Pin 名稱 定義
1 ML_Lane0(p) 通道0的差分正信號 11 GND
2 GND 12 ML_Lane3(n) 通道3的差分負信號
3 ML_Lane0(n) 通道0的差分負信號 13 GND
4 ML_Lane1(p) 通道1的差分正信號 14 GND
5 GND 15 AUX_CH(p) 附屬通道的差分正信號
6 ML_Lane1(n) 通道1的差分負信號 16 GND
7 ML_Lane2(p) 通道2的差分正信號 17 AUX_CH(n) 附屬通道的差分負信號
8 GND 18 Hot Plug 熱插拔檢測
9 ML_Lane2(n) 通道2的差分負信號 19 DP_PWR Return 電源回路
10 ML_Lane3(p) 通道3的差分正信號 20 DP_PWR 電源

表2 DP接口引腳功能描述

DP 2.1接口防護選型要求

在ESD系統測試的嚴格要求下,除了必須滿足IEC61000-4-2的標準外,部分品牌廠商還對其產品的USB Type-C連接器設定了更嚴格的測試條件,即要求以Direct-Pin Injection測試方式成功通過±8kV的ESD沖擊。因此在USB Type-C接口上采用ESD保護元件,以有效避免ESD事件對數據傳輸造成干擾十分必要。

當DP 2.1接口在選擇合適的ESD防護器件時,需要考慮以下要求:

為保障DP2.0在高速訊號傳輸過程中的完整性,選擇ESD保護元件時,應優先考慮寄生電容較低的產品,理想狀態下寄生電容應小于0.2pF。

防護元件需具備高度的ESD耐受能力,至少應能承受IEC 61000-4-2標準下接觸模式8kV的ESD沖擊。

為確保系統內部電路不受干擾或損壞,應選擇鉗制電壓足夠低的保護元件,以有效限制ESD能量在更低的電壓水平。

DP 2.1接口整體應用方案

方案一:

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圖2 整體應用方案一

方案二:

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圖3 整體應用方案二

LANE0,LANE1,LANE2,LANE3通道

DP 2.1擁有四條進行高速數據傳輸的通道。DP40認證數據線可以支持最高UHBR10 10Gbps,四條通道合并即傳輸速率為40Gbps;DP80認證數據線則支持UHBR20 20Gbps,四條通道合并傳輸速率最大為80Gbps。

方案一中我們推薦使用湖南靜芯的分立式深回掃型ESD器件SEUCS2X3V1B,可使用8個器件對DP2.1的高速數據傳輸通道進行防護。SEUCS2X3V1B是一款保護高速數據接口的超低電容深回掃型ESD保護器件,專門設計用于保護連接到數據傳輸線的敏感電子元件免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞。根據IEC61000-4-2和IEC610000-4-5規范,SEUCS2X3V1B可用于提供高達±15kV(接觸放電)的ESD保護,可承受高達7A(8/20us)的峰值脈沖電流。SEUCS2X3V1B的工作電壓為3.3V,鉗位電壓為5.5V,具有 0.14pF 的極低電容,可確保信號完整性。

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圖4 SEUCS2X3V1B器件TLP曲線

方案二中我們推薦使用湖南靜芯的集成式深回掃型ESD器件SEUCS10F3V4B,可使用兩個SEUCS10F3V4B同時對DP 2.1的四條高速數據傳輸通道進行防護。SEUCS10F3V4B是一款保護高速數據接口的超低電容深回掃型ESD保護器件,集成了四對超低電容控向二極管和一個TVS二極管,專門設計用于保護連接到數據傳輸線的敏感電子元件免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞。該器件工作電壓為3.3V,結電容僅為0.17pF,鉗位電壓為5V,可同時對兩對高速數據線進行靜電防護,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,在±15kV(空氣)和±15kV(接觸)下提供瞬變保護。

AUX, HPD,電源通道

AUX是DP接口中的輔助通道,用于鏈路管理(狀態信息)和設備控制,半雙工同信,屬于低速差分信號通道,速率通常為1Mbit/s。HPD是DP接口中的熱插拔檢測引腳,熱插拔檢測的作用是當顯示器通過DP接口與計算機主機相連或斷連時,主機能夠通過的HPD引腳檢測出這一事件并做出響應。

附屬通道的差分信號引腳(AUC_CH(n/p))、熱插拔檢測引腳(Hot Plug)、接頭電源引腳(DP_PWR)、電源回路引腳(DP_PWR Return)和地引腳(GND)可以采用湖南靜芯研發的深回掃型ESD靜電保護器件SEUCS236T5V4UA進行防護,可同時保護4條信號線和1條電源線。

SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯近期推出的4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件。SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數據信號線和一條電源信號線免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞,可適用于DP2.0/2.1等接口的信號線防護。SEUCS236T5V4UA的工作電壓為3.3V,IO-GND的鉗位電壓為5.6V,電容為0.7pF,根據IEC61000-4-5標準可承受高達14A(8/20μs)的峰值脈沖電流;VCC-GND的鉗位電壓為12.5V,電容為220pF,根據IEC61000-4-5標準可承受高達27A(8/20μs)的峰值脈沖電流。根據IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,SEUCS236T5V4UA可用于提供高達±30kV(接觸放電),±30kV(空氣放電)的ESD保護。

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圖5 SEUCS236T5V4UA的IO-GND IV曲線

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圖6 SEUCS236T5V4UA的VCC-GND IV曲線

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.5 8.1 10.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3 OR 5.0V 1 100 nA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 2.5 4.0 V
Clamping Voltage VC IPP=7A; tp=8/20us 5.5 7.0 V
Reverse Holding Voltage VHOLD IHOLD=18mA 1.8 2.2 2.5 V
Reverse Holding Current IHOLD VHOLD=2.2V 12 18 25 mA
Dynamic Resistance Rdyn 0.4 Ω
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.14 0.18 pF

表3 SEUCS2X3V1B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.5 8.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 1 100 nA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us 2.5 4.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=6A; tp=8/20us 5.0 7.0 V
Dynamic Resistance Rdyn IR = 10A; Tamb = 25℃ 0.3 0.35 Ω
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz;IO-GND 0.17 0.25 pF
VR=0V; f=1MHz;IO-IO 0.17 0.25

表4 SEUCS10F3V4B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA,IO-GND 5.5 7.1 V
IT=1mA,VCC-GND 5.5 6.9 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5.0V 0.1 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
1.5 2.5 V
VCL IPP=14A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
5.6 6.5 V
VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
7.5 9.5 V
VCL IPP=27A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
12.5 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.7 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5
VCC-GND; VR=0V; f=1MHz 220 250

表5 SEUCS236T5V4UA電氣特性表

總結與結論

DP接口作為一種高效的數字信號傳輸標準,支持高分辨率、高刷新率、多屏傳輸與擴展,同時具備良好的兼容性和穩定性。隨著科技的發展和高清顯示需求的不斷增加,DP接口在顯示設備連接領域越來越重要,保護其免受ESD靜電損害極為關鍵。本方案采用的元器件都為湖南靜芯研發的深回掃型器件,回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結電容特性,相比常規工藝 TVS 防護效果更優,且不影響信號完整性,可更有效保護高速數據接口免受瞬態過電壓的影響,為相關電子產品設備加固防護,提升消費者使用體驗。

湖南靜芯深回掃型系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~38V,電流涵蓋4~30A,電容最低至0.1pF,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式。同時推出22V&33V TDS平緩浪涌抑制器,可用于保護工作電壓為20V、24V、28V、36V的系統,具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性,可為系統提供更全面保護。結合TDS器件與深回掃ESD優勢,湖南靜芯是國內首家推出USB4.0完整解決方案的公司,詳情可以參考:“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防護完整解決方案100W+80G/120G”與“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防護完整解決方案140W&180W+80G/120G”等文章。

?審核編輯 黃宇

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