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石墨烯互連技術(shù):延續(xù)摩爾定律的新希望

DT半導(dǎo)體 ? 來源:DT半導(dǎo)體 ? 2025-01-09 11:34 ? 次閱讀

半導(dǎo)體行業(yè)長期秉持的摩爾定律(該定律規(guī)定芯片上的晶體管密度大約每兩年應(yīng)翻一番)越來越難以維持。縮小晶體管及其間互連的能力正遭遇一些基本的物理限制。特別是,當(dāng)銅互連按比例縮小時,其電阻率急劇上升,這會減少它們可承載的信息量并增加能耗。 該行業(yè)一直在尋找替代的互連材料,以讓摩爾定律的發(fā)展進程延續(xù)得更久一點。從很多方面來說,石墨烯是一個非常有吸引力的選擇:這種薄片狀的碳材料具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性,并且比金剛石還堅硬。

然而,研究人員在將石墨烯納入主流計算應(yīng)用方面一直舉步維艱,主要有兩個原因。首先,沉積石墨烯需要高溫,這與傳統(tǒng)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造工藝不兼容。其次,未摻雜的宏觀石墨烯片的載流子密度相對較低。

現(xiàn)在,位于美國加利福尼亞州米爾皮塔斯(Milpitas)的一家初創(chuàng)公司Destination 2D聲稱已經(jīng)解決了這兩個問題。Destination 2D的團隊展示了一種在300°C的溫度下將石墨烯互連沉積到芯片上的技術(shù),這個溫度足夠低,能夠通過傳統(tǒng)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)來實現(xiàn)。他們還開發(fā)了一種摻雜石墨烯片的方法,據(jù)Destination 2D的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Kaustav Banerjee稱,這種方法可使電流密度達到銅的100倍。

“人們一直在嘗試將石墨烯用于各種應(yīng)用,但在主流微電子領(lǐng)域,也就是本質(zhì)上的CMOS技術(shù)中,到目前為止人們還未能使用(石墨烯)。”Banerjee說道。

Destination 2D并非唯一一家致力于石墨烯互連技術(shù)的公司。臺積電(TSMC)和三星(Samsung)也在努力使這項技術(shù)達到標(biāo)準(zhǔn)。然而,Banerjee聲稱,Destination 2D是唯一一家展示了直接在晶體管芯片頂部沉積石墨烯的公司,而不是先單獨制備互連部件,然后再將其附著到芯片上。

低溫沉積石墨烯

石墨烯于2004年首次被分離出來,當(dāng)時研究人員用膠帶從石墨塊上剝離出石墨烯薄片。這種材料被認為非常有前景,以至于在2010年這一成果獲得了諾貝爾獎。(諾貝爾獎共同獲得者Konstantin Novoselov現(xiàn)在是Destination 2D的首席科學(xué)家)。

然而,用膠帶小心地從鉛筆芯上剝離石墨烯絕不是一種可大規(guī)模生產(chǎn)的方法。為了可靠地制造石墨烯結(jié)構(gòu),研究人員已經(jīng)轉(zhuǎn)向化學(xué)氣相沉積法,即將碳氣體沉積到受熱的基底上。這通常需要的溫度遠高于CMOS制造中大約400°C的最高工作溫度。

Destination 2D

Destination 2D使用了一種在加州大學(xué)圣巴巴拉分校Banerjee實驗室開發(fā)的壓力輔助直接沉積技術(shù)。Banerjee稱這種技術(shù)為壓力輔助固相擴散,它使用一種犧牲金屬膜,如鎳。犧牲膜被放置在晶體管芯片的頂部,碳源沉積在其上方。然后,使用大約410到550千帕(60到80磅每平方英寸)的壓力,碳被迫穿過犧牲金屬,并在下方重新結(jié)合成干凈的多層石墨烯。然后簡單地去除犧牲金屬,將石墨烯留在芯片上進行排列。這項技術(shù)在300°C下工作,溫度足夠低,不會損壞下方的晶體管。

提高石墨烯的電流密度

在石墨烯互連排列之后,對石墨烯層進行摻雜以降低電阻率并提高其載流能力。Destination 2D團隊使用一種稱為插層(intercalation)的摻雜技術(shù),即將摻雜原子擴散到石墨烯片層之間。 摻雜原子可以有多種,例如氯化鐵、溴和鋰。一旦注入,摻雜劑就會向石墨烯片層提供電子(或者說材料中的對應(yīng)物,電子空穴),從而實現(xiàn)更高的電流密度。“插層化學(xué)是一個非常古老的學(xué)科,”Banerjee說,“我們只是將這種插層技術(shù)應(yīng)用到石墨烯中,這是一種創(chuàng)新。”

這項技術(shù)有一個很有前景的特點——與銅不同,隨著石墨烯互連尺寸縮小,其載流能力會提高。這是因為對于更細的線路,插層技術(shù)變得更加有效。Banerjee認為,這將使他們的技術(shù)能夠在未來支持多代半導(dǎo)體技術(shù)。

Destination 2D已經(jīng)在芯片層面展示了他們的石墨烯互連技術(shù),并且他們還開發(fā)了可在制造工廠中應(yīng)用的晶圓級沉積工具。他們希望與代工廠合作,將他們的技術(shù)用于研發(fā),并最終用于生產(chǎn)。

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原文標(biāo)題:石墨烯互連技術(shù):延續(xù)摩爾定律的新希望

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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