【新品發(fā)布】湖南靜芯推出4路單向深回掃型帶集成超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA
湖南靜芯推出4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA。SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數(shù)據(jù)信號線和一條電源信號線免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網(wǎng)等接口的信號線防護。根據(jù)IEC61000-4-2規(guī)范,SEUCS236T5V4UA可提供高達±30kV(接觸放電)、±30kV(空氣放電)的ESD保護。
深回掃型ESD介紹
回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS防護效果更優(yōu),且不影響信號完整性,可更有效保護高速數(shù)據(jù)接口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關電子產(chǎn)品設備加固防護,提升消費者使用體驗。
常規(guī)型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個較為線性的增長趨勢。而深回掃型ESD器件在當電壓達到VT(觸發(fā)電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進入一個小于工作電壓VRWM的較低電壓VHOLD,之后隨著電流的增加電壓逐漸增大。
其相較于常規(guī)ESD器件的優(yōu)點有:
更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低30%以上。
更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設備的功耗,實現(xiàn)更節(jié)能的設計。
更深的應用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更深的領域,如低壓移動電子設備、汽車電子、工業(yè)控制等對ESD保護要求較高的場合。
圖1 ESD特性曲線圖對比
通過對比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護方面具有更出色的性能和應用前景。
SEUCS236T5V4UA介紹
SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發(fā)的一款超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網(wǎng)等接口的信號線防護。與其他的深回掃型ESD保護器件不一樣的是,SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數(shù)據(jù)信號線和一條電源信號線免受過應力事件的干擾。
圖2SEUCS236T5V4UA引腳配置圖
SEUCS236T5V4UA的工作電壓為3.3V,IO-GND的鉗位電壓為5.6V,電容為0.7pF,根據(jù)IEC61000-4-5標準可承受高達14A(8/20μs)的峰值脈沖電流;VCC -GND的鉗位電壓為12.5V,電容為220pF,根據(jù)IEC61000-4-5標準可承受高達27A(8/20μs)的峰值脈沖電流。根據(jù)IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,SEUCS236T5V4UA可用于提供高達±30kV(接觸放電),±30kV(空氣放電)的ESD保護。
該器件的相關曲線圖及參數(shù)如下所示。
IO-GND 8/20μs浪涌曲線 | VCC-GND 8/20μs浪涌曲線 |
IO-GND結電容曲線 | VCC-GND結電容曲線 |
IO-GND IV曲線 | VCC-GND IV曲線 |
表1 SEUCS236T5V4UA相關曲線圖
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA,IO-GND | 5.5 | 7.1 | V | |
IT=1mA,VCC-GND | 5.5 | 6.9 | V | |||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5.0V | 0.1 | uA | ||
Clamping Voltage | VCL |
IPP=1A; tp=8/20us; Pin1,3,4,6 to Pin2 |
1.5 | 2.5 | V | |
VCL |
IPP=14A; tp=8/20us; Pin1,3,4,6 to Pin2 |
5.6 | 6.5 | V | ||
VCL |
IPP=1A; tp=8/20us; Pin5 to Pin2 |
7.5 | 9.5 | V | ||
VCL |
IPP=27A; tp=8/20us; Pin5 to Pin2 |
12.5 | 15.0 | V | ||
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 0.7 | 1.0 | pF | |
Between I/O; VR=0V; f=1MHz | 0.3 | 0.5 | ||||
VCC-GND; VR=0V; f=1MHz | 220 | 250 |
表2 SEUCS236T5V4UA電氣特性表
應用示例
下圖是湖南靜芯推出兩種SEUCS236T5V4UA相關的DP2.0應用方案。DP2.0協(xié)議最大支持16K的超強分辨率和80Gbps的原始帶寬。DP接口的八個引腳組成四個數(shù)據(jù)傳輸通道,這種四通道配置以每通道20Gbps的速度傳輸數(shù)據(jù),在使用四個通道時速度可達80Gbps。
由于接口在傳輸大量內(nèi)容時數(shù)據(jù)線需要經(jīng)常插拔,在熱插拔的過程中有可能因為消費者的觸摸或金屬引腳短接引發(fā)靜電放電(ESD)等問題,因此選擇電容低至0.14pF的分立式深回掃型ESD器件SEUCS2X3V1B或電容低至0.18pF的集成式深回掃型ESD器件SEUCS10F3V4B對數(shù)據(jù)傳輸引腳進行保護。
附屬通道的差分信號引腳(AUC_CH(n/p))、熱插拔檢測引腳(Hot Plug)、接頭電源引腳(DP_PWR)、電源回路引腳(DP_PWR Return)和地引腳(GND)可以采用本文介紹的超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件SEUCS236T5V4UA進行防護,可同時保護4條信號線和1條電源線。
方案一:
圖3 DP2.0應用方案一
方案二:
圖4 DP2.0應用方案二
總結與結論
SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發(fā)的4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件,擁有低電容低鉗位電壓的優(yōu)異性能,可適用于多種帶VCC引腳的主流數(shù)據(jù)接口的信號線防護。
湖南靜芯深回掃型系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~38V,電流涵蓋4~30A,電容最低至0.1pF,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式。同時推出22V&33V TDS平緩浪涌抑制器,可用于保護工作電壓為20V、24V、28V、36V的系統(tǒng),具有精準且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護。結合TDS器件與深回掃ESD優(yōu)勢,湖南靜芯是國內(nèi)首家推出USB4.0完整解決方案的公司,詳情可以參考:“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防護完整解決方案100W+80G/120G”與“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防護完整解決方案140W&180W+80G/120G”等文章。
審核編輯 黃宇
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