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先進封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

旺材芯片 ? 來源:半導體封裝工程師之家 ? 2025-01-28 15:41 ? 次閱讀

今天我們再詳細看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠:CUF,NUF,WLUF和MUF。

倒裝芯片的底部填充工藝一般分為三種:毛細填充(流動型)、無流動填充和模壓填充,如下圖所示,

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目前看來,從Underfill在工業生產中廣泛應用以來,已經發展出好幾種典型的Underfill,包括

毛細流動型底部填充膠(Capillary Underfill,CUF)。

非流動型底部填充膠(No-Flow Underfill,NUF)。

晶圓級底部填充膠(Wafer-Level Underfill, WLUF)。

模塑底部填充膠(Molded Underfill,MUF)。

每種Underfill材料在應用上都各有其優缺點,所以在填充過程中要需要根據產品的特點和性能要求選用合適的Underfill及相應的填充工藝。

1.毛細流動型底部填充膠(CUF)

CUF是最早出現的一類underfill,它是利用毛細作用流動填充芯片與底板間隙的一種低黏度填充膠。

CUF在FC封裝回流焊接后進行填充固化,完整的工藝過程包括:助焊劑涂覆→芯片放置→加熱回流→助焊劑清理→流動填充→加熱固化,如圖所示:

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CUF是最早應用于電子封裝的一種underfill。目前仍占據市場主流,應用范圍很廣,幾乎面向各個層次的封裝,如FC、CSP、BGA封裝。但由于使用CUF時,工藝上多出了流動填充和加熱固化的步驟,因而生產效率不高,另外毛細流動通常較慢且不夠充分,從而導致固化后的underfill基體中出現空洞,還會出現填料在樹脂體系中分布不均的現象,隨著芯片尺寸的增大及焊點尺寸的減小,這種現象愈發嚴重。

2.非流動型底部填充膠(NUF)

NUF是基于摩托羅拉(Motorola)公司于1992年發展的助焊劑和底部填充膠集成專利技術(Integrated flux and underfill)啟發而發展起來,NUF填充固化工藝比CUF要簡單,主要包括:underfill涂覆→芯片放置→回流焊接和固化,如圖所示:

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與CUF相比,NUF工藝步驟減少,生產效率高。

實現NUF這種新填充工藝的兩個關鍵要素在于:潛性固化能力和固有助焊能力。NUF工藝的特性需要underfill有足夠的反應潛伏期來保持低粘度,直至形成互連焊點。

由于NUF的固化和互連焊點的形成是在一個工序里完成,因此助焊劑是NUF中必不可少的成分。使用助焊劑是為了在回流過程中去除材料表面的氧化物,提高焊料的潤濕性;同時,助焊劑在回流階段應避免產生揮發性物質,保證填充穩定性。

NUF幾乎可用于所有封裝層次,由于NUF將傳統underfill底部填充工藝上的流動填充、助焊劑涂覆清理、焊料回流、underfill固化簡化成一個工藝步驟,大大提高了生產效率;但由于NUF填料少、熱膨脹系數比較高,固化物常有氣泡和空洞等問題,其尚未成為市場主流產品。

3.晶圓級底部填充膠(WLUF)

由于NUF工藝需要先在基板上涂敷underfill,這與表面貼裝技術(Surface Mounted Technology, SMT)并不完全兼容。針對此問題后來發展出了與SMT兼容的WLUF工藝,該工藝以其低成本、高可靠性而獲得了成功應用。

WLUF工藝首先在有凸點或無凸點的晶圓片上采用印制或涂敷添加一層underfill,然后進行部分固化。對于尚未制作凸點的晶圓,則需在劃片前制作凸點,然后再進行劃片。每單個芯片均可以通過標準的SMT工藝實現與基板的互連,工藝流程如圖所示。

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與NUF相同,WLUF也要求含有適當的助焊劑,填料含量很少甚至沒有,以達到100%的焊點連通率。此外,WLUF固化物需要一定的透明度以防晶圓的切割線模糊不清;WLUF需要良好的激光可加工性,便于劃片切割和打孔;此外,WLUF需要有低的介電常數和熱膨脹系數來更好地實現應力均勻分布。

由于WLUF在芯片放置之前就已經將部分固化的WLUF預涂覆在裸芯片上,完全適用于標準FC設備,大大提高了生產效率。但由于幾乎不含填料,還需要解決WLUF熱疲勞穩定性問題。由于工藝過程的限制,WLUF只適用于FC封裝。

4.模塑底部填充膠(MUF)

MUF是可以向模具直接注入,將包括芯片和底板間隙的整個器件進行封裝保護的一種underfill材料。MUF直接將底部填充和二次成型(Over molding)封裝在一個工藝步驟里完成,可降低成本,大大提高生產效率。MUF不僅填充芯片與基板之間的間隙,同時還包覆整個芯片并提高了器件力學穩定性。

MUF特別適用于倒裝芯片封裝,能夠提高生產效率。據報道,MUF工藝可將傳統底部填充工藝的生產效率提高4倍。

MUF工藝在模具設計和工藝方面與增壓底部填充類似,只是前者采用的不是只填充芯片與基板間隙的液態密封劑,而是包封整個器件的模塑化合物。

下圖所示為CUF與MUF工藝過程對比以及常見的FC-BGA封裝采用MFU工藝的模具設計。

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MUF封裝技術將注塑工藝和underfill相結合,可大大提高生產效率,降低生產成本,同時可顯著提高封裝器件的可靠性;

MUF可以對許多小的間隙進行填充,特別是小芯片微小間距時,填充效果好,有利于電子產品微型化和多功能化;MUF模具填充最小間隙高度可達40um;但MUF的可返修性差。MUF一般適合FC、CSP層次的單個或多個芯片的封裝。

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原文標題:先進封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF

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