SK海力士與英偉達(dá)加速HBM研發(fā)，供應(yīng)量已敲定
在2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2025)期間，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露了與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛的會(huì)面細(xì)節(jié)。雙方就高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)和“物理AI”等前沿技術(shù)進(jìn)行了深入交流。
作為英偉達(dá)HBM的獨(dú)家供應(yīng)商，SK海力士在HBM領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。去年3月，SK海力士率先向英偉達(dá)供應(yīng)了第五代8層HBM3E產(chǎn)品，并在同年10月實(shí)現(xiàn)了全球首次12層堆疊的HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)。
崔泰源表示，在之前的合作中，SK海力士的HBM研發(fā)速度略慢于英偉達(dá)的需求。然而，近期SK海力士的研發(fā)速度開始趕超，雙方正攜手加快HBM的研發(fā)進(jìn)程。
值得注意的是，雙方已通過工作層會(huì)議，敲定了今年HBM的供應(yīng)量。這一消息無疑為市場(chǎng)注入了信心，預(yù)示著SK海力士與英偉達(dá)在HBM領(lǐng)域的合作將進(jìn)一步深化。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
AI
+關(guān)注
關(guān)注
87文章
31463瀏覽量
269864 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3839瀏覽量
91669 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
971瀏覽量
38632 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
386瀏覽量
14810
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
和卓越的研發(fā)能力，已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力，更凸顯了其對(duì)市場(chǎng)趨
英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器
日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露，英偉
HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新
董事長(zhǎng)崔泰源透露，英偉達(dá)公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請(qǐng)求，希望其能提前六個(gè)月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)加劇
韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，SK
SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士
SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存
剛剛！SK海力士出局！
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)
英偉達(dá)對(duì)三星HBM3E進(jìn)行測(cè)試，海力士仍穩(wěn)坐HBM市場(chǎng)頭把交椅
現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時(shí)自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營(yíng)
SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)
近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了
SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以
SK海力士擬在美國(guó)建廠生產(chǎn)HBM芯片
韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國(guó)印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDI
傳英偉達(dá)與SK海力士協(xié)調(diào)2025年HBM供應(yīng)
據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論