遠山半導體

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。

本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態測試條件下，1700V時測得反偏漏電流Idss = 4.48uA（Vgs = -8V）。

掃描反偏電壓測試漏電流可以得到下面的曲線，10uA漏電流時，Vds電壓大于1750V，擊穿電壓得到較好的驗證。

由于是常開型器件，需要使用負電壓關斷，在測試器件的閾值電壓時，我們的掃描范圍設置在-8V~+3V之間，當Vds = 10V，Id =1mA時，實測閾值電壓Vth為-4.1V。

當Vds=10V時，掃描Vgs測試器件的Vth閾值電壓

導通狀態下測試器件的導通電阻Rdson，測試條件為Vgs = +3V，Id = 20A，電流脈寬300uS，四線模式下實測導通電阻為107mΩ。

在了解基本的靜態特性后，我們再次對器件的動態特性進行測試。由于我們目前的GaN測試電路最大測試電壓只能達到1000V，安全起見，我們在900V電壓條件下對該器件進行了雙脈沖測試。測試條件如下：

Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，負載電感L = 200uH。

三條波形曲線從上到下依次為Vgs，Vds和Id，可以看到在900V電壓條件下，Vds波形在兩次導通階段內仍然保持比較穩定的低電壓，Vds波形在器件導通過程中電壓非常接近0V，表示功率器件在高壓下的硬開關操作，并沒有導致導通電壓的上升，驗證了未出現電流崩塌現象。

為了進一步驗證功率器件在開關過程中的動態導通電阻值，我們使用鉗位探頭對器件的動態導通電阻進行進一步的測量。我們使用電壓鉗位探頭對Vds電壓進行鉗位測量，鉗位探頭的優勢是可以過濾信號的高壓部分，使用較小的量程對低壓部分進行準確測量。比如功率器件的源漏極反偏電壓，在關斷條件下可能達到幾百伏甚至上千伏，導通條件下只有幾百毫伏，為了在快速開關條件下，準確測量導通條件下的器件兩端電壓降，使用帶有鉗位功能的探頭將是非常好的選擇。

在下圖中，從上到下的波形依次為柵極電壓Vgs，反偏電壓Vds，導通電流Id，鉗位電壓Vds-clamp，以及動態導通電阻D-Rdson。

動態導通電阻的計算可以根據歐姆定律，使用鉗位電壓Vds-clamp除以導通電流Id，在示波器上使用Math功能直接進行計算，也可以使用Tekscope軟件，在電腦端對波形進行計算處理。

使用公式編輯功能直接計算導通電阻曲線

在不同電壓條件下進行動態導通電阻測試，得到如下歸一化動態電阻。

可以看到的是，隨著測試電壓的升高，器件動態導通電阻增加比例相對較小，器件在高壓開關條件下呈現比較穩定的工作狀態。

在實際測試中，較之前測試的1200V器件，遠山1700V的器件也體現出優異的開關特性。

結語

遠山半導體提供的1700V GaN器件再次讓我們刷新了對GaN器件的認知，其性能正在快速逼近甚至超出主流SiC功率器件的特性指標。在未來，如果GaN器件能進一步證明其長期工作可靠性，并展現出成本優勢，將極有可能在工業領域展現出替代SiC功率器件的潛質。