三星美國得州半導體廠獲47.4億美元激勵
近日，據韓媒最新報道，三星電子正在美國得克薩斯州泰勒市加速推進一座先進的半導體芯片工廠建設。為了支持這一重大投資項目，三星電子聲稱已經獲得了美國政府提供的47.4億美元(折合當前匯率約為348.34億元人民幣)的激勵資金。
該工廠預計將于2026年全面投入大規模芯片生產，主要生產2納米和3納米工藝的先進芯片。三星方面表示，他們計劃在2026年初引入所有必要的生產設備，并在年底前正式啟動量產，以期在這一關鍵領域與全球領先的芯片制造商臺積電展開有力競爭。
值得注意的是，三星的最大競爭對手臺積電已經在美國亞利桑那州開設了工廠，并成功開始生產4納米芯片。臺積電還計劃在今年內進一步提升其生產能力，具備生產2納米和3納米芯片的技術實力。面對這一強勁對手，三星顯然希望通過其在泰勒市的工廠項目，進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
未來，隨著三星泰勒工廠的正式投產，全球半導體行業的競爭格局或將迎來新的變化。
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