基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設定,最高工作頻率可達1.3MHz,適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
功能框圖
產品特點
輸出功率可達6W
軟啟動時間1.5ms
工作頻率可編程,最高工作頻率可達1.3MHz
VCC供電電壓可達20V
VCC欠壓保護點4.7V
工作環境溫度-40~125℃
芯片過溫保護點160℃,過溫恢復點120℃
推薦電路
BTP1521x推薦電路(功率小于6W情況下)
DC1和DC2接變壓器原邊線圈,副邊二極管橋式整流,組成開環的全橋拓撲(H橋逆變),輸出功率可達6W, 輸出經過電阻和穩壓管分壓后構成正負壓,供SiC MOSFET使用,非常適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電。
BTP1521x推薦電路(功率大于6W情況下)
當副邊需求功率大于6W時, 可以使用推挽逆變拓撲,通過DC1和DC2 端控制外接的MOSFET來增加輸出功率。
應用領域
充電樁模塊
焊機電源
伺服電機驅動
光伏逆變器
儲能PCS
典型應用
針對碳化硅MOSFET的隔離驅動電源應用
(BTP1521x搭配電源變壓器TR-P15DS23-EE13)
針對+18/-4V碳化硅MOSFET隔離驅動電源
副邊兩路輸出,單路輸出功率可達2W,總輸出功率4W
輸入電壓15V,副邊全橋整流輸出全電壓(VISO-COM=23.3V)
輸出全電壓通過4.7V的穩壓管,將全電壓拆分成正電壓(VISO-VS=18.6V)、負電壓(COM-VS=-4.7V)
BTP1521的OSC管腳通過電阻R5=43kΩ接地,設置工作頻率為f=469kHz
建議在PCB布局時,將底部散熱焊盤連接到芯片GND(針對DFN3*3-8封裝)
雙通道電源變壓器TR-P15DS23-EE13介紹
TR-P15DS23-EE13是驅動器專用的隔離電源變壓器,采用EE13骨架,可實現驅動器隔離供電,傳輸功率可達4W (每通道2W)
如上原理框圖中,N1原邊線圈,N2和N3是副邊線圈
采用EE13磁芯,磁芯材質鐵氧體
參考設計
碳化硅MOSFET驅動板參考設計一
(針對34mm碳化硅MOSFET模塊)
即插即用驅動板型號為BSRD-2427-ES01
2通道輸出,單通道輸出功率2W
驅動芯片直接輸出峰值拉灌電流10A,無須外置推動級
可支持1200V的功率器件(34mm碳化硅MOSFET模塊)
碳化硅MOSFET驅動板參考設計二
(針對Easy系列碳化硅MOSFET模塊)
即插即用驅動板型號為BSRD-2423-ES01
兩組輸入電壓,分別是24V和5V
2通道輸出,單通道輸出功率2W
驅動芯片直接輸出峰值拉灌電流10A,無須外置推動級
可支持驅動1200V的功率器件(SiC MOSFET)
產品列表
關于基本半導體
深圳基本半導體股份有限公司是中國第三代半導體創新企業,專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊,核心團隊由來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士組成。
基本半導體掌握碳化硅核心技術,研發覆蓋碳化硅功率半導體的芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節,擁有知識產權兩百余項,核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等,性能達到國際先進水平,服務于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。
基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業,承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數十項研發及產業化項目,與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心,是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一,獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。
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原文標題:新品推薦 | 基本半導體推出正激DCDC開關電源芯片BTP1521x
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