近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品廣泛適用于光伏和風(fēng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等場景。
本次推出的QSiC? 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具備高功率密度和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)勢,顯著降低了整體系統(tǒng)成本。這一系列產(chǎn)品采用了高可靠性設(shè)計(jì),內(nèi)置的體二極管能夠在高達(dá)175°C的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。此外,所有器件均經(jīng)過超過1900 V的高電壓測試和600 mJ的UIL雪崩測試,確保在長時(shí)間使用中的穩(wěn)定性和安全性。
該系列產(chǎn)品提供多種封裝形式,包括裸片(GP2T030A170X)和帶有4引腳的TO-247-4L封裝(GP2T030A170H),支持用戶根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。此外,SemiQ還推出了符合汽車級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的型號(hào)(AS2T030A170X和AS2T030A170H),進(jìn)一步滿足汽車電子領(lǐng)域的高可靠性要求。
QSiC 1700 V SiC MOSFET系列憑借低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗和低電容特性,在行業(yè)內(nèi)樹立了新的性能標(biāo)桿。每個(gè)器件還通過了晶圓級(jí)老化測試(WLBI),從而有效篩除可能存在潛在缺陷的器件,提升產(chǎn)品整體質(zhì)量。
具體而言,裸片和TO-247-4L封裝的產(chǎn)品具備564 W的功率耗散能力,連續(xù)漏極電流在25°C下為83 A(100°C下為61 A),脈沖漏極電流在25°C下可達(dá)250 A。其導(dǎo)通電阻(RDSON)在25°C時(shí)為31 mΩ(125°C時(shí)為57 mΩ),反向恢復(fù)時(shí)間(tRR)僅為17 ns,充分滿足高效能場景的應(yīng)用需求。
為了進(jìn)一步簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì),SemiQ還推出了三款模塊化產(chǎn)品,包括采用S3封裝(標(biāo)準(zhǔn)62 mm半橋模塊)的模塊,以及兩款SOT-227封裝的功率模塊。這些模塊化設(shè)計(jì)不僅支持更高的功率密度,還具有便捷的安裝方式,可直接固定于散熱器上。
其中,62 mm半橋模塊的功率耗散能力高達(dá)2113 W,其連續(xù)漏極電流為397 A,脈沖漏極電流可達(dá)700 A,結(jié)殼熱阻僅為0.06°C/W,這使其成為高性能應(yīng)用中的理想選擇。而SOT-227模塊則兼具高功率輸出和低熱阻性能,最大功率耗散能力達(dá)到652 W,適用于要求高效散熱的應(yīng)用環(huán)境。
隨著碳化硅技術(shù)在電力電子領(lǐng)域的快速發(fā)展,SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列為中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。憑借其高功率密度、高可靠性和多樣化選擇,該系列產(chǎn)品有望在光伏、儲(chǔ)能、充電設(shè)施等多個(gè)行業(yè)中發(fā)揮重要作用,助力我國新能源和電力電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升級(jí)。
浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域,為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)(MCU)、觸摸芯片,是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。
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