三星SF4X先進制程獲IP生態關鍵助力
半導體互聯IP企業Blue Cheetah于美國加州當地時間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對裸晶互聯PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進制程上成功流片。
三星SF4X制程即4HPC，是4nm系列節點演進新一步，主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級2.5D和標準2D芯粒封裝，總吞吐量突破100Tbps，在面積和功耗表現上領先。
Blue Cheetah的IP解決方案支持UCIe和OCP BoW接口，可連接多種片上總線/網絡。這意味著基于三星SF4X制程的芯片設計，能在更廣泛的生態中實現高效互聯與協同。
三星電子副總裁兼IP開發團隊負責人Rhew Hyo - Gyuem表示，三星強大的先進代工工藝技術組合專為生成式AI和HPC芯片優化，Blue Cheetah的BlueLynx PHY技術讓客戶能提升基于芯粒的設計性能，加快產品上市。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51111瀏覽量
426001 -
三星
+關注
關注
1文章
1579瀏覽量
31380
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星3nm良率僅20%，仍不放棄Exynos 2500處理器，欲打造“十核怪獸”
，導致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ?
被臺積電拒絕代工，三星芯片制造突圍的關鍵在先進封裝？
? 電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據相關媒體報道，臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務，理由是臺積電害怕通過最先進的工藝代工三星Exynos處理器可能會導致泄密，讓三星了解
M31 12納米GPIO IP獲國芯科技采用，點亮先進制程車用電子芯片創新
芯科技"）宣布進一步深化合作，首次攜手進入先進制程領域。此次合作中，國芯科技委托M31定制基于12納米工藝的GPIO IP，該IP支持125MHz操作頻率與多電壓操作，用于車用降噪DSP芯片(對標ADI ADSP21565)，并
臺積電美國芯片量產！臺灣對先進制程放行？
來源：半導體前線 臺積電在美國廠的4nm芯片已經開始量產，而中國臺灣也有意不再對臺積電先進制程赴美設限，因此中國臺灣有評論認為，臺積電不僅在“去臺化”，也有是否會變成“美積電”的疑慮。 中國臺灣不再
三星芯片代工新掌門：先進與成熟制程并重
據韓媒報道，三星電子設備解決方案部新任foundry業務總裁兼總經理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內部信中明確提出了三星代工部門的發展策略。 韓真晚強調，三星代工部門要實現先進
三星加速2nm及1.4nm制程投資
三星正加速其在先進制程領域的投資步伐，計劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產能達7000片晶圓的2nm生產線。此舉標志著三星在推進其技術路線圖方面邁出了重要一步。
三星電子或2026年將HBM4基底技術生產外包給臺積電
據媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時，展望未來五年，該領域有望實現15%至20%的年均復合成長率。
三星解散先進封裝業務組
據臺灣媒體最新報道，三星電子近期進行了一次重大的業務結構調整，其先進封裝業務組“Task Force”已正式解散。這一變動在半導體行業引起了廣泛關注，尤其是考慮到該團隊曾承載著三星反擊臺積電的重要使命。
三星擬升級美國晶圓廠至2nm制程，與臺積電競爭尖端市場
在全球半導體產業競爭日益激烈的背景下，韓國科技巨頭三星近日宣布了一項重要決策。據韓國媒體報道，三星已決定推遲其位于美國德克薩斯州泰勒市新晶圓廠的設備訂單，考慮將原計劃的4nm制程工藝直
三星公布最新工藝路線圖
： 1. **新節點和技術進展**：三星宣布了兩個新的尖端節點——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝，采用背面電源輸送網絡（BSPDN）技術，這種技術將電源軌置于晶圓背
M31攜手臺積電5奈米先進制程 成功發表MIPI C/D PHY Combo IP
円星科技宣布M31 MIPI C/D-PHY Combo IP?獲臺積電5奈米制程硅驗證，并且已投入于3奈米制程的開發。這款經驗證的C-PH
臺積電2023年報：先進制程與先進封裝業務成績
據悉，臺積電近期發布的2023年報詳述其先進制程與先進封裝業務進展，包括N2、N3、N4、N5、N6e等工藝節點，以及SoIC CoW、CoWoS-R、InFO_S、InFO_M_PoP等封裝技術。
三星研究建DRAM內存廠，但選封裝技術
近期達成的初步協議顯示，三星電子將從美國獲得總計高達64億美元（相當于約464億元人民幣）的補貼，用于建設位于得克薩斯州泰勒市的兩大先進邏輯代工廠、一座先進封裝工廠以及一座先進制程研發
三星3納米良率不足60%
三星近年來在半導體制造領域持續投入，并力爭在先進制程技術上取得突破。然而，據韓媒報道，三星在3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決，這對其在市場上的競爭力構成了一定的挑戰。 據百能
三星第二代3nm工藝開始試產!
據報道，三星預計在未來6個月時間內，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應用到可穿戴設備處理器上，三星Galaxy Wa
工商網監
評論