三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。
此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能問題，在2024年底決定在改進現(xiàn)有1b nm工藝的同時，從頭設計新版1b nm DRAM。
不過，三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計，但有業(yè)內人士透露，三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據了解，三星啟動了名為“D1b - p”的開發(fā)項目，重點關注提高電源效率和散熱性能。
此次事件凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度，三星的DRAM業(yè)務走向仍備受業(yè)界關注。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2325瀏覽量
183741 -
三星
+關注
關注
1文章
1589瀏覽量
31389
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
據韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上，全面
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星或重新設計1a DRAM以提升HBM質量
三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據業(yè)內人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分
三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資
據韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線，并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規(guī)模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業(yè)新熱潮
在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存（HBM）和DDR5 DRAM的市場需求，進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
SK海力士加大1b DRAM產能以滿足市場需求
在全球半導體產業(yè)風起云涌的當下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據行業(yè)內部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規(guī)模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
三星第五代DDR產品良率不達標
據報道，三星電子在最新的半導體技術探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注。
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日，據韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應對這一局面，三星
英偉達否認三星HBM未通過測試
英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
三星電子否認HBM產品未達標，多家合作公司保證質量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲（HBM）產品未達英偉達品質標準的傳聞，三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題，并稱三星的HBM產品尚未經過英偉達嚴謹?shù)臏y試環(huán)節(jié)。
在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新？
在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新？
發(fā)表于 05-09 18:46
?513次閱讀
AI需求激增，三星與SK海力士計劃增產高價值DRAM
趨勢，半導體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量，以加速向更先進的10納米第四代（1a）和第五代（1b）版本的過渡。
工商網監(jiān)
評論