一、引言

隨著碳化硅在半導體等領(lǐng)域的廣泛應用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附方案會對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。

二、常見吸附方案概述

在碳化硅襯底測量中，常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負壓將襯底固定，操作相對簡單，但可能存在吸附不均勻的情況。靜電吸附則利用靜電引力固定襯底，吸附力分布較為均勻，但對環(huán)境要求較高。

三、特氟龍夾具的特點

特氟龍夾具具有良好的化學穩(wěn)定性和低摩擦系數(shù)。其表面較為光滑，在與碳化硅襯底接觸時，能減少對襯底表面的損傷。同時，特氟龍材料的絕緣性能也有助于避免因靜電等因素對測量產(chǎn)生干擾。

四、對測量 BOW/WARP 的影響分析

在測量 BOW 時，特氟龍夾具由于其穩(wěn)定的接觸特性，能夠更均勻地支撐碳化硅襯底，相比一些真空吸附方案，減少了因局部吸附力不均導致的襯底額外變形，從而能更準確地反映襯底的真實翹曲度。在測量 WARP 方面，特氟龍夾具的低摩擦特性可防止在測量過程中因襯底與夾具之間的相對移動而產(chǎn)生測量誤差。而其他吸附方案，如靜電吸附，雖然吸附力均勻，但可能因環(huán)境濕度等因素改變吸附效果，進而影響測量的準確性。

五、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結(jié) 構(gòu)，厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現(xiàn)小型化設(shè)計，同時也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實現(xiàn)產(chǎn)線自動化集成測量。

3，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。