LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
可編程導通壓擺率可實現 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻相比，電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到涼爽的 PCB 電源地。
LMG3624 具有低靜態電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現突發模式運行。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱保護。過熱保護通過開漏 FLT 引腳報告。
TI LMG3624數據表：
*附件：LMG3624 具有集成式驅動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET數據表.pdf
TI LMG3624技術文章：
*附件：TI LMG3624 具有集成式驅動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔.pdf
TI LMG3624應用簡報：
*附件：利用 TI GaN 中的集成電流檢測功能更大限度提高系統效率.pdf
TI LMG3624產品概述：
*附件：使用 LMG362x 系列低功耗 GaN FET 進行設計.pdf
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