DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 BLDC/PMSM 電機。這類應用包括 BLDC 電機的場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制（六步）。該器件有助于為采用 QFN 12mm x 12mm 封裝、在 20kHz 開關頻率下運行的三相調制 FOC 驅動型 250W 電機驅動應用實現 99% 以上的效率，無需散熱器。該器件有助于實現超靜音運行和超短的死區時間。使用具有自舉電流限制功能的集成自舉整流器，無需使用外部自舉二極管。
*附件：TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM).pdf

TI DRV7308特性：

• 具有集成 650V 增強模式 GaNFET 的三相 PWM 電機驅動器
• 高達 450V 的工作電壓
  • 650V 絕對最大電壓
• 高輸出電流能力：5A 峰值電流
• 低導通損耗：每個 GaN FET 具有低導通狀態電阻：TA = 25°C 時為 205mΩ RDS(ON)
• 低開關損耗：零反向恢復、低輸出電容、壓擺率控制
• 低失真：< 135ns 的超低傳播延遲，< 200ns 的超低自適應死區時間
• 具有相位節點電壓壓擺率控制功能的集成式柵極驅動器
  • 5V/ns 至 40V/ns 壓擺率選項
• 通過集成式快速自舉 GaN 整流器實現 500ns 最低低側導通時間支持
• 低側 GaN FET 開源引腳，支持 1、2 或 3 分流器電流檢測
• 支持高達 60kHz 硬開關
• 集成 11MHz、15V/μs 放大器，用于單分流器電流檢測
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 集成 BRAKE 功能，可一起導通所有低側 GaN FET
• 集成溫度傳感器
• OUTx 和 OUTx、VM 和 OUTx 以及 OUTx 和 PGND 之間的間隙大于 1.6mm。
• VM 和 PGND 之間的間隙為 2mm
• 集成保護特性
  • GVDD 和自舉欠壓鎖定
  • 每個 GaN FET 的過流保護
  • 過熱保護
  • PWM 輸入死區時間
  • 對全部三個相位使用集成比較器實現電流限制保護
  • 故障條件指示引腳 (HV_nFAULT)

TI DRV7308參數：

TI DRV7308方框圖：

應用
? 冰箱和冷凍柜
? 電器、HVAC 泵和風扇
? 洗碗機
? 小型家用電器
? 家用空調
? 油煙機
? 無刷直流電機模塊