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TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

科技綠洲 ? 2025-02-21 09:19 ? 次閱讀

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動,采用半橋配置。

GaN FET 具有零反向恢復和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS,因此為功率轉換提供了顯著的優勢。所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上,最大限度地減少了封裝寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝,可輕松安裝在 PCB 上。
*附件:LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET.pdf

TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平,而與 VCC 電壓無關。專有的自舉電壓箝位技術確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內。

該器件通過提供更用戶友好的界面,擴展了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應用,它是理想的解決方案。

TI LMG2100R044特性:

  • 集成 4.4mΩ 半橋 GaN FET 和驅動器
  • 90V 連續,100V 脈沖額定電壓
  • 封裝經過優化,便于 PCB 布局
  • 高轉換速率開關,低振鈴
  • 5V 外部偏置電源
  • 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
  • 柵極驅動器能夠實現高達 10MHz 的開關頻率
  • 出色的傳播延遲(典型值為 33ns)和匹配性(典型值為 2ns)
  • 內部自舉電源電壓箝位,以防止 GaN FET 過驅
  • 用于鎖定保護的電源軌欠壓
  • 低功耗
  • 外露頂部 QFN 封裝,用于頂部冷卻
  • 用于底部冷卻的大型 GND 焊盤

TI LMG2100R044參數:

image.png

TI LMG2100R044方框圖:
image.png

TI LMG2100R044應用:
?降壓、升壓、降壓-升壓轉換器
?LLC轉換器
?太陽能逆變器
?電信和服務器電源
?電機驅動
?電動工具
?D類音頻放大器

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