LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動,采用半橋配置。
GaN FET 具有零反向恢復(fù)和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS,因此為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著的優(yōu)勢。所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上,最大限度地減少了封裝寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝,可輕松安裝在 PCB 上。
TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平,而與 VCC 電壓無關(guān)。專有的自舉電壓箝位技術(shù)確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內(nèi)。
該器件通過提供更用戶友好的界面,擴(kuò)展了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應(yīng)用,它是理想的解決方案。
TI LMG2100R044數(shù)據(jù)表:
*附件:TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET.pdf
TI LMG2100R044應(yīng)用簡報:
*附件:GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用.pdf
TI LMG2100R044技術(shù)文章:
*附件:GaN 將革新四種中壓應(yīng)用的電子設(shè)計.pdf
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