LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該評估模塊 （EVM） 允許快速測量氮化鎵 （GaN） 器件的開關。此 EVM 能夠提供高達 12A 的輸出電流，并具有適當的熱管理（強制通風、低頻運行等），以確保不超過最高工作溫度。此 EVM 是開環板，因此不適合瞬態測量。
*附件：LMG342x 評估模塊LMG342X-BB-EVM.pdf
只需要一個脈寬調制輸入，并在板上生成互補脈寬調制信號和相應的死區時間。提供探測點，以便使用具有短接地彈簧的示波器探頭測量關鍵邏輯和功率級波形。
特征
- 輸入電壓工作電壓高達 650V
- 簡單的開環設計，用于評估 LMG342XR0XX、LMG352XR0XX 的性能
- 板載單或雙 PWM 輸入，用于具有可變死區時間的 PWM 信號
- 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進行邏輯和功率級測量的便捷探測點
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
降壓轉換器
+關注
關注
7文章
1555瀏覽量
86551 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1672瀏覽量
116749 -
GaN
+關注
關注
19文章
2008瀏覽量
74625 -
輸出電流
+關注
關注
0文章
252瀏覽量
16687
發布評論請先 登錄
相關推薦
驅動LMG5200的Hercules模塊設計
時間。圖3顯示的是將連接在一起的硬件模塊。負載是一個常見的燈泡。一個德州儀器 (TI) LMG5200 GaN評估套件控制進入燈泡的電力。一個舊鼠標的滾輪作為輸入。你將用這個滾輪來控制GaN功率級輸出
發表于 06-01 11:31
600V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數據表
電子發燒友網站提供《600V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數據表.pdf》資料免費下載
發表于 03-21 14:17
?0次下載
600V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數據表
電子發燒友網站提供《600V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數據表.pdf》資料免費下載
發表于 03-21 15:27
?0次下載
使用LMG3411R070EVM半橋和LMG34XXBB-EVM分線板EVM
電子發燒友網站提供《使用LMG3411R070EVM半橋和LMG34XXBB-EVM分線板EVM.pdf》資料免費下載
發表于 01-03 16:39
?0次下載
LMG2100評估模塊LMG2100EVM-078概述
LMG2100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易用的功率級，可配置為使用半橋設計的降壓轉換器、升壓轉換器或其他轉換器拓撲。此 EVM 具
LMG3422EVM-043評估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述
LMG342XEVM-04X具有兩個LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半橋配置，具有集成驅動器和保護功能，并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉換。基本的功率級和柵極驅動
LMG2640子卡評估模塊LMG2640EVM-090介紹
/升壓母板 （LMG342X-BB-EVM） 最容易地評估 LMG2640EVM 的性能。子卡可輕松插入主板，并在開環配置中連接所有電源和數字控制，以實現完整的系統控制。此外，還提供了推薦的封裝，用于將子卡與自定義系統連接起來，
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 （EVM） 是一款緊湊、易于使用的功率級，帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。該
LMG3100EVM - 089評估模塊的用戶指南
LMG3100 評估模塊是一款緊湊、易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。由于這是一個開環板且帶有外部
BOOSTXL-LMG2100-MD 評估模塊的用戶指南
BOOSTXL - LMG2100 - MD 評估模塊，在本文檔中也稱為 “EVM”，通過基于分流器的精確電流檢測，實現了具有精確相電流控制的氮化鎵（GaN）逆變器，適用于伺服驅動器等
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。此器件可用于
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉換組件都已集成，這使得低側參考信號能夠控制兩個場效應晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容，采用
工商網監
評論