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SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

麥辣雞腿堡 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-02-25 14:18 ? 次閱讀

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性,可提高系統效率,減少散熱需求,在并聯使用時無熱失控風險。
*附件:SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管.pdf

電氣特性

  • ?最大反向電壓:600V
  • ?正向平均電流?:2A(具體值可能根據封裝和散熱條件有所不同)
  • ?正向電壓降?:典型值在指定電流下給出(需查閱數據手冊具體數值)
  • ?反向漏電流:在指定溫度和電壓下的最大值(需查閱數據手冊具體數值)

特征

符合AECQ-101 | 100%UIS測試 | 極小的反向恢復損耗 | 優異的高溫特性

優勢

優異的性能 | 減小系統體積 | 提升整體效率 | 減小散熱面積 | 車規級器件 | 降低系統成本 | 降低電磁干擾

應用領域

光伏逆變器系統,充電器

典型性能

image.png

包裝

image.png

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