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SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

麥辣雞腿堡 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-02-26 17:40 ? 次閱讀

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。

*附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q101 標準
  • 超快開關速度
  • 零反向恢復電流
  • 適用于高頻操作
  • 正向電壓具有正溫度系數
  • 高浪涌電流
  • 100% 經過 UIS 測試

優勢

  • 提高系統效率
  • 降低對散熱器的需求
  • 基本無開關損耗
  • 符合 RoHS 標準
  • 器件并聯時不會出現熱失控現象

應用領域

最大額定值

image.png

熱特性

image.png

封裝外形

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