在便攜式儲能領域，電池管理系統（BMS）的性能直接決定了設備的安全性與效率。大聯大世平集團針對便攜式儲能的電池保護系統，推出基于晶豐明源(BPS)的 MCU-LKS32MC453 和杰華特(JOULWATT)的 AFE-JW3376 和高邊驅動-JW3330 驅動方案。使用 SPI 接口實現 MCU 和 AFE 的通訊。NMOS 采用芯邁(Silicon Magic)的 SDN10N3P5B-AA 和 SDN10K018S2C。并配備一個納芯微壓力傳感器 NSPGS2。此方案具有被動均衡、充放電控制、溫度采集、高邊保護等功能，支持：過壓/欠壓保護、高/低溫保護、斷路保護、過流保護等保護機制。
硬件設計說明：
1. 主控
BPS 的 LKS32MC453 MCU， 192MHz 32位CortexM4F 內核，具有豐富的 DSP指令，硬件浮點運算單元。內置高達 256KB 的 Flash 存儲器，支持加密保護，最大 40KB 的 SRAM。集成了高性能模擬器件、多種 I/O 端口和豐富的外設。內置 12MHz 高精度 RC 時鐘和低速 32kHz 低速時鐘，可外掛 12~24MHz 外部晶振，內部 PLL 可提供最高 192MHz 主頻。
256KB Flash，40KB SRAMB。
包含 3 路 14Bit SAR ADC，2 Msps 采樣及轉換速率。
3 個通用 16 位 Timer、2 個通用 32 位 Timer、1 個 24bit systick 定時器。
2 個 I2C 接口、2 個 SPI 接口、1 路 CAN 接口和 3 路 UART 接口
1 路獨立 DMA 引擎, 共 8 個通道, 支持 8、16、32bit 傳輸
ADC 自檢模塊，支持開路短路檢查
1 個 CRC 模塊
2. AFE-JW3376
JW3376: 是一種 16S 電池組模擬前端 IC，主要有以下功能：
一個 14 位 ADC 對電池電壓和溫度進行采樣，精度為 ±7mV，范圍：3-4.3V。
16 位 ADC 采樣充電/放電電流。
4 通道熱敏感測，精度 ±1℃。
電池過壓/欠壓和溫度保護。
11-16 串電池，被動均衡。
充電/放電過流保護、放電短路保護。
可靠的 SPI 通信。
3V LDO 輸出用于外部應用。
外部保護 N-MOS 高驅動能力：12mA/86mA。
集成預充電/放電功能。
封裝：TSSOP48。
3. JW3330
JW3330: 是一款低功耗、100V 高邊 N 溝道 MOSFET 驅動控制 IC。通過切斷高壓側開關來斷開電源，可以避免類似低邊保護時斷開系統接地線的問題發生，增強 BMS 系統的穩定性和可靠性。JW3330 可與模擬前端芯片配合使用，可以對充電和放電 FET 進行單獨控制。
輸入電壓范圍 2V-90V。
充電和放電高側 NMOSFET 驅動器。
預充和預放電高壓側 NMOS FET 驅動器（僅限 TSSOP16）。
獨立數字啟用充電、放電、預充電、預放電控制。
外圍設備少。
靜態功耗：
-正常模式：60μA typ。
-空閑模式：12.5μA typ。
高側負載檢測和充電器檢測邏輯（僅限 TSSOP16）。
可直接與 AFE 一起使用。
封裝：TSSOP16/SOP8（本方案用的是 TSSOP16）。
4. N-MOSFET
充放電開關控制部分，方案的開關管 N-MOSFET 采用芯邁的 SDN10K018S2C 來做預充電、預放電，該 MOS 管的漏源電壓（VDS）能夠達到 100V，其連續漏電流（Id）可達 45A。當 VGS = 10V 時，RDS 為 18mΩ 。采用芯邁的 SDN10N3P5B-AA 來做充電、放電控制。該 MOS 管的漏源電壓（VDS）能夠達到 100V，其連續漏電流（Id）可達 120A。當 VGS = 10V 時，RDS 為 3.5mΩ 。
5. DC-DC
DC-DC 部分，方案采用杰華特的 JWH5140F 來對 BAT+ 的電壓進行降壓處理，使 DC-DC 輸出 5V 。JWH5140F 的特點如下：
工作輸入范圍為 6V 至 100V。
擁有 6A 輸出電流，且內部具備軟啟動功能。
可調節開關頻率。
在輕載下的強制連續導通模式（FCCM）。
支持短路保護。
支持高溫保護。
封裝：DFN4X-4-8。
6. LDO
LDO 部分，方案采用杰華特的 JW7806 來對 DC-DC 的輸出電壓進行再一步的降壓處理使 LDO 輸出 3.3V 。JW7806 的特點如下：
輸入電壓范圍：2V-5.5V。
輸出電壓范圍：2V-4.5V。
輸出電壓精度：±2%。
輸出電流：300mA。
低壓差：120mV（典型值）。
電源抑制比（PSRR）：82dB@1kHz。
無需噪聲旁路電容器。
低輸出電壓噪聲：12 uVRMS。
限流保護。
過溫保護。
工作溫度范圍：-40℃-125℃。
封裝：SOT23-5。
7. NSPGS2
壓力檢測部分，方案采用納芯微的 NSPGS2 , NSPGS2 系列設計用于操作壓力范圍為 -100kPa 至 350kPa，其特點如下：
0°C 至 60°C 范圍內優于 ±1.5%（模擬）。
-40°C 至 70°C 范圍內優于 ±2.5%（模擬）。
0°C 至 60°C 范圍內優于 ±1%（數字）。
-40°C 至 70°C 范圍內優于 ±2%（數字）。
溫度范圍大：-40°C ~70°C。
比率/絕對模擬輸出。
24 位 I2C。
帶空氣噴嘴的 SOP 封裝，易于組裝。
方案原理圖：
1. MCU
2. 壓力檢測
3. JW3376
4. JW3330
5. 溫度檢測接口電路
6. 電源
7.充放電控制
8.均衡電路
PCB Layout：
TOP Layer：
BOTTOM Layer：
軟件設計說明：
PES-BMS 方案的軟件架構如下圖所示，包含驅動層、中間層和應用層。
驅動層：是 MCU 的底層驅動，直接與硬件交互，控制和管理 MCU 的硬件資源。主要負責初始化、配置和管理硬件資源。PES-BMS 方案涉及到的外設包括：GPIO、SPI、UART、TIMER、ADC、FLASH、IWDG、AON 等。
中間層：在 MCU 軟件架構中扮演著重要的角色，它為上層應用提供必要的服務和功能接口，處理應用程序與硬件之間的通信?。同時隔離系統軟件與底層硬件的直接交互，從而簡化了硬件的復雜性?。包括 AFE 和 JW3376 驅動、TIMER 中斷處理、Flash 的存取、LED 的開關、與 PD 面板通訊相關的串口處理等等。
應用層：包括對 AFE 的管理和控制、充放電控制、電池異常狀態的處理、SOC/SOH、用戶界面（PD Panel）相關通訊協議、低功耗管理等等，確保系統與 PES-BMS 應用相關的功能正常運行。
參考文獻
[1] LKS32MC45x_DS_v1.54
[2] JW3376_Datasheet_R0.8_EN_20231009
[3] JW3330_Datasheet_R0.8_EN_20231016
[4] DS_SDN10N3P5B-AA
[5] DS_SDN10K018S2C_EN_Rev1.1_20210722
[6] JW7806_Datasheet_R0.1_EN_20230727
[7] JWH5140&JWH5140F_Datasheet_R0.23_EN_20230613
[8] 壓力傳感器_NSPGS2_Series_DatasheetRev2.8_EN
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