P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。這些特性有助于提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關(guān)損耗，還能實現(xiàn)器件并聯(lián)而無熱失控風(fēng)險。
*附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 通過 AEC-Q101 認證
- 超快速開關(guān)
- TO-263-2 封裝
- 零反向恢復(fù)電流
- 高頻運行
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 100% 進行 UIS 測試
優(yōu)勢
- 優(yōu)異的性能
- 減小系統(tǒng)體積
- 提升整體效率
- 減小散熱面積
- 車規(guī)級器件
- 降低系統(tǒng)成本
- 降低電磁干擾
應(yīng)用領(lǐng)域
最大額定值
熱特性
封裝外形
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發(fā)表于 09-24 16:22
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開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅
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開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅
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開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅
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/DC轉(zhuǎn)換器等，滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基
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