中芯國(guó)際的現(xiàn)狀

截止2009年5月，中芯國(guó)際已在上海建有一座300mm芯片廠(chǎng)和三座200mm芯片廠(chǎng)，在北京建有兩座300mm芯片廠(chǎng)，在天津建有一座200mm芯片廠(chǎng)，在深圳有一座200mm芯片廠(chǎng)在興建中，在成都擁有一座封裝測(cè)試廠(chǎng)。中芯國(guó)際還在美國(guó)、歐洲、日本提供客戶(hù)服務(wù)和設(shè)立營(yíng)銷(xiāo)辦事處，同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。此外代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營(yíng)管理一座300mm芯片廠(chǎng)。中芯國(guó)際自創(chuàng)建以來(lái)，已經(jīng)成長(zhǎng)為中國(guó)大陸規(guī)模最大、技術(shù)水準(zhǔn)最高，世界排名第四的晶片代工企業(yè)。2009年11月10日，中芯國(guó)際CEO張汝京因“個(gè)人理由”宣布辭職，公司正式進(jìn)入了“后張汝京時(shí)代”。2010年公司繼上市當(dāng)年后首次實(shí)現(xiàn)了年度盈利并且收入額創(chuàng)歷史新高，在現(xiàn)任總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)邱慈云的帶領(lǐng)下，中芯國(guó)際將著重強(qiáng)化生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)能力、客戶(hù)服務(wù)能力、技術(shù)研發(fā)能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)發(fā)展長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作客戶(hù)，走進(jìn)穩(wěn)定、發(fā)展及戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)的新紀(jì)元。

中芯何時(shí)能生產(chǎn)14nm

半導(dǎo)體市場(chǎng)分為設(shè)計(jì)和代工兩大類(lèi)。如今幾乎所有的設(shè)計(jì)公司均沒(méi)有芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，而是委托給臺(tái)積電、三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部等代工，而代工廠(chǎng)每年都需要投入巨額資金研發(fā)最新工藝，建設(shè)新的生產(chǎn)線(xiàn)。據(jù)***網(wǎng)站報(bào)道，國(guó)內(nèi)出現(xiàn)了三大半導(dǎo)體代工廠(chǎng)商，分別是中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體和華力微電子公司。這三家公司目前正在擴(kuò)大芯片制造能力。中國(guó)政府已經(jīng)制定了發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏偉目標(biāo)，2016年，芯片國(guó)產(chǎn)率只有26.2%，到2025年，國(guó)產(chǎn)率將增加到七成。這意味著國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體制造能力也要同步增加。

在半導(dǎo)體制造方面，中國(guó)大陸的公司目前處于落后。據(jù)悉，臺(tái)積電、格羅方德、臺(tái)聯(lián)電等公司在中國(guó)大陸建設(shè)了一些工廠(chǎng)，目前正在建設(shè)“12英寸晶圓”芯片廠(chǎng)（芯片廠(chǎng)加工的晶圓直徑為12英寸，晶圓面積越大，生產(chǎn)效率越高）。

據(jù)報(bào)道，由于在芯片制造技術(shù)方面暫時(shí)落后，中國(guó)大陸本土代工廠(chǎng)主要瞄準(zhǔn)了汽車(chē)電子芯片等市場(chǎng)，這種芯片并不需要最先進(jìn)的制造工藝。***電子時(shí)報(bào)研究部表示，中國(guó)大陸三家芯片代工廠(chǎng)的產(chǎn)能提升，將主要取決于國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)。在全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)，***地區(qū)的臺(tái)積電是占據(jù)了半壁江山的巨無(wú)霸企業(yè)，臺(tái)積電是蘋(píng)果公司芯片最重要的代工廠(chǎng)，而且近些年在蘋(píng)果訂單中占到的比例越來(lái)越高，對(duì)三星電子形成了巨大壓力。

在半導(dǎo)體的制造工藝中，作為線(xiàn)寬的“納米”數(shù)成為最重要的衡量指標(biāo)，線(xiàn)寬越小，單位面積整合的晶體管數(shù)量越多，處理性能越強(qiáng)大，電耗也就越低。臺(tái)積電不久前宣布，將會(huì)建設(shè)全球第一家3納米芯片制造廠(chǎng)，計(jì)劃在2020年投產(chǎn)。

據(jù)悉，臺(tái)積電和三星電子已經(jīng)采用10納米工藝生產(chǎn)芯片。中國(guó)大陸的半導(dǎo)體工廠(chǎng)，目前已經(jīng)具備多少納米的制造工藝，尚不得而知。去年業(yè)內(nèi)曾有消息稱(chēng)，中芯國(guó)際將會(huì)在2019年，采用14納米工藝生產(chǎn)芯片。

首先中芯國(guó)際是宣布自己投建一座新的12寸晶圓廠(chǎng)，未來(lái)晶圓廠(chǎng)建成后使用14nm技術(shù)代工半導(dǎo)體芯片。晶圓廠(chǎng)預(yù)計(jì)17年底建成，預(yù)計(jì)18年第一季度開(kāi)始試制流片。還記得年初中芯國(guó)際，華為，高通和比利時(shí)電子四家聯(lián)合研制14nm工藝么？這應(yīng)該就是當(dāng)初聯(lián)合隊(duì)伍的成果。其實(shí)在晶圓代工領(lǐng)域，中國(guó)大陸，***，韓國(guó)和美國(guó)都屬于不缺錢(qián)，不缺政策不缺人才的主，大陸落后只有兩個(gè)原因，一是芯片代工所需要的光刻機(jī)等相關(guān)設(shè)備受到瓦森納禁運(yùn)政策制約，先進(jìn)設(shè)備被禁止賣(mài)給中國(guó)大陸。二是掌握一代的芯片代工技術(shù)是需要這個(gè)代工廠(chǎng)通過(guò)不斷攀爬科技樹(shù)，制造芯片積累經(jīng)驗(yàn)來(lái)逐步掌握和消化的。目前中芯也只是才掌握了28nm的技術(shù)，具備了量產(chǎn)了28nm芯片的能力（高通把驍龍425交給中芯生產(chǎn)就是證明）。

以下是我的猜測(cè)：關(guān)于光刻機(jī)，目前能刻14nm的機(jī)器也應(yīng)該可以通過(guò)各種渠道收購(gòu)部件方式在大陸組裝出來(lái)淘汰的二手機(jī)器（參考中芯獲得28nm技術(shù)的過(guò)程），中芯敢放話(huà)自己能制造14nm工藝芯片，估計(jì)已經(jīng)獲得了可靠的光刻機(jī)及相關(guān)配套設(shè)備的來(lái)源。由于只了解到中芯掌握了hkmg技術(shù)，與14nm工藝高度相關(guān)的3D晶體管技術(shù)不知道中芯有沒(méi)有嘗試預(yù)研和掌握。這個(gè)該攀爬的科技樹(shù)如果沒(méi)有爬到位，對(duì)中芯掌握和消化14nm工藝將會(huì)是巨大的阻礙。最樂(lè)觀(guān)的估計(jì)18年第四季度中芯能夠流片已經(jīng)很不錯(cuò)了。

對(duì)未來(lái)中國(guó)制造芯片的展望：雖然已經(jīng)有了從芯片設(shè)計(jì)–制造–封裝–測(cè)試這一完整的產(chǎn)業(yè)鏈，中國(guó)大陸其實(shí)在芯片制造這個(gè)行業(yè)里已經(jīng)有了比較踏實(shí)的基礎(chǔ)。但由于在內(nèi)地關(guān)于半導(dǎo)體芯片制造方面，缺乏成熟和成功的“學(xué)校–企業(yè)”產(chǎn)學(xué)研一體的聯(lián)合體，導(dǎo)致在內(nèi)地?zé)o論是攀爬科技樹(shù)還是掌握先進(jìn)工藝技術(shù)都比其他幾個(gè)國(guó)家困難得多。還有，關(guān)于芯片制作最關(guān)鍵的光刻機(jī)等技術(shù)中國(guó)大陸現(xiàn)在未能（將來(lái)也很難能）掌握，相關(guān)先進(jìn)機(jī)器設(shè)備又被國(guó)際禁運(yùn)，擺在大陸芯片制造業(yè)面前還有很長(zhǎng)很長(zhǎng)很艱難的路要走。好在國(guó)家一些高等研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)開(kāi)始嘗試對(duì)關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)始研究，只要一直保持研究和突破，說(shuō)不定未來(lái)在替代一些非關(guān)鍵設(shè)備時(shí)會(huì)有機(jī)會(huì)。明年臺(tái)積電和三星10nm芯片就要投產(chǎn)了，中芯又是落后一代。沒(méi)關(guān)系，慢慢追趕吧，期待有一天兔產(chǎn)芯片白菜到能夠逼得棒子灣灣米國(guó)禿鷲們無(wú)路可走。