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HMC8038高隔離度、硅SPDT、非反射開(kāi)關(guān),0.1GHz至6.0 GHz技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-03-06 10:16 ? 次閱讀

概述

HMC8038是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)芯片,采用無(wú)引腳、表貼封裝。 該開(kāi)關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點(diǎn)。 擁有高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力,并提供針對(duì)35 dBm的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內(nèi)電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設(shè)為邏輯高電平將該開(kāi)關(guān)置于全部關(guān)斷狀態(tài),其中RFC為反射式。

HMC8038的所有器件引腳均提供ESD保護(hù),包括RF接口,并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分別提供150 ns和170 ns的快速開(kāi)關(guān)和RF建立時(shí)間性能。 該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC8038高隔離度、硅SPDT、非反射開(kāi)關(guān),0.1GHz至6.0 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

  • 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
  • 無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施
  • 汽車(chē)遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)
  • 移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電
  • 測(cè)試設(shè)備
    特性
  • 非反射式50 ?設(shè)計(jì)
  • 高隔離度: 60 dB(典型值)
  • 低插入損耗: 0.8 dB(典型值)
  • 高功率處理
    34 dBm(通過(guò)路徑)
    29 dBm(端接路徑)
  • 高線(xiàn)性度
    0.1 dB壓縮(P0.1dB): 35 dBm(典型值)
    輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3): 60 dBm(典型值)
  • ESD額定值
    4 kV人體模型(HBM),3A類(lèi)
    1.25 kV充電器模型(CDM)
  • 單正電源
    3.3 V至5 V
    1.8 V兼容控制
  • 欲了解更多特性,請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

框圖
image.png

引腳配置
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接口示意圖
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利用適當(dāng)?shù)腞F電路設(shè)計(jì)技術(shù),生成圖17所示應(yīng)用中使用的評(píng)估PCB。RF端口信號(hào)線(xiàn)必須具有50歐姆的阻抗,封裝接地引腳和背面接地片必須直接連接到接地層,如圖18所示。
image.png

輪廓尺寸
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聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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