大陸芯片自給率在25%左右，隨著國(guó)家政策推動(dòng)人才、資金加速向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中，中國(guó)國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線自2016年進(jìn)入了發(fā)展高潮期。目前，中國(guó)在建的22座晶圓廠中，有17條產(chǎn)線將于2017年年末至2018年量產(chǎn)，新增投資約六千億元人民幣以上。

本期的智能內(nèi)參，我們推薦來自光大證券的大陸晶圓代工行業(yè)報(bào)告，從當(dāng)前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移節(jié)點(diǎn)出發(fā)分析大陸晶圓代工廠商的市場(chǎng)機(jī)遇和成長(zhǎng)路徑。

以下為智能內(nèi)參整理呈現(xiàn)的干貨：

六千億投在機(jī)遇期 本土半導(dǎo)體逆襲

時(shí)間節(jié)點(diǎn)：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移

▲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷史遷移路徑

半導(dǎo)體被稱為國(guó)家工業(yè)的明珠，亦即信息產(chǎn)業(yè)的“心臟”。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起源地為美國(guó)，美國(guó)迄今仍在IDM模式（從設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試以及投向消費(fèi)市場(chǎng)一條龍全包）及垂直分工模式中的半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，而存儲(chǔ)器、晶圓代工及封測(cè)等重資產(chǎn)、附加值相對(duì)低的環(huán)節(jié)陸續(xù)外遷。

由于半導(dǎo)體屬于技術(shù)及資本高度密集型行業(yè)，只有下游終端需求換代等重大機(jī)遇來臨時(shí)，新興地區(qū)通過技術(shù)引進(jìn)、勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)才有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)超越，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈遷移。

半導(dǎo)體先后在大型計(jì)算機(jī)時(shí)代和PC時(shí)代發(fā)生兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，當(dāng)前為IoT（物聯(lián)網(wǎng)）等下一輪終端需求換代醞釀期，為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起創(chuàng)造機(jī)遇，并提供技術(shù)積累的時(shí)間窗口。

光大證券認(rèn)為，未來五年半導(dǎo)體市場(chǎng)仍將由智能手機(jī)硅含量增加主導(dǎo)，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域?yàn)楦咴鲩L(zhǎng)亮點(diǎn)。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策資金重點(diǎn)扶持下，通過技術(shù)積累、及早布局，具備能力把握潛在需求換代機(jī)遇，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地。

本土現(xiàn)狀：IC自給率提升空間大

▲國(guó)內(nèi)下游市場(chǎng)需求旺盛，IC自給率提升空間大

中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，半導(dǎo)體需求量全球占比由2000年的7%攀升至2016年的42%，成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)引擎。

然而，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與其龐大的市場(chǎng)需求并不匹配，IC仍大程度依賴于進(jìn)口。據(jù)SEMI 統(tǒng)計(jì)，2016 年本土芯片自給率僅為25%，且預(yù)計(jì)未來三年自給率仍不到 30%，國(guó)產(chǎn)IC自給率仍有相當(dāng)大的提升空間。

趨勢(shì)：政策利好 三大環(huán)節(jié)規(guī)模化

▲中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)政策目標(biāo)及支持

為避免大陸IC產(chǎn)業(yè)過度依賴進(jìn)口，中國(guó)政府已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升至國(guó)家戰(zhàn)略高度，并針對(duì)設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)各環(huán)節(jié)制定明確計(jì)劃。

國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）首期募資規(guī)模達(dá)1387.2億元人民幣，截至2017年9月已進(jìn)行55余筆投資，承諾投資額已達(dá)1003億元，且二期募資正在醞釀中。

同時(shí)由“大基金”撬動(dòng)的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（包括籌建中）達(dá)5145億元，合計(jì)基金規(guī)模達(dá)6531億元人民幣，引導(dǎo)中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)進(jìn)程加快，生產(chǎn)資源加速集中最終實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)力提升。

▲全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)龍頭廠商

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為核心產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)、制造及封裝測(cè)試）和支撐產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)服務(wù)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化/EDA工具及IP核供應(yīng)商、為制造封測(cè)環(huán)節(jié)服務(wù)的原材料及設(shè)備供應(yīng)商）。

目前，支撐產(chǎn)業(yè)鏈由歐美日本壟斷，大陸廠商與國(guó)際龍頭技術(shù)及規(guī)模差距甚大；核心產(chǎn)業(yè)鏈這塊，大陸正在逐步實(shí)現(xiàn)規(guī)模化，陸續(xù)誕生躋身全球前十的龍頭廠商。

▲大陸核心產(chǎn)業(yè)鏈逐步規(guī)模化

▲半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)大陸龍頭與全球龍頭企業(yè)平均凈利率對(duì)比

進(jìn)擊中的大陸晶圓代工

全球：市場(chǎng)增量靠先進(jìn)制程

▲2005-2021E全球純晶圓代工廠各制程市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)，最先進(jìn)制程創(chuàng)造增量空間（單位：十億美元）

當(dāng)前，全球純晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)平穩(wěn)。在智能手機(jī)市場(chǎng)增速放緩、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興終端應(yīng)用尚未放量背景下，當(dāng)前全球純晶圓代工市場(chǎng)的增量空間主要來自人工智能、加密貨幣等高性能計(jì)算應(yīng)用持續(xù)向最先進(jìn)制程遷移（當(dāng)前采用14nm及以下節(jié)點(diǎn)）。

鑒于10nm已于2H17開始逐步放量，高端 AP、加密貨幣等對(duì)10nm需求旺盛，光大證券預(yù)計(jì)2018年10nm 將繼續(xù)放量，加之7nm于2H18突破放量，產(chǎn)品遷移有望帶動(dòng)全球純晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)提速至 9%。

大陸：本地優(yōu)勢(shì)成突圍關(guān)鍵

▲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)微笑曲線

▲大基金一期各產(chǎn)業(yè)鏈的承諾投資額占比（截至2017年11月30日）

大陸已率先突破微笑曲線底部封測(cè)環(huán)節(jié)，伴隨著封測(cè)業(yè)盈利質(zhì)量提升拐點(diǎn)來臨。考慮到IC制造為當(dāng)前國(guó)家政策重點(diǎn)支持環(huán)節(jié)（在一期大基金承諾投資額占比高達(dá)63%），光大證券判斷，大陸半導(dǎo)體崛起將沿著微笑曲線由底部向兩端發(fā)展，封測(cè)之后的下一突破口便是晶圓代工。

▲2016年全球前十大純晶圓代工企業(yè)排名（***占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，大陸僅占10%市場(chǎng)份額）

晶圓制造屬于技術(shù)及資本密集型行業(yè)，其最關(guān)鍵的技術(shù)為制造流程的精細(xì)化技術(shù)，為攻克最先進(jìn)制程需巨額資本開支及研發(fā)投入。

晶圓行業(yè)寡頭競(jìng)爭(zhēng)特征愈發(fā)明顯，2016年全球前十大純晶圓代工企業(yè)聯(lián)合市場(chǎng)份額達(dá)94.2%，大陸份額較低。根據(jù)晶圓代工廠商的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，其市場(chǎng)位勢(shì)可劃分為三大陣營(yíng)，大陸晶圓代工廠仍位于二三線陣營(yíng)（28nm及以上節(jié)點(diǎn)）。

▲晶圓代工廠商的三大陣營(yíng)

當(dāng)前大陸IC設(shè)計(jì)客戶普遍制程要求相對(duì)較低，大多仍處于向28nm制程遷移的過程中，對(duì)成熟制程需求依然旺盛。

相較于臺(tái)積電等海外廠商，大陸代工廠在同等制程上可為大陸客戶提供更高的產(chǎn)能保證，配備自身最優(yōu)質(zhì)的資源，且基于自身地域優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品生產(chǎn)周期得以縮短，因此大陸客戶在技術(shù)相當(dāng)?shù)那疤嵯赂觾A向于選擇本地代工廠。

▲2017H1大陸晶圓代工銷售份額分布（本土廠商占大陸市場(chǎng)份額35%，臺(tái)積電壟斷程度有所減弱）

內(nèi)外資催生36條大陸晶圓產(chǎn)線

▲大陸內(nèi)外資晶圓廠復(fù)合增速預(yù)測(cè)

鑒于下游 IC 設(shè)計(jì)業(yè)快速成長(zhǎng)帶來晶圓代工剛需，大陸代工廠產(chǎn)能規(guī)模及本地化優(yōu)勢(shì)依舊穩(wěn)固，光大證券認(rèn)為：大陸晶圓代工廠通過把握現(xiàn)有制程市場(chǎng)仍能實(shí)現(xiàn)快速成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來三年大陸晶圓代工業(yè)復(fù)合增速在 15%以上。

▲大陸現(xiàn)有、在建及計(jì)劃中的晶圓代工廠

當(dāng)前中國(guó)大陸12寸及8寸現(xiàn)有晶圓產(chǎn)線合計(jì)36條（現(xiàn)有產(chǎn)線20條，在建及計(jì)劃16條），就純晶圓代工，內(nèi)資外資廠商在建及計(jì)劃產(chǎn)線合計(jì)8條。

光大證券預(yù)計(jì)2021年大陸8寸晶圓代工廠產(chǎn)能將達(dá)865K/m，2016-2021年間復(fù)合增速為6%，內(nèi)資及外資晶圓代工廠產(chǎn)能擴(kuò)張均較為平穩(wěn)；2021年大陸12寸晶圓代工廠產(chǎn)能將達(dá)457K/m，2016-2021年間復(fù)合增速達(dá)24%，在內(nèi)資及外資晶圓廠的共同推動(dòng)下預(yù)計(jì)將進(jìn)入快速擴(kuò)張狀態(tài)。

盡管外資在大陸IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)高增長(zhǎng)的吸引下計(jì)劃搶食大陸晶圓市場(chǎng)，但無論是產(chǎn)能還是制程的角度，外資沖擊影響有限。

從產(chǎn)能角度看，臺(tái)積電、聯(lián)電大陸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張仍面臨***法規(guī)限制其大陸晶圓廠30億美元單筆投資額限制；從制程角度看，臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電三大國(guó)際領(lǐng)先廠商在大陸布局重點(diǎn)均在 28nm 及以下制程。

大陸晶圓成長(zhǎng)路徑預(yù)測(cè)

大陸晶圓代工業(yè)仍處起步階段，技術(shù)及規(guī)模較主導(dǎo)地區(qū)***差距明顯。隨著全球摩爾定律放緩、下游國(guó)產(chǎn)終端品牌崛起、國(guó)家加速重視及資金扶持，大陸晶圓代工業(yè)已進(jìn)入關(guān)鍵成長(zhǎng)期。

龍頭：中芯2021年有望躋身前三

▲2005-2017 年臺(tái)積電、聯(lián)電與中芯國(guó)際、 華虹宏力的業(yè)績(jī)對(duì)比及動(dòng)因分析（注：四家公司 2017 年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)由2017Q1-Q4未經(jīng)審計(jì)的季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)匯總計(jì)算得到）

臺(tái)積電把握先進(jìn)制程、產(chǎn)能、人才、客戶等多維度卡位優(yōu)勢(shì)，格羅方德相比聯(lián)電在先進(jìn)制程領(lǐng)域投入更為激進(jìn)，預(yù)計(jì)二者市場(chǎng)占有率將保持第一第二。

而聯(lián)電先進(jìn)制程研發(fā)未及預(yù)期、成本結(jié)構(gòu)拖累利潤(rùn)，已選擇退出先進(jìn)制程競(jìng)賽，停留在14nm節(jié)點(diǎn)，營(yíng)收增長(zhǎng)動(dòng)力略顯不足。

與此同時(shí)，中芯14nm已進(jìn)入集中研發(fā)攻克階段，28nm技術(shù)及良率瓶頸期突破，部分產(chǎn)品向40nm及55/65nm遷移帶動(dòng)12寸成熟工藝需求回暖，差異化工藝平臺(tái)的陸續(xù)發(fā)布，再加上中國(guó)區(qū)優(yōu)勢(shì)地位，預(yù)計(jì)中芯國(guó)際未來三年復(fù)合增速達(dá)15%。

光大證券保守預(yù)計(jì)中芯國(guó)際及聯(lián)電未來六年?duì)I收復(fù)合增速分別為15%/5%，中芯國(guó)際與聯(lián)電的規(guī)模差距將持續(xù)縮減，有望于2023年趕超臺(tái)聯(lián)電。

制程結(jié)構(gòu)：節(jié)點(diǎn)滯后

▲2017年中芯、華虹與聯(lián)電、臺(tái)積電的營(yíng)收結(jié)構(gòu)對(duì)比（按技術(shù)節(jié)點(diǎn)）

臺(tái)積電制程結(jié)構(gòu)高端化明顯，主要聚焦于先進(jìn)制程市場(chǎng)，蘋果A11更是刺激了10nm制程的放量；聯(lián)電14nm有效產(chǎn)能有限，前兩大主力制程分別為40nm、28nm。

中芯國(guó)際與聯(lián)電制程結(jié)構(gòu)較相似，隨著良率逐步改善，28nm于2016年末陸續(xù)放量，2017年?duì)I收占比達(dá)8%；華虹宏力則專注于8寸晶圓代工，前兩大主力制程為≥0.35μm 及 0.11/0.13μm。

下游應(yīng)用：聚焦消費(fèi)電子

▲2015年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求占比

根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市