單片機控制的動態數據緩存器的DRAM讀／寫控制過程
讀取一字節數據的程序段如下：
讀取數據時，T1先置1，其后的RD信號將行地址送到地址線AB上，并使D。觸發器鎖存Tl，Q,變成低電平，使RAS有效（低電平），實現行選通；再置TO為l，其后的RD信號將列地址送到AB上，并產生CAS信號，使欲讀出單元的數據出現在DB上。RD失效的上升沿使CAS失效，同時，D2觸發器置1，使D1清零，RAS也失效變為高電平。經過RC延遲放電，使欲讀出單元的數據出現在DB上，D2重新清零，Q2又為高電平，恢復初始狀態D1、D2均為零。
程序最后送T0、T1低電平，封鎖RAS和CAS，防止系統中其他讀／寫器動作使DRAM產生誤動作。
寫數據過程與此類似。
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