由于單片機具有功能強,使用靈活,體積小,性價比高等特點,近年來在測控系統中得到廣泛應用。而在許多場合,單片機作為下位機,擔負著控制數據測量、采集和向上位機傳送的任務,也即起著收集、緩沖和存儲數據的作用。動態存儲器DRAM具有容量大,價格低的特點,適合于數據量比較大的單片機應用系統;但其不足之處在于,必須在規定的時間范圍內進行定時刷新。本節介紹一種單片機控制的動態數據緩存器,通過合理設計軟硬件,即可實現對DRAM的控制,特別適合性價比高的單片機系統。
控制電路
為了便于說明,給出單片機系統的部分組成電路,如圖1所示。單片機采用51系列的8031,外擴16 KB的EPROM,動態存儲器采用1 MB的微機內存,Jl為其插座及其各引腳信號。1 MB的動態存儲器行、列地址各用10位,即用10根地址線A0~A9。
DRAM的控制電路如圖2所示。其核心為一正沿觸發雙D觸發器74LS74,由8031和TO、Tl、PSEN和EN、WR信號控制其工作狀態。讀/寫數據時,TO、Tl置高電平;刷新DRAM時,TO置1,PSEN有效;當T0、T1都置0時,行、列選通關閉,禁止對DRAM讀/寫操作。
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