MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件，尤其在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別G DS極和電路連接錯(cuò)誤的問(wèn)題。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要從電路圖入手，扎實(shí)掌握 MOS 管的基礎(chǔ)知識(shí)，這一步看似基礎(chǔ)，實(shí)則是后續(xù)復(fù)雜電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。希望本文內(nèi)容能為電路設(shè)計(jì)初學(xué)者提供有益參考。

一.MOSFET的分類(lèi)

在實(shí)際應(yīng)用中，我們最常使用的是增強(qiáng)型MOSFET ，其中包括 NMOS 與PMOS。相比之下，

NMOS 的應(yīng)用場(chǎng)景更為廣泛，使用頻率遠(yuǎn)超 PMOS 。

二.MOSFET使用基本技巧

1.快速識(shí)別NMOS和PMOS

從符號(hào)識(shí)別 ：NMOS：中間箭頭指向溝道，PMOS：中間箭頭背向溝道。

2.快速識(shí)別G D S極

MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)

柵極 Gate(G)是控制MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷。

MOS符號(hào)中G極 是單獨(dú)在一側(cè)比較好識(shí)別， S極和D極不容易識(shí)別。如何記住?

參考上圖，S極：不關(guān)是NMOS ,還是PMOS，兩根線(xiàn)及以上相交的就是S極;

D極：不關(guān)是NMOS ,還是PMOS，單獨(dú)一根線(xiàn)引線(xiàn)的是D極。

下圖是常見(jiàn)實(shí)際產(chǎn)品管腳定義：

3.快速識(shí)別體二極管方向

體二極管的方向與柵源極二極管箭頭一致：比如 NMOS柵源極二極管陽(yáng)極接S極，體二極管陽(yáng)極也接S。PMOS 柵源極二極管陰極接S極，體二極管陰極也接S 。

以后即使遇到?jīng)]有帶體二極管的MOS符號(hào)，我們也可以腦補(bǔ)出來(lái)體二極管的方向。

比如下圖。了解體二極管的方向，就會(huì)知道被控電流的流向。

4.快速判斷被控電流方向

MOS管在應(yīng)用中是電流單向可控，即利用柵極G 控制電流的單向流動(dòng)。被控電流的流向與體二極管方向相反，只有這樣才可以控制。

5.NMOS和PMOS的控制電壓

宏觀(guān)看：NMOS 當(dāng)VGS > 0 開(kāi)通 ，當(dāng)VGS ≤ 0 關(guān)斷 ;

PMOS 當(dāng)VGS<0 開(kāi)通 ，當(dāng)VGS ≥0 關(guān)斷。

具體VGS 大于多少電壓開(kāi)通，關(guān)注具體MOS管型號(hào)參數(shù)規(guī)格書(shū)。

6.NMOS和PMOS的應(yīng)用位置及方向

NMOS一般做下管，PMOS做上管，方便控制。做下管接GND,做上管接VCC,下圖打?qū)μ?hào)的是MOS管正確位置。

MOS管我們?cè)陔娐分羞B線(xiàn)的時(shí)候，S極和D極容易接反，不管是NMOS還是PMOS, 記住S極的位置接電源側(cè)。也就是NMOS做下管時(shí)，S極接電源側(cè)的GND， PMOS做上管時(shí)，S極接電源側(cè)的VCC。也可以記住下圖兩個(gè)打?qū)μ?hào)的連接方式。

7.常用MOS管封裝 電壓 電流 內(nèi)阻

MOS管封裝、電壓、電流、內(nèi)阻，這是MOS管的主要參數(shù)。在規(guī)格書(shū)的第一頁(yè)會(huì)給出明確說(shuō)明。根據(jù)這些參數(shù)我們可以粗略確定是否滿(mǎn)足使用。

以上是雷卯EMC 小哥對(duì)MOSFET 的使用技巧分享，或許您有更好的方法，歡迎分享，一起學(xué)習(xí)。

三.上海雷卯多種封裝參數(shù)MOSFET

上海雷卯有多種封裝、電壓、電流、內(nèi)阻NMOS和PMOS，有可以用于小信號(hào)控制的也有可以用于大功率負(fù)載驅(qū)動(dòng)。如有需求請(qǐng)?jiān)L問(wèn)上海雷卯官方網(wǎng)站或聯(lián)系EMC小哥和銷(xiāo)售人員。

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