UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅動各種應用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更穩健的版本。
UCC28C5x-Q1 系列具有新的 UVLO 閾值,可實現可靠的 SiC MOSFET作 (UCC28C56-59-Q1),此外,它還具有用于持續支持 Si MOSFET 的現有 UVLO 閾值 (UCC28C50-55-Q1)。
*附件:用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCC28C5x-Q1 汽車級低功率電流模式高性能 PWM 控制器數據表 .pdf
VDD 絕對最大額定電壓從 20 V 擴展到 30 V,以最佳方式驅動 20 Vgs、18 Vgs 或 15 Vgs SiC MOSFET 的柵極,同時還允許排除外部 LDO。
特性
- 欠壓鎖定選項,支持 Si 和 SiC MOSFET 應用
- 30V VDD 絕對最大電壓
- 最大 1 MHz 固定頻率
- 50μA 啟動電流,最大 75μA
- 低工作電流:f 時為 1.3 mA
OSC= 52 赫茲 - 高工作 T
J:最高 150°C - 快速 35ns 逐周期過流限制
- ±1A 峰值驅動電流
- 軌到軌輸出:
- 25ns 上升時間
- 20 ns 下降時間
- 精度為 ±1% 的 2.5V 誤差放大器基準
- 引腳對引腳兼容,可直接替代 UCC28C4x-Q1
- 功能安全
- 提供有助于功能安全系統設計的文檔
- 符合 AEC-Q100 標準,結果如下
- 器件溫度等級 1:-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分類 2 級:±2 kV
- 器件 CDM 分類等級 C4B:750 V
參數
1. 產品概述
- ?產品系列?:UCC28C5x-Q1
- ?應用領域?:
- ?產品特性?:
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 應用
- 汽車級低功率電流模式高性能 PWM 控制器
- UVLO 選項支持 SiC MOSFET 可靠運行
2. 主要特性
- ?電氣特性?:
- VDD 絕對最大電壓:30 V
- 最大固定頻率操作:1 MHz
- 啟動電流:50 μA,最大 75 μA
- 低工作電流:1.3 mA(在 fOSC = 52 kHz 時)
- 高工作結溫:最大 150 ℃
- 快速 35 ns 逐周期過流限制
- ±1 A 峰值驅動電流
- ?保護功能?:
- 欠壓鎖定(UVLO)
- 過流限制
- ?封裝與兼容性?:
- 提供多種封裝選項
- 與 BiCMOS UCC28C4x-Q1 系列針腳兼容
3. 電氣規格
- ?絕對最大額定值?:
- ?推薦工作條件?:
- VDD 輸入電壓:28 V
- 輸出驅動器電壓 VOUT:28 V
- 平均輸出驅動器電流 IOUT:200 mA
- 操作結溫 TJ:-40 °C 至 150 °C
4. 功能特性
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:提供六組 UVLO 閾值,支持不同應用場景。
- ?內部參考電壓?:5 V 參考電壓,初始準確度為 ±1%。
- ?電流檢測和過流保護?:通過外部電流感應電阻實現,具有快速響應的過流限制功能。
- ?振蕩器?:設計有修整后的放電電流,可準確編程最大占空比和死區時間。
- ?軟啟動?:通過緩慢增加有效占空比來逐漸啟動轉換器,避免啟動時的電流沖擊。
- ?斜坡補償?:在占空比超過 50% 時提供穩定性,確保系統穩定運行。
- ?電壓模式控制?:支持電壓模式控制,可通過外部電路實現。
5. 應用與實施
- ?典型應用?:提供了高電壓反激轉換器的典型應用電路。
- ?設計步驟?:包括輸入電容選擇、變壓器設計、輸出電容選擇、電流感應網絡設計、柵極驅動網絡設計等。
- ?布局指南?:強調了布局中對噪聲敏感元件的放置、旁路電容的放置、反饋跡線的布局等關鍵要點。
6. 支持與文檔
7. 注意事項
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