文章來源:慧智微電子
原文作者:彭
本文介紹了功率放大器損壞的原因及其保護手段。
PA(Power Amplifier,功率放大器)通信系統(tǒng)的重要組成模塊,負責將射頻信號的放大與功率輸出。PA的性能及可靠性對整個發(fā)射系統(tǒng)有重要的影響。
在手機通信系統(tǒng)中,PA的輸出信號約為29~32dBm (約1,000mW)的大功率,對比Transceiver芯片0dBm (1mW)左右的功率輸出 ,PA輸出功率大1000倍。同時,為了達到相應的射頻功率輸出,PA一般需要消耗約1,900-4,000mW的直流功耗。
圖1:典型手機通信系統(tǒng)鏈路
高功率、高功耗的應用也對PA可靠性提出挑戰(zhàn)。在系統(tǒng)應用中,”燒PA“是工程師討論中的熱點話題。
為什么會燒PA
手機PA芯片中的半導體器件
PA設計常用的半導體工藝為GaAs HBT、GaAs pHEMT、SOI CMOS、Bulk CMOS(體硅CMOS)。其中,GaAs HBT因為其功率密度大,成本低(相較于GaAs pHEMT),成為射頻功率放大器功率輸出級的首選工藝。
HBT器件有三個極限參數(shù),分別為:
集電極最大允許電流Icmax
集電極最大允許熱耗散功率
集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓BVCEO
在實際工作中,需要保證器件的最大工作電路、耗散功率、最大電壓,在額定范圍內(nèi)。
PA的電壓/電流擺幅
對于射頻PA的HBT器件,輸出晶體管的集電極有最大電壓及電流擺幅。此點電壓與電流之間的擺幅隨時間變化,為了更好的表征電壓與電流之間的關系,通常用Loadline(負載線)的方式,將電壓與電流畫在同一幅圖中,如圖2所示。
晶體管的負載線反映了在不同的負載下,晶體管電壓與電流間的相互關系,一般畫在DC-IV曲線上。在負載線中:
1. 負載線的斜率反映了負載阻抗的大小。
2. 實際電路中,由于負載虛部的存在,會形成電壓/電流相位差,可能使得負載線表現(xiàn)為中空的環(huán)形。
3. 直流工作點的選擇(電壓及電流),對負載線的擺幅有影響。
圖2:一款PA的典型的動態(tài)負載線
在PA工作中,由于高電源電壓、高VSWR的存在,會讓PA輸出電壓、電流擺幅增大。圖3為一個典型的功率放大器,分別是在3.2V及5V偏置電壓下,50Ω及VSWR=10:1下的動態(tài)負載線 [2]。可以看到,在大電壓及VSWR下,PA將需要承受更大的電壓及電流擺幅。當電壓及電流擺幅超過器件的耐受值時,就會造成器件燒毀。
圖3:不同電壓及VSWR下,PA動態(tài)負載線的變化
如何保護PA不被燒毀
設計保障
PA需要合理設計,確保滿足Ruggedness需求。
電流設計保障
需要合理設計器件的尺寸,確保在各個條件下,器件所通過的最大電流,小于器件的最大耐受電流。
在對通流的設計中,需要著重注意的是,PA末級并聯(lián)了多個晶體管器件,需要保證電流均分在整個器件中,而不是所有電流集中于某一個器件,將器件燒毀。由于HBT器件開啟電壓隨溫度升高而降低,過大的電流會降低開啟電壓,同時使電流進一步增大,直到器件燒毀。
這種效應叫做Thermal Run-away,是電流燒毀中一種常見形式。為了防止Thermal Run-way的發(fā)生,需要在晶體管的Base端或者Emitter端加入Ballast電阻。Ballast電阻的存在,使得電流變大的過程中,Vbe電壓會減小,防止電流的進一步增大[3]。
圖4:PA的熱分布不均(左),及Ballast電阻的設計
電壓設計保障
對于電壓防護,一般采用在末級晶體管Collector并聯(lián)放置二極管串的方式進行穩(wěn)壓,使得輸出擺幅穩(wěn)定在二極管串的開啟電壓。
在電壓防護電路設計中需要注意,一定要保證防護電路放置位置的對稱性,確保所有器件的電壓擺幅得到保護。
Ruggedness測試
由于PA可靠性難以靠仿真來準確設計,PA設計完成后,必須通過完整的Ruggedness測試,來確保PA的可靠性。
完整的Ruggedness測試環(huán)境如下圖所示。Ruggedness測試需要涵蓋以下測試條件:
圖5:Ruggedness測試環(huán)境
以上測試項需要交叉組合,確保任意條件下,PA均不會有Ruggedness問題。
由于半導體器件的最大擊穿電壓BVCEO隨溫度降低而降低,PA增益隨溫度降低而升高,一般Ruggedness最惡劣的點發(fā)生在低溫。所以,一般低溫下,最大輸入功率、最高電壓、最大VSWR下,為Ruggedness最差條件。
應用保障
雖然合格的PA在出廠前,進行了完整的Ruggedness測試,但在應用中仍然需要對應用環(huán)境加以注意,確保Ruggedness在應用中得到保障。應用中需要的主要保障如下:
適當控制電源電壓
由圖3所示,PA在低電壓應用時,有較小的電壓及電流擺幅,PA的Ruggedness將得到較好的保障。所以在應用中,適當控制電壓電壓,盡可能使用較低的電源電壓,有助于提升器件的Ruggedness。
適當控制輸出功率
大功率輸出時,PA輸出將有更大的電壓電流擺幅。在應用允許范圍內(nèi),適應控制輸出功率,將有助于Ruggedness提升。
注意電源完整性及信號時序
手機是一個相當復雜的系統(tǒng),涉及到多個模塊之間的聯(lián)動。在應用中,需要著重注意電源完整性(是否有過高的電壓脈沖)、偏置控制信號的時序、輸入信號的大小及時序,來確保PA是被工作在正常的狀態(tài)。
結 語
PA Ruggedness設計是一個復雜工程,與器件物理、電路設計、系統(tǒng)應用均相關。在PA設計中,一定要對Ruggedness仔細設計,才可以確保手機在各種環(huán)境應用中,均不會出現(xiàn)“燒片”。
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原文標題:如何才能不燒射頻PA?
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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