11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項擬投資50億元的高科技芯片項目，有望突破我國第三代半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵材料和制作技術(shù)方面的瓶頸，形成自主制造能力。

聚力成半導(dǎo)體項目占地500畝，擬投資50億元，將在大足打造集氮化鎵外延片制造、晶圓制造、芯片設(shè)計、封裝、測試、產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。項目建成達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上，解決就業(yè)崗位2500個。此外，該企業(yè)還在大足建設(shè)中國區(qū)總部、科研及高管配套項目等。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺為代表，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵和磷化銦為代表。近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點。因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，第三代半導(dǎo)體材料已成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。

目前，全球擁有氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈的僅有德國、日本、美國等國少數(shù)幾家企業(yè)。我國在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)方面起步并不算晚，但因為在關(guān)鍵材料和關(guān)鍵制作技術(shù)方面沒有取得較好的突破，國內(nèi)一直沒有形成自己的制造能力。

聚力成公司在大足建設(shè)的基地，是其在中國大陸的第一個生產(chǎn)、研發(fā)基地，將有望打破上述局面。該項目建成后，可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達(dá)、機器人等行業(yè)的電力控制系統(tǒng)和通訊系統(tǒng)的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導(dǎo)體和高射頻半導(dǎo)部件。

該項目前期由市臺辦搭橋引薦，得到了市經(jīng)信委、市商務(wù)委、臺商協(xié)會等部門的大力助推，經(jīng)雙方多輪磋商及長達(dá)數(shù)月的調(diào)研、專家論證，企業(yè)引入中國國際金融有限公司作為資方，于今年9月與大足區(qū)成功簽約。目前，該項目運營公司聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司核心成員已陸續(xù)入駐。

自簽約以來，大足區(qū)與企業(yè)雙方精誠合作，僅用65天就實現(xiàn)開工。聚力成半導(dǎo)體基地的建設(shè)，將對大足乃至重慶實施以大數(shù)據(jù)智能化為引領(lǐng)的創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略行動計劃，加快布局電子信息、集成電路等新興產(chǎn)業(yè)，具有重要示范引領(lǐng)作用。