不少公司的采購(gòu)會(huì)發(fā)現(xiàn)，拿到工程師提供的BOM中的器件去采購(gòu)物料時(shí)，經(jīng)常供應(yīng)商還會(huì)問(wèn)得更仔細(xì)，否則就不知道供給你哪種物料，嚴(yán)重時(shí)，采購(gòu)回來(lái)的物料用不了。為什么會(huì)有這種情況呢？問(wèn)題就在于，很多經(jīng)驗(yàn)不夠的工程師，沒(méi)有把器件型號(hào)寫(xiě)完整。下面舉例來(lái)說(shuō)明，完整的器件型號(hào)是怎么樣的。

完整的器件型號(hào)，一般都是包括主體型號(hào)、前綴、后綴等組成。一般工程師只關(guān)心前綴和主體型號(hào)，而會(huì)忽略后綴，甚至少數(shù)工程師連前綴都會(huì)忽略。當(dāng)然，并不是所有器件一定有前綴和后綴，但是，只要這個(gè)器件有前綴和后綴，就不可以忽略。

器件前綴一般是代表器件比較大的系列，比如邏輯IC中的74LS系列代表低功耗肖特基邏輯IC，74ASL系列代表先進(jìn)的低功耗肖特基邏輯IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如，2N5551三極管和MMBT5551三極管兩者封裝不同，一個(gè)是插件的(TO-92)，一個(gè)是貼片的(SOT-23)。如果BOM上只寫(xiě)5551三極管，那肯定不知道是哪個(gè)。

忽略前綴的現(xiàn)象一般稍少一點(diǎn)，但是忽略后綴的情況就比較多了。一般來(lái)說(shuō)，后綴有以下這些用處：

1、 區(qū)分細(xì)節(jié)性能

比如，拿MAXIM公司的復(fù)位芯片MAX706來(lái)說(shuō)，同樣是706，但是有幾種閥值電壓，比如MAX706S的閥值電壓為2.93V，MAX706T的閥值電壓為3.08V，這里的后綴“S”和“T”就代表不同的閥值電壓。

2、區(qū)分器件等級(jí)和工作溫度

比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431，TL431C代表器件的工作溫度是0度至70度（民用級(jí)），TL431I代表器件的工作溫度是-40度至85度（工業(yè)級(jí)），其中后綴“C”和“I”就代表不同的工作溫度。

3、 區(qū)分器件封裝形式

比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封裝，TL431CD代表的是SOIC封裝，其中后綴“P”和“D”代表的就是不同封裝（“C”代表溫度，在上面已經(jīng)解釋）。

4、區(qū)分訂貨包裝方式

比如，TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431 CD，如果要求是按盤(pán)裝（2500PCS/盤(pán)）的采購(gòu)，那么必須按TL431 CDR的型號(hào)下單，這里的后綴“R”代表的就是盤(pán)裝。否則，按TL431 CD下單，買回來(lái)的可能是管裝(75PCS/管)的物料。

5、區(qū)分有鉛和無(wú)鉛

比如，ON公司的比較器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封裝），如果要用無(wú)鉛型號(hào)，必須按LM393DG下單，這里的后綴“G”就表示無(wú)鉛型號(hào)，沒(méi)這個(gè)后綴就是有鉛型號(hào)。

后綴可能還有其他特殊的用處，總之，后綴的信息不能省略，否則買回來(lái)的可能就不是你想要的物料。

不同的公司的前綴和后綴可能是不同的（也有少數(shù)公司的一些前綴后綴一致），這需要參考實(shí)際選用廠家的具體情況。

各國(guó)半導(dǎo)體元器件型號(hào)的命名方法

一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分的意義分別如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。

表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。

P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、

G-高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、

A-高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、

Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、

BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)

第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。

二、日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。

通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。

0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、

1-二極管、

2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、

3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、

┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。

S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。

A-PNP型高頻管、

B-PNP型低頻管、

C-NPN型高頻管、

D-NPN型低頻管、

F-P控制極可控硅、

G-N控制極可控硅、

H-N基極單結(jié)晶體管、

J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，如 2SJ—-

K-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，如 2SK—-

M-雙向可控硅。

第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。

兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；

不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

第五部分：用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。

A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

三、美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。

美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。

JAN-軍級(jí)、

JANTX-特軍級(jí)、

JANTXV-超特軍級(jí)、

JANS-宇航級(jí)、

無(wú)—非軍用品。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。

第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。

N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。

第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。

多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如：

JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管

JAN-軍級(jí)、

2-三極管、

N-EIA注冊(cè)標(biāo)志、

3251-EIA登記順序號(hào)、

A-2N3251A檔。

四、國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。

這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化鎵、

D-器件使用材料的Eg <0.6eV如銻化銦、

E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。

A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、

B-變?nèi)荻O管、

C-低頻小功率三極管、

D-低頻大功率三極管、

E-隧道二極管、

F-高頻小功率三極管、

G-復(fù)合器件及其他器件、

H-磁敏二極管、

K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、

L-高頻大功率三極管、

M-封閉磁路中的霍爾元件、

P-光敏器件、

Q-發(fā)光器件、

R-小功率晶閘管、

S-小功率開(kāi)關(guān)管、

T-大功率晶閘管、

U-大功率開(kāi)關(guān)管、

X-倍增二極管、

Y-整流二極管、

Z-穩(wěn)壓二極管。

第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。

三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、 一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。

第四部分：用字母對(duì)同一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。

A、B、C、D、E、、、表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。

除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見(jiàn)后綴如下：

1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%； 其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值； 后綴的第三部分是字母V，代小數(shù)點(diǎn)， 字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，

通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法：

第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件。

第二部分：A-二極管、C-三極管、 AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。

第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。

第四部分：A、B、C、、、表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。