最近，美光科技推出的業界首款 64 層 3D NAND 企業級 SSD可能會引發您的好奇：“為什么 64 層 3D NAND 具有如此重大的意義？”——人們可能很難意識到存儲技術的改變會對日常生活有什么影響，今天的文章就將帶您了解美光科技 NAND 技術的最新進展如何幫助滿足人們不斷增長的存儲需求。

64 層 3D NAND 的問世意味著單個存儲芯片可以提供 64GB 存儲容量。對于拍攝自拍照的人來說，這能意味著在社交媒體上發布的 9000 多張照片；對家庭而言，則可能意味著記錄美好回憶的 10 小時高清視頻；或者是我們日常播放的15000 多首歌曲。

作為一種革命性的存儲技術，3D NAND 能將 64GB 的存儲空間置于比指甲還小的封裝芯片內。回想2000 年推出的首款基于 NAND 的 USB 盤的計量密度是以兆字節 (MB) 為單位，在不到 20 年的時間里，業界已經見證了技術的巨大進步，如今的 USB 閃存盤以 TB 計量，而不是 MB，就會發覺到這是一個令人驚訝的進步。多年來，業界通過縮小每代電路的寬度（以納米計量，1 納米 = 十億分之一米）來提高存儲密度并降低每 GB 的存儲成本。在認識到不斷縮小的光刻技術的擴展局限性之后，行業領導者們需要一種新的方法來增加每個設備的密度，同時降低每 GB 的相對成本。如同通過建造摩天大樓使得單位面積內容納更多人口，行業領導者將這一實踐應用于NAND技術領域，通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。

此外，為了繼續改進 NAND 設計，美光科技在 3D NAND 產品中引入了邏輯或邊緣架構設計的新方法。美光科技已將通常被稱為“陣列下 CMOS”的技術添加到其3D NAND 中，它已成為實現當今市場上最高的每平方毫米 GB 密度和效率的一項關鍵因素。就像對于大城市居民出行至關重要的地鐵系統一樣，美光科技利用存儲陣列下的空間縮小了每個硅片存儲更多數據所需的總物理尺寸。

最后但同樣重要的是，對于各種 NAND 設備始終需要衡量的一個關鍵性能指標是編程吞吐量（以 MB/秒為計量單位）。為了改善這方面的表現，美光科技正在開發四面 NAND 架構 (quad plane NAND architecture)，使主機能夠對設備進行高效地編程，提高數據吞吐量。如果將 NAND 設備比作洗

車場，位面數量相當于可供車輛進出的清洗艙數量，那么美光科技在這些 NAND 設計中增加更多位面就等于增加了清洗艙。無論是在洗車場中增加清洗艙或是在 NAND 中增加更多位面，都是增加吞吐量的合理方法，即增加通過洗車設備的車輛數量或增加通過NAND 的數據量。

隨著個人、專業、移動和數據中心等應用的存儲需求不斷增長，技術無疑將在未來繼續發展以滿足市場需求。美光科技將繼續尋找創新方法來增加 NAND 的存儲容量，提升每個設備的性能，并引入可擴展 NAND 有效實施的功能。盡管如此，思考已經取得了哪些成就，當前的技術還有哪些用武之地，以及是哪些進步為每一次發展奠定了基礎仍然具有深遠意義。