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三星和格芯力拱,F(xiàn)D-SOI和FinFET將扮演著彼此互補的角色

Xpeedic ? 來源:未知 ? 作者:伍文輝 ? 2018-05-06 10:43 ? 次閱讀

芯禾科技EDA軟件、集成無源器件IPD和系統(tǒng)級封裝SiP領域的領先供貨商。公司致力于為半導體芯片設計公司和系統(tǒng)廠商提供差異化的軟件產(chǎn)品和芯片小型化解決方案,包括高速數(shù)字設計、IC封裝設計、射頻模擬混合信號設計等。這些產(chǎn)品和方案在智能手機物聯(lián)網(wǎng)人工智能、可穿戴設備等領域得到廣泛應用。

晶圓代工廠格芯(Globalfoundries;GF)日前宣布其22納米(nm)全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星(Samsung)則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。

這些最新資料顯露出一個可喜的跡象是,F(xiàn)D-SOI最終獲得了作為低成本、低功耗鰭式場效電晶體(FinFET)制程替代方案的動能。而在SOI聯(lián)盟(SOI Consortium)近日于美國加州舉行的年度活動中,來自***的IP供應商——晶心科技(Andes Technology)宣布,今年7月將推出可執(zhí)行于Linux的32位元RISC- V核心。

VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson對此表示,半導體產(chǎn)業(yè)如今看好FD-SOI和FinFET將扮演著彼此互補的角色。

然而,Hutcheson說:「人們?nèi)匀徽J為FD-SOI的生態(tài)系統(tǒng)薄弱,還需要更多的IP、更全面的設計流程,而且這是一種你必須十分清楚自己在做什么的技術。」他指的是采用基底偏壓(body baising)技術控制功率的能力

意法半導體(STMicroelectronics)、Verisilicon和新創(chuàng)公司Evaderis宣布在Globalfoundries的德國Dresden廠采用其22nm制造芯片后,Globalfoundries先前也宣布新創(chuàng)公司Arbe Robotics將使用其22nm FDX制程節(jié)點打造汽車雷達芯片。有意思的是,在這幾家采用其22nm制程的客戶中,就有6家公司都打算制造加密貨幣芯片。

Globalfoundries目前正在其于中國成都的Fab 11廠進行第一階段的無塵室裝機作業(yè),并計劃在今年年底前推出180/130nm制程。第二階段工作將在一年后導入其22nm FDX制程。一家中國晶圓供應商表示,成都政府為了將FD-SOI帶進該區(qū)而投資了數(shù)十億美元。

Globalfoundries RF部門主管Bami Bastani說:「我們正在打造中國最大的晶圓廠之一,更令人驚嘆的是許多事物在中國的進展速度。」

同時,三星正為恩智浦(NXP)量產(chǎn)采用其28nm FDS制程的i.MX RT處理器,據(jù)稱該公司擁有最廣泛的FD-SOI應用策略。

三星表示,其28nm FDS目前擁有成熟的產(chǎn)出以及不斷擴展的客戶基礎(來源:Samsung)

恩智浦計劃采用三星的嵌入式MRAM,目前也已經(jīng)準備好用于28nm節(jié)點。它還將在不同的芯片上導入一些基底偏壓技術。

恩智浦i.MX應用處理器產(chǎn)品系列副總裁Ron Martino表示:「如果你不投資基底偏壓技術,就無法取得市場主導地位。」

三星晶圓代工部門副總裁洪浩(Hong Hao)表示,針對28nm FDS制程,三星目前已推出了成熟的產(chǎn)品,而且有越來越多客戶準備采用。他列舉其中包括DDR2-4、USB 2-3、PCIe Gen 2-4、Gigibit乙太網(wǎng)路、SATA Gen3以及MIPI M和D-PHY介面等逾12種經(jīng)驗證的IP區(qū)塊(Block)清單。

這家韓國巨擘還提供了基底偏壓設計指南,目前符合車規(guī)標準的第1級(Grade 1)車用方案已經(jīng)到位,預計在今年年中之前就會推出Grade 2方案。

三星計劃明年稍晚量產(chǎn)18nm FDS,采用去年9月推出的早期設計套件,以使其性能提高24%、功耗降低38%,面積也縮減35%。而其競爭對手Globalfoundries的目標是在2020年下半年于其Dresden晶圓廠推出12nm FDX節(jié)點。

晶心準備推出Linux版RISC-V核心

去年12月,***IP供應商晶心科技(Andes technology)宣布其技術轉(zhuǎn)向新興的RISC-V架構。晶心科技總經(jīng)理林志明在SOI聯(lián)盟年會上發(fā)表專題演說時宣布,該公司將在今年7月推出基于RISC-V的Linux版N25核心。

晶心已經(jīng)與一家企業(yè)固態(tài)硬碟(SSD)供應商簽約,在快閃記憶體控制器中采用其現(xiàn)有的N25核心執(zhí)行RTOS。此外,還有一家設計服務公司也與其簽約使用32位元核心,而其64位元衍生產(chǎn)品計劃也在開發(fā)中。

許多RISC-V工程師長久以來都希望能有一款可啟動Linux的芯片。新創(chuàng)公司SiFive才剛開始出樣采用這種自家芯片版本的開發(fā)板。

晶心科技并希望透過其Copilot工具為其產(chǎn)品實現(xiàn)差異化,協(xié)助使用者在其設計中添加自定義說明。該公司最近還與兩家準備采用其Linux核心的設計服務公司簽約。

迄今為止,晶心科技的財務表現(xiàn)并不起眼,但對于SoC設計影響顯著。2017年,晶心科技的營收僅有900萬美元,但該公司表示,在專利核心授權方面,去年就賣出了5.9億美元,至今也已經(jīng)累積銷售25億美元了。

而在制程方面,林志明看好FD-SOI的光罩成本較FinFET制程更低30%,而且還具有低功耗和支援RF的優(yōu)點。他指出晶心科技在2015年為Globalfoundries 22nm FDX設計了一款測試芯片,在模擬時的表現(xiàn)更優(yōu)于28nm ULP制程節(jié)點。

該IP供應商目前正與業(yè)界伙伴展開第一筆FD-SOI設計合作,但據(jù)稱該客戶尚未簽署。

Sony則在FD-SOI道路上走得最遠。2015年,Sony在ST量產(chǎn)了一款以28nm FD-SOI制造的GPS芯片,并用于多款智慧手表設計中,如今則更進一步在該公司的Xperia耳塞設計中整合更多后續(xù)功能。

Sony半導體(Sony Semiconductor)物聯(lián)網(wǎng)部門總經(jīng)理Kenichi Nakano表示,第一款FD-SOI芯片就讓原有的設計功耗從6.3mW降至1.5mW。該公司并計劃在今年稍晚推出CatM和NB-IoT蜂巢式的芯片版本,目前已經(jīng)在開發(fā)針對2019年的設計。

SOI晶圓供應商Soitec執(zhí)行長表示,該公司在三年前一度面臨破產(chǎn)的窘境。如今,Soitec正加速在新加坡建立新廠房,并計劃今年出貨多達60萬片300毫米(mm)晶圓,以及更多用于智慧型手機RF前端和其他設計的200mm晶圓。

晶心科技將于今年7月發(fā)布其Linux版32位元N25 RISC-V核心。

芯禾應用

芯禾科技為射頻芯片設計和生產(chǎn)提供了一個集成在cadence Virtuoso平臺上的工具集,內(nèi)嵌基于矩量法的三維全波電磁場仿真器,全面考慮導體趨膚效應、臨近效應以及介質(zhì)損耗等,

IRIS軟件,是一款為射頻芯片設計量身定做的、基于Cadence Virtuoso平臺的三維全波電磁場仿真軟件。

iModeler軟件,作為一款無源器件PDK的抽取工具,內(nèi)嵌多種無源器件參數(shù)化模型,包含電容、電感和變壓器等基本元件,成為溝通IC設計公司、晶圓廠和EDA公司的橋梁。

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原文標題:三星和格芯力拱,F(xiàn)D-SOI工藝邁向新階段

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