什么是RRAM?

百度百科給出的解釋是：RRAM是一種“根據施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻態和低阻態間發生相應變化，從而開啟或阻斷電流流動通道，并利用這種性質儲存各種信息的內存”。簡單來說RRAM是一種新型電腦存儲器，它基于一種新的半導體材料，依賴于溫度和電壓來存儲數據。

RRAM通過允許或者拒絕電子流過，相應地代表數字“0”或者“1”。RRAM可以完成傳統的硅材料無法完成的工作，例如：分層時位于新型三維（high-rise）芯片的晶體管的頂部。它是智能手機和其他移動電子設備的理想材料，因為節能對于這些產品來說很重要。

RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數據處理延遲，同時延長未來移動設備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。但是RRAM材料需要多少溫度才會導致開關目前還是未知因素。

由于沒有辦法測量由電力產生的熱量，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。通過監測電子何時開始流過RRAM材料，團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度，并驚喜地發現其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠低于此前估計的1160°F（626.7℃）。因此，未來的RRAM器件將需要更少的電力來產生這些溫度，使得它們更節能。

光明的未來

存儲器在我國有巨大的市場需求，在我國集成電路市場產品中，存儲器占近1/4的份額，而且近幾年我國半導體產業近幾年保持良好發展態勢，已占據全球市場的1/3。過去一年RRAM價格飛漲，并且市場對未來幾年銷售預期十分樂觀，吸引了各大廠商的眼球。

RRAM之所以能獲得市場的青睞，很大一部分原因在于它具有速度快、可靠性高、非揮發、多值存儲和高密度的特性，這些存儲特性能滿足現在新興應用領域的需求。在Flash和DRAM速度差距大，導致“存儲墻”和“功耗墻”等問題產生，而且信息存儲于計算分離，成為大數據處理實時性瓶頸的情況下，RRAM無疑是廠商們的最好選擇。

不能忽略的缺陷

我們在看到RRAM巨大優勢的同時，也不能忽略RRAM存在的一些問題，它面臨著機理不清、漲落大、可靠性不足、工藝集成問題和模擬阻變特性優化等問題。在RRAM可靠性與表征的研究中同樣存在著挑戰：如在RRAM器件中，需要考慮瞬態測量、循環次數測試、微觀原位表征;另外在RRAM陣列中存在著自動測試方法和讀取速度的困擾。

RRAM技術商業化

近日，美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業Reliance Memory，以實現電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業化。

作為國內Nor Flash的領頭羊，兆易創新這兩年在存儲方面的投入巨大，他們一直在推進和合肥的項目合作，這次和Rambus的合作，或許是可以看成其布局未來的一個籌碼。

Rambus公司創建于1990年三月，創始人是畢業于伊利諾斯大學的Mike Farmwald博士和畢業于斯坦福大學的Mark Horowitz博士。公司也是起步于一家不起眼的微電子公司，和業界的無數普通小公司一樣，經歷了一路艱辛，99％的這種小公司不是瀕臨倒閉就是被大公司兼并，Rambus公司也不例外，沒有人會想到它能掀起驚濤駭浪。

但接下來的幾十年中，他們通過大力投入研發，積累了2500項專利。該公司在2015年開始重組，自那之后該公司將業務擴展至晶片設計以外領域，授權公司出售自己的品牌及由供應商生產的授權芯片。

在過去二十年， Rambus憑借其DDR、SDRAM技術在芯片行業占據壟斷地位，但之后，這些技術都陸續與其它公司達成授權，且這些技術也隨科技進步而被遺忘。10年前由于英特爾(Intel)錯失行動通訊的時機，Rambus的技術也隨之被邊緣化。

近期，Rambus將技術拓展至數據中心(data center)和移動設備(mobile)所使用芯片，更貼近利基市場。同時，也強化電子安全(cyber security)部門。Rambus企圖在data center研究領域占有一席之地。兆易創新這次和他的合作，或許能為他們的未來帶來無限可能。