韓國三星為了多元化營收來源，這兩年晶圓代工業(yè)務為重點發(fā)展項目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”，F(xiàn)inFET制程惹上了麻煩。根據(jù)韓國媒體報導，上周三星被美國法院判決，侵犯自家韓國科學技術院（KAIST）的專利，需賠償4億美元。但三星對此表示不服，將再提出上訴。

報導指出，三星與KAIST在FinFET制程的爭議已久。KAIST在本次訴訟表示，當時還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho，2001年向三星展示過FinFET技術，但三星起初對FinFET制程并不在意，直到后來看到英特爾FinFET量產(chǎn)之后，三星也加快FinFET制程開發(fā)。三星就使用了Lee Jong-ho教授的FinFET制程為基礎，改進本身的FinFET制程，2011年推出跟Lee Jong-ho教授研發(fā)的FinFET制程相近的FinFET制程技術。

就因為這樣，KAIST跟三星結下了梁子。2016年，KAIST在美國德州知識產(chǎn)權局控告三星，宣稱三星FinFET制程侵犯了他們的專利權。三星回應表示，他們是跟KAIST合作開發(fā)FinFET制程，并質(zhì)疑KAIST的FinFET專利有效性。不過，陪審團沒有聽三星的理由，最終在上周判決三星侵犯KAIST的FinFET專利權成立，需賠償KAIST約4億美元。

對審判結果，美國德州知識產(chǎn)權局陪審團認為，三星侵權是故意的，4億美元的賠償還不是最后結果，未來甚至有可能被判最重罰款12億美元。三星方面則對判決表示不服，指出將考慮所有可能的選項，以在未來上訴后獲得合理的判決。此外，這起侵權案還涉及高通與格羅方德，他們也被判侵權成立。不過，法院方面并沒有要求他們賠償任何損失。