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“909”工程締造中國第一條8英寸集成電路生產線

0BFC_eet_china ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-17 08:54 ? 次閱讀

中國發(fā)展集成電路產業(yè)幾十年來,高端的PC和手機用的CPUFPGA、高端的ADC以及操作系統(tǒng)等,仍然需要使用國外廠商的技術或產品,但也有很多元器件,甚至是較為高端的元器件,例如功率器件、電源管理 IC、存儲器、顯示屏、觸控屏、LED驅動芯片等,都已經可以實現(xiàn)完全的自主設計研發(fā)、國內企業(yè)制造封裝測試供貨。舉個例子,曾經為國外廠商所壟斷的身份證或通信SIM卡的加密存儲芯片,已有很多被冠上了“中國姓”。而金融IC卡芯片的國產化進程也已加速展開,這些都與國計民生息息相關。

電子工程專輯每年都會舉行中國IC設計調查與中國IC成就獎的評選與頒獎,以了解和鼓勵國內的芯片設計和制造企業(yè)的創(chuàng)新。調研結果顯示,從IC的研發(fā)設計、到晶圓制造和封裝測試,中國國內已經逐步建立起了自己的芯片上下游產業(yè)鏈,近年來在EDA和IP上,也有自主企業(yè)取得了一些市場份額。當然,還是需要指出的是,在很多高精尖的芯片設計與制造上,還是存在著被國外企業(yè)占據市場絕對份額的局面。這與中國國內企業(yè)取得巨大的進步和成績并不矛盾。半導體就是一個全球范圍的分工合作的游戲,沒有國家可以獨占全部,加上中國國內蓬勃發(fā)展的整機系統(tǒng)制造業(yè),中國芯片公司一定會有機會做得更好。

芯片制造為例,一直到上世紀90年代,我國集成電路產業(yè)嚴重滯后,集成電路生產在技術上落后于國際先進水平整整三代以上。

“909”工程締造中國第一條8英寸集成電路生產線

作為原電子工業(yè)部與上海市政府“部市合作”的國家“909”工程載體,上海華虹(集團)有限公司1996年誕生。當時,華虹突破各種技術壁壘,建成了我國第一條8英寸超大規(guī)模集成電路生產線。1999年,“909”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產線正式投片,自此,中國才有了深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產線。而且,投產當年便實現(xiàn)盈利,這在國內沒有先例,在國際上也屬于罕見。

華虹是“909”工程的主體承擔單位,它首先作為我國現(xiàn)代半導體產業(yè)的開創(chuàng)者推動了我國先進半導體產業(yè)環(huán)境和上下游產業(yè)鏈生態(tài)系統(tǒng)的建立,同時它也實現(xiàn)了很多從無到有的突破。比如我國設計制造的第一張手機SIM卡、第一張交通卡、第一張身份證芯片卡等等,這些都是老百姓非常熟悉的產品。

華虹集團旗下華虹宏力目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產線(華虹一、二、三廠),月產能約17萬片,其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業(yè)界極具競爭力,并擁有多年成功量產汽車電子芯片的經驗。此外一個更大的目標正在實現(xiàn)中。華虹宏力和國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司、無錫錫虹聯(lián)芯投資有限公司等在無錫高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)內,合資設立了華虹半導體(無錫)有限公司(華虹七廠),一期投資25億美元,建設一條月產能4萬片的12英寸集成電路生產線,支持5G物聯(lián)網等新興領域的應用。

華虹宏力創(chuàng)造的價值

回首過去20余年,從無到有,從0到1的奮斗歷程,華虹宏力走得艱難卻也扎實。作為中國人自己的集成電路生產企業(yè),華虹宏力所取得的成就,從技術層面講,主要有:

1、 建立了國際先進的嵌入式存儲器芯片產品線。早在21世紀初,原華虹NEC通過引進消化吸收再創(chuàng)新,攻堅克難,掌握了嵌入式閃存芯片制造的關鍵技術,推出首顆國產SIM卡,打破了海外廠商的壟斷,實現(xiàn)了國產化替代,產生了巨大的經濟社會效益。

2、建成了我國最先進的功率器件和電源管理芯片產品生產線。該線屬國際先進水平,降低了國內整機系統(tǒng)產品的成本,提升了產品競爭力,目前需求火爆。這條生產線對于國內眾多功率器件和電源管理的IC設計公司自主研發(fā)的芯片實現(xiàn)量產銷售,起了非常重要的作用。

值得一提的是,在01和02等國家科技重大專項支持下,華虹宏力完成了8英寸特色工藝全面布局,形成了多項重大科技成果,累計申請發(fā)明專利約5800件,授權超過3000件,甚至躋身2016年全國企業(yè)發(fā)明專利授權量前十位。在國際競爭中,華虹宏力的8英寸制造流程比對手更優(yōu),工序更少,品質可靠。

華虹宏力的成功使我國集成電路大生產技術進入了國際主流領域,以事實證明中國大陸具備了超大規(guī)模集成電路產業(yè)生存與發(fā)展的良好環(huán)境,推進了我國集成電路產業(yè)投資環(huán)境的改善。同時也為國家培養(yǎng)了一支高水平的技術和管理隊伍。最重要的是,本土芯片制造業(yè)的繁榮,直接帶動與支持了中國IC設計業(yè)的發(fā)展,推動了產業(yè)鏈上下游的合作與共同進步。

華虹宏力的當家工藝

1、嵌入式存儲器技術

華虹宏力的嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺之一,公司通過持續(xù)在該技術領域的深耕發(fā)展,已成為智能卡IC 生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC 代工者。從0.35 微米、0.18 微米、0.11微米,到現(xiàn)在的90 納米,一路走來,他們始終保持著業(yè)界領先地位,以穩(wěn)定可靠的工藝為全球客戶提供了優(yōu)質產品,受到廣泛認可。隨著華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目啟動,該技術有望進一步延伸至65/55納米。

華虹宏力研發(fā)的 90 納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,是國內最先進的8英寸晶圓嵌入式存儲器技術,可為智能卡芯片、安全芯片產品以及 MCU 等多元化產品提供極具性價比的芯片制造技術解決方案。該平臺可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上,提供了極小面積的低功耗 Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫,與 0.11 微米 eFlash 工藝相比,門密度提升 30%以上。

華虹宏力還針對8位微控制器市場,推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器(95納米5V SG eNVM)工藝平臺。該平臺具低功耗、高性價比等顯著優(yōu)勢,現(xiàn)已成功量產,產品性能優(yōu)異。

2、功率器件

華虹宏力功率器件平臺累計出貨量突破 570 萬片8英寸晶圓。公司致力于為客戶提供更高端的分立器件技術解決方案,并已推出第三代深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)工藝平臺,其保持了前幾代工藝流程緊湊的特點,而且還開發(fā)出了溝槽柵的新型結構,相比前兩代的平面柵結構,可以更有效地降低結電阻,且進一步縮小了元胞面積。導通電阻與第二代工藝相比,更是下降了30%以上,以600V器件為例,單位面積導通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2,技術參數達業(yè)界一流水平,可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。

IGBT被譽為“功率半導體皇冠”,華虹宏力是全球首家提供場截止型(FS, Field Stop)IGBT量產技術的8英寸晶圓代工企業(yè)。憑借不斷的研發(fā)創(chuàng)新,公司與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝,成功解決了IGBT的關鍵工藝問題,包括硅片翹曲及背面工藝能力等,更是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè),包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火,背面金屬。目前,公司還正全力研發(fā)新能源車用技術。

3、射頻技術

移動互聯(lián)網和無線通訊技術蓬勃發(fā)展,射頻芯片在智能終端和消費類電子產品中的應用也愈發(fā)廣泛。射頻SOI工藝非常適合用于智能手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬件所需的射頻前端芯片。華虹宏力也推出了0.2微米射頻SOI工藝設計套件(PDK)。該設計套件有助于客戶提高設計流程的效率及輸出優(yōu)質的射頻組件,從而減少設計改版及縮短產品推出市場的時間。0.13微米射頻SOI的研發(fā)正在穩(wěn)步推進中,有望今年面市,以應對智能手機出貨量的持續(xù)增長及未來5G蜂窩通信的發(fā)展及應用。

此外,華虹宏力還可提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案,包括射頻CMOS,高阻硅IPD(集成無源器件)以及配備射頻 PDK的嵌入式閃存工藝平臺。

4、電源管理IC

華虹宏力可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術涵蓋1微米到0.13微米,電壓范圍覆蓋1.8V 到700V,性能卓越、質量可靠,可廣泛應用于PMIC、快速充電(Fast Charge)、手機/平板電腦PMU以及智能電表等產品領域。

華虹宏力還是中國出貨量最大的LED驅動IC晶圓代工企業(yè),其超高壓700V BCD技術迎合了節(jié)能環(huán)保熱點,所支持的高壓小電流LED 照明驅動應用市場發(fā)展前景十分廣闊。基于700V LDMOS工藝的開關型LED驅動所用的超高壓結型場效應晶體管(JFET)也已成功開發(fā)。更具性價比優(yōu)勢的700VBCD第二代產品也已經通過客戶的評估并進入風險量產階段,不久后將正式面市;Highside驅動600V BCD技術也在開發(fā)中,并已經成功通過客戶端的電機驅動領域的測試評估;0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功實現(xiàn)單芯片產品Tapeout,其DMOS的導通電阻處于業(yè)界領先水平,1P2M 18層光罩使得平臺極具成本競爭力。此外,華虹宏力的CZ6模擬系列平臺,在業(yè)內有著廣泛知名度,更是以穩(wěn)定可靠的質量而著稱。

編者小結

集成電路技術確是“國之重器”,尤其是近期,芯片產業(yè)獲得了空前的關注度。在市場、資本和政策三方合力下,近些年來我國集成電路產業(yè)在前進的征程中不斷實現(xiàn)質的飛躍,雖然某些領域與國外的差距仍然較大,但我們不應簡單否定中國自主集成電路企業(yè)所取得的成就。期待中國企業(yè)踏踏實實自主研發(fā),在發(fā)展中逐漸積累、持續(xù)成長,與全世界先進企業(yè)合作互惠共贏。相信隨著中國在這方面不斷加大投入,以及中國芯片產業(yè)知識產權意識的不斷加強,中國半導體產業(yè)的明天將更光明更燦爛。

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原文標題:這家企業(yè)見證了中國芯自主制造的歷史……

文章出處:【微信號:eet-china,微信公眾號:電子工程專輯】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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