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電源意外關(guān)閉時MCU能否繼續(xù)完成相應(yīng)操作

MCU開發(fā)加油站 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-05-19 09:14 ? 次閱讀

對于主電源掉電后需要繼續(xù)工作一段時間來用于數(shù)據(jù)保存或者發(fā)出報警的產(chǎn)品,我們往往都能夠看見產(chǎn)品PCB板上有大電容甚至是超級電容器的身影。大容量的電容雖然能延時系統(tǒng)掉電,使得系統(tǒng)在電源意外關(guān)閉時MCU能繼續(xù)完成相應(yīng)操作,而如果此時重新上電,卻經(jīng)常遇到系統(tǒng)無法啟動的問題。那么這到底是怎么回事呢?遇到這種情況又該如何處理呢?

一、上電失敗問題分析

1. 上電緩慢引起的啟動失敗

對于需要進(jìn)行掉電保存或者掉電報警功能的產(chǎn)品,利用大容量電容緩慢放電的特性來實(shí)現(xiàn)這一功能往往是很多工程師的選擇,以便系統(tǒng)在外部電源掉電的情況下,依靠電容的儲能來維持系統(tǒng)需要的重要數(shù)據(jù)保存及安全關(guān)閉的時間。此外,在不需要掉電保存數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中,為了防止電源紋波、電源干擾及負(fù)載變比引起供電電壓的波動,在電源輸出端也需要并接一個適當(dāng)?shù)臑V波電容。

電路中增加電容,雖然使系統(tǒng)在某些方面能滿足設(shè)計(jì)要求,但是由于電容的存在,系統(tǒng)的上電時間也會相應(yīng)的延長,下電時由于電容放電緩慢,下電時間也會更長。而上下電時間的延長,對于MCU來說,往往會帶來意外的致命缺點(diǎn)。

比如某系列的MCU,就經(jīng)常能遇到客戶反饋說系統(tǒng)在掉電后重新上電,系統(tǒng)啟動失敗的問題,一開始工程師以為是軟件的問題,花費(fèi)了很大的時間和精力來找BUG,問題仍然沒有很好的得到解決。后來查翻手冊發(fā)現(xiàn),發(fā)現(xiàn)該系列的MCU對于上電時間是有一定要求的(其實(shí)幾乎所有品牌的MCU都有上下電時序要求)。

圖1:上電要求

從圖1我們可以看出,芯片輸入電源從200mV以下為起點(diǎn)上升到VDD的時間tr,手冊要求是最長不能超過500ms。而電路中的大電容乃至超級電容,顯然會大大拉長這個上電時間,對于沒有詳細(xì)選擇參數(shù)的電源設(shè)計(jì)來說,這個時間甚至可能會遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于500ms。這樣的話就不能很好地滿足芯片的上電時間要求,從而導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動,或者器件內(nèi)部上電時序混亂而引起器件閂鎖的問題。

所以電源的上電緩慢對于MCU處理器來說,有時也是一個“頭痛”問題,那么如何有效的解決上電緩慢這個問題呢?先別急,我們再來說說系統(tǒng)下電緩慢帶來的問題。而且下電緩慢引起的問題,比上電時間過長的問題更普遍。

2. 下電緩慢引起的啟動失敗

其實(shí)上面提到的上電圖中,還有一個至關(guān)重要的參數(shù),那就是圖中的twait。我們可以從圖中看到twait的最小數(shù)值為12μs。這個參數(shù)的含義就是說,在上電之前,芯片的輸入電源需保持在200mV以下至少12μs的時間。這個參數(shù)就要求我們的電路在掉電后,如果需要對系統(tǒng)重新上電的話,必須讓芯片的輸入電源電壓至少有12μs的時間是在200mV以下。換個角度表述就是:在下電后,必須讓MCU的供電電壓降到200mV以下才能再次上電(12μs很短,幾乎可以忽略),系統(tǒng)才能可靠運(yùn)行。

由于電路中存在大電容,系統(tǒng)負(fù)載又小,導(dǎo)致電路下電緩慢,當(dāng)我們再次上電時,芯片電源電壓此時可能還沒有降到200mV 以下,如下圖2所示:

圖2:緩慢掉電再上電示意圖

由于電路中存在較大的電容,在系統(tǒng)掉電后,系統(tǒng)負(fù)載不能很快的泄放能量時,就會出現(xiàn)MCU等數(shù)字器件掉電緩慢的情況。此時重新上電的話,由于不符合上文提到的降到200mV以下 12μs以上的要求,芯片內(nèi)部就沒有及時“歸零”。對MCU等數(shù)字器件來說,這是一種不確定的狀態(tài),此時再對系統(tǒng)進(jìn)行重新上電的操作,就容易造成MCU邏輯混亂,從而出現(xiàn)器件閂鎖,系統(tǒng)不能啟動的情況。

掉電緩慢也會導(dǎo)致MCU等數(shù)字器件內(nèi)部掉電時序的混亂,特別是對于需要多路電源的MCU處理器,它們對于上電時序和掉電時序有更高的要求,內(nèi)部時序的混亂會引起器件閂鎖,系統(tǒng)無法啟動。這也是為什么很多產(chǎn)品重啟時,系統(tǒng)往往無法啟動。

因此我們可以看出,系統(tǒng)上電或下電緩慢都有可能會造成MCU無法啟動或者啟動異常的情況,那么如何對緩慢的上電放電過程進(jìn)行干預(yù),提升上電斜率,縮短掉電時間呢?

二、解決方案推薦

當(dāng)遇到系統(tǒng)啟動失敗的問題時,請先使用示波器檢查器件的供電引腳是不是存在上電緩慢,掉電緩慢,不徹底的情況。當(dāng)遇到該情況時,可以選擇在電路中搭配使用廣州周立功單片機(jī)科技有限公司研發(fā)的小體積、低內(nèi)阻的電源調(diào)理模塊:QOD-ADJ。

該模塊可以保證在系統(tǒng)上電時,當(dāng)電壓達(dá)到額定電壓的約70%-75%左右才開啟輸出,此后輸出跟隨輸入,相當(dāng)于給系統(tǒng)一個極快上電的電源。下電時,該模塊可以對電容殘存電壓自動放電,可以在極短的時間內(nèi)到達(dá)100mV以下,從而解決短時間內(nèi)再次上電時系統(tǒng)處于鎖死狀態(tài)的問題。正所謂是上電下電兩不誤!使系統(tǒng)上下電都能穩(wěn)定可靠。

圖3:QOD-ADJ模塊

QOD-ADJ具有以下功能:

  • 在系統(tǒng)電源開啟時的快速上電,提升上電斜率;

  • 電源關(guān)斷時使容性負(fù)載快速放電到近0V的狀態(tài);

  • 可外部控制的單通道負(fù)載開關(guān)

  • 使用簡單方便,串入需要控制的電路中即可。

三、產(chǎn)品使用示例

使用下圖4所示電路進(jìn)行對我們的產(chǎn)品進(jìn)行測試:

圖4:測試電路圖

當(dāng)VIN=5V,Cin=2.5F(超級電容),CL=100μF,RL=10Ω時的上電曲線和掉電曲線如圖5圖6輸入端2.5F超級電容及負(fù)載10Ω下電曲線所示。

圖5:輸入端2.5F超級電容及負(fù)載10Ω上電曲線

圖6:輸入端2.5F超級電容及負(fù)載10Ω下電曲線

1. 顯著縮短上電時間

由上面兩圖可以清楚的看出因?yàn)橛谐夒娙莸拇嬖冢琕IN的上電曲線(藍(lán)色曲線)爬升緩慢,而經(jīng)過模塊之后(Vout紅色曲線)顯著縮短了上電時間,使后級電路能在短時間內(nèi)達(dá)到一種確定的狀態(tài)。

2. 顯著加快掉電速度

由圖可以看出在系統(tǒng)掉電時,由于有超級電容的存在,模塊前端(藍(lán)色曲線)掉電速度,異常緩慢,經(jīng)過模塊之后(紅色曲線)能顯著加快放電速度,使得后級電路在極短的時間內(nèi)到達(dá)一種確定的狀態(tài)。

系統(tǒng)中的器件對于電源的上下電有嚴(yán)格的要求,在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)當(dāng)中,要關(guān)注核心器件的上下電要求,包括上下電的時序,斜率等,不合理的設(shè)計(jì)往往會引起系統(tǒng)上電無法啟動等異常情況。


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原文標(biāo)題:如何處理由電源引起的MCU啟動失敗?

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