國際格局初定，市場廣闊可期

產(chǎn)業(yè)格局基本形成

電力電子領(lǐng)域

第三代半導體電力電子器件已初步具備產(chǎn)業(yè)化應用條件。目前全球有超過30家公司在電力電子領(lǐng)域擁有對SiC、GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)、設計、制造與銷售能力，但市場上能夠批量穩(wěn)定提供SiC、GaN產(chǎn)品的不超過1/3。

目前，全球第三代半導體電力電子產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。

美國在SiC領(lǐng)域全球獨大，擁有Cree、II--VI、道康寧等具有很強競爭力的企業(yè)，并且占有全球SiC 70-80%的產(chǎn)量。

歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件、應用產(chǎn)業(yè)鏈，擁有英飛凌、意法半導體、Sicrystal、Ascatronl、IBS、ABB等優(yōu)秀半導體制造商，在全球電力電子市場擁有強大話語權(quán)。

日本是設備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)先者，主要產(chǎn)商有羅姆、三菱電機、富士電機、松下、東芝、日立等。

GaN電力電子方面：

美國擁有較為完整產(chǎn)業(yè)鏈，在外延、器件及應用環(huán)節(jié)有Transform、EPC、GaN system、Powerex等企業(yè)。

歐盟在該領(lǐng)域的2家企業(yè)Azzurro、EpiGaN主要集中在外延環(huán)節(jié)。亞洲企業(yè)在材料環(huán)節(jié)占優(yōu)。

日本信越、富士電機和***漢磊等在襯底和外延表現(xiàn)突出。

微波射頻領(lǐng)域

在射頻微波領(lǐng)域，目前全球約有超過30家企業(yè)已經(jīng)從事GaN的研發(fā)生產(chǎn)，其中10家左右已經(jīng)實現(xiàn)了GaN的量產(chǎn)化和商業(yè)化。

2016年，有5家企業(yè)進入該領(lǐng)域，且基本為中國企業(yè)，有2家退出，主要是Cree和NXP因出售相關(guān)業(yè)務退出了。

美國、歐洲、日本等在軍事雷達和無線基站通信方面走在世界前列。

美國在GaN射頻領(lǐng)域擁有Macom、Qorvo、Raytheon、Microsemi、Anadigics等全球領(lǐng)先企業(yè)。

歐洲擁有IQE、Ampleon、UMS、NXP等知名企業(yè)，在GaN應用于5G通信方面的研發(fā)成果較多，技術(shù)創(chuàng)新能力強。

日本在GaN射頻領(lǐng)域的研發(fā)和應用，多數(shù)以民用通信為主，軍事通信探測為輔。

光電領(lǐng)域

在半導體照明領(lǐng)域，全球LED知名企業(yè)包括美國Cree、荷蘭Philip、德國Osram、日本Nichia、韓國三星、中國***地區(qū)晶元光電、中國三安光電、木林森等著名企業(yè)。

截至目前日亞化學在LED芯片方面的銷售仍穩(wěn)居全球第一，德國Osram、Philip Lumileds、韓國三星等在封裝方面領(lǐng)先全球，中國大陸木林森也在2014-2015 年全球LED封裝營收排名中進入前十。

在激光器方面，Nichia、Osram走在了國際前列。日本的住友電工、日立電纜等企業(yè)在襯底材料方面具有較深的技術(shù)儲備；而美國的Kyma公司、法國的Lumilog公司也相續(xù)實現(xiàn)了2英寸GaN襯底的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。

在探測器方面，美國通用電氣（GE）公司于2008年已經(jīng)發(fā)布了具有日盲特性，單光子探測效率可達到9.4%，而暗計數(shù)僅為2.5kHz的SAM結(jié)構(gòu)4H-SiC APD。

國際上還有韓國的Genicom公司和日本的Kyosemi公司可以批量供應GaN紫外探測器，其中Genicom公司已經(jīng)推出了多款GaN紫外探測器的模塊化應用產(chǎn)品。

市場前景廣闊可期

電力電力領(lǐng)域

SiC、GaN的電力電子器件市場在2016年正式形成。初步估計，2016年SiC電力電子市場規(guī)模在2.1億-2.4億美元之間，而GaN電力電子市場規(guī)模約在2000萬-3000萬美元之間，兩者合計達2.3億-2.7億美元。而據(jù)IC insights數(shù)據(jù)，2016年全球功率半導體銷售金額約124億美元，意味著第三代半導體功率器件2016年的市場占有率已經(jīng)達到2 %左右。

SiC、GaN在功率電子市場的前景看好。據(jù)Yole最新報告數(shù)據(jù)顯示，2021年全球SiC市場規(guī)模將上漲到5.5億美元，2016-2021年的復合年增長率（CAGR）將達到19%。

而Yole同時預測，GaN功率器件在未來五年（2016-2021年）復合年增率將達到86%，市場將在2021年達到3億美元。

當然，SiC、GaN替代Si產(chǎn)品仍然為時甚早。據(jù)Lux研究公司數(shù)據(jù)，預計至2024年，第三代半導體功率電子的滲透率將達到13%，而Si產(chǎn)品仍將占據(jù)剩下的87%的市場份額。

微波射頻領(lǐng)域

據(jù)Yole預測，2016-2020年GaN射頻器件市場將擴大至目前的2倍，市場復合年增長率（CAGR）將達到4%；2020年末，市場規(guī)模將擴大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中國LTE（4G）網(wǎng)絡的大規(guī)模應用，帶來無線基礎(chǔ)設施市場的大幅增長，有力地刺激了GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)。2015年末，整個GaN射頻市場規(guī)模接近3億美元。

2017-2018年，在無線基礎(chǔ)設施及國防應用市場需求增長的推動下，GaN市場會進一步放大，但增速會較2015年有所放緩。

2019-2020年，5G網(wǎng)絡的實施將接棒推動GaN市場增長。未來10年，GaN市場將有望超過30億美元。

光電領(lǐng)域

隨著技術(shù)進步，半導體照明的應用領(lǐng)域不斷拓寬，市場規(guī)模不斷增長。據(jù)美國產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)Strategies Unlimited 2016年發(fā)布的報告顯示，2015年，LED器件營收約147億美元，預計2016年約152億美元；2020年超過180億美元。LED器件照明應用仍是主流應用，約占30%以上，并穩(wěn)步增長；LED在汽車以及農(nóng)業(yè)等應用逐年擴大。

近年來，LED照明產(chǎn)品的市場滲透率快速增長，特別是在新增銷售量的滲透率有較快增長，但在已安裝市場上，由于基數(shù)龐大，LED目前的（在用量）市場滲透率仍不高。

IHS數(shù)據(jù)顯示，2015年全球LED燈安裝數(shù)量在整體照明產(chǎn)品在用量中的滲透率僅為6%，預計2022年將接近40%，LED全球照明市場仍具較大增長潛力。

我國鏈條基本形成，產(chǎn)業(yè)初步啟動

2016年，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值達到5216億元，較2015年同比增長22.8%；電力電子和微波射頻產(chǎn)業(yè)處于起步階段。

與國際領(lǐng)先水平相比，我國在第三代半導體襯底、外延材料、器件的整體技術(shù)水平落后3年左右；在第三代半導體光電子領(lǐng)域，LED技術(shù)水平已接近國際先進水平；在第三代半導體微電子應用方面，日、美、歐在地鐵機車、新能源汽車、白色家電、光伏逆變器、雷達等領(lǐng)域開展了規(guī)模應用，而我國只在光伏逆變器、PFC電源、UPS、軍用雷達等領(lǐng)域有小規(guī)模應用。

產(chǎn)業(yè)鏈條初具雛形

初步形成較完整創(chuàng)新研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化體系。我國開展第三代半導體材料相關(guān)研究的國家重點實驗室、國家工程中心、國家工程實驗室20余家，各類國家級產(chǎn)業(yè)化基地、試點城市超過50家。上、中、下游及設計、配套等各環(huán)節(jié)均開始出現(xiàn)一些優(yōu)秀廠商，初步形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。

SiC材料體系方面，襯底環(huán)節(jié)有天科合達、河北同光、山東天岳等已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，外延環(huán)節(jié)有東莞天域、瀚天天成、正在投資進入，器件環(huán)節(jié)有泰科天潤等。同時，揚州揚杰電子、世紀金光、中電55所、13所、國家電網(wǎng)、株洲南車等均在SiC電力電子全產(chǎn)業(yè)鏈體系進行了布局。

GaN材料體系方面，外延環(huán)節(jié)主要有蘇州晶湛、江西晶能、東莞中鎵等。GaN電力電子器件方面，蘇州能訊、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導體均已進入布局。GaN射頻電子方面，***臺積電和穩(wěn)懋是目前國內(nèi)企業(yè)代工的主要平臺，三安光電、蘇州能訊已經(jīng)布局，而中電13所、55所、29所（海特高新）已經(jīng)在軍用領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢。

GaN光電子方面，國內(nèi)半導體照明相關(guān)企業(yè)超過30000家，其中上游三安光電、華燦光電、德豪潤達規(guī)模均超過10億，中游木林森、國星光電、瑞豐光電、鴻利智匯等在照明之外積極布局紅外、紫外、車用等細分領(lǐng)域，下游照明領(lǐng)域，飛樂、雷士、歐普、陽光等照明企業(yè)完成LED轉(zhuǎn)型，成為行業(yè)龍頭。

市場先于產(chǎn)業(yè)開啟

2016年是我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“元年”。據(jù)初步統(tǒng)計，2016年我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的整體規(guī)模約為5228億元，其中電力電子產(chǎn)值規(guī)模7200萬元，微波射頻產(chǎn)值規(guī)模10.9億元，光電（主要為半導體照明）產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過5200億元。

電力電子市場規(guī)模超過1億元

2016年，第三代半導體器件在消費類電子、工業(yè)電機、太陽能光伏、風力發(fā)電、新能源汽車、大數(shù)據(jù)中心等應用領(lǐng)域開始滲透。2016年，我國第三代半導體電力電子器件的市場規(guī)模約為1.6億元，目前市場90%為進口產(chǎn)品所占有。

據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，2015年我國半導體分立器件規(guī)模以上企業(yè)的銷售額超過900億元/年，國內(nèi)第三代半導體電力電子的滲透率不到0.5%。國內(nèi)目前最大的應用領(lǐng)域在開關(guān)電源和不間斷電源，而滲透最快的是光伏應用領(lǐng)域。

微波射頻市場空間廣闊

我國GaN器件在微波射頻領(lǐng)域的應用正在快速成熟，特別是民用市場即將起量。全球移動通信基站射頻功率器件的市場規(guī)模約10億美元，我國僅中興、華為、大唐等企業(yè)的總需求就在3億-4億美元。2016年，我國第三代半導體微波射頻電子市場規(guī)模約為9.43億元，其中國防軍事和航天應用是主要應用領(lǐng)域。而民用領(lǐng)域，華為、中興等通信設備商均早已開始針對GaN在無線通訊設備中應用進行布局，但目前國內(nèi)市場上GaN射頻功率器件產(chǎn)品基本為歐、美、日大廠所出，國內(nèi)研究雖已展開，但目前尚無成熟產(chǎn)品應用，我國自產(chǎn)的具有良好性能和穩(wěn)定量產(chǎn)供貨能力的GaN產(chǎn)品迫在眉睫。

半導體照明突破5000億

我國第三代半導體材料成功產(chǎn)業(yè)化的第一個突破口是光電子領(lǐng)域的半導體照明產(chǎn)業(yè)。目前，我國已成為全球最大的半導體照明產(chǎn)品生產(chǎn)和出口地。2016年，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值首次突破5000億元，達到5216億元，其中上游外延芯片規(guī)模約182億元，中游封裝規(guī)模達到748億元，下游應用規(guī)模4286億元。以LED為主營業(yè)務上市公司增長到28家，營收持續(xù)增長。國內(nèi)企業(yè)頻繁參與國際整合并購案，國際競爭力進一步提升。

基地建設開始啟動

2016年，以“北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地”（以下簡稱“北京基地）正式動工和第三代半導體南方基地落戶廣東事件為標志，我國第三代半導體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。

北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地

北京市擁有全國第三代半導體領(lǐng)域一半以上的科技資源、主要應用領(lǐng)域企業(yè)總部，以及專業(yè)的產(chǎn)業(yè)服務機構(gòu)和首都創(chuàng)新大聯(lián)盟等眾多的產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟，具有發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)最豐富的資源優(yōu)勢。

自2012年起，北京市科委就已開始第三代半導體材料及應用的研發(fā)布局，并于2015年聯(lián)合順義區(qū)政府及國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同簽署了《北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設戰(zhàn)略合作協(xié)議》，探索了由社會資本與政府共同參與的高科技產(chǎn)業(yè)基地建設模式，旨在全球范圍內(nèi)整合資源，形成第三代半導體重大關(guān)鍵技術(shù)的供給源頭，區(qū)域產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展的創(chuàng)新高地，成果轉(zhuǎn)化與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的眾創(chuàng)平臺，面向全球開放協(xié)同的創(chuàng)新網(wǎng)絡。

基地一期占地47畝，并于2016年7月開工，預計2017年項目竣工，并吸引企業(yè)入駐，重點打造集研發(fā)中試平臺、產(chǎn)業(yè)服務平臺、產(chǎn)業(yè)基金和園區(qū)建設四位一體的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。

廣東第三代半導體南方基地

第三代半導體南方基地由廣東省科技廳、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、東莞市政府及相關(guān)企業(yè)共同建設。

以“平臺公司+研究院+產(chǎn)業(yè)園區(qū)+產(chǎn)業(yè)基金”四位一體模式建設構(gòu)成的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)創(chuàng)新體。南方基地建設可以極大地發(fā)揮產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，以應用為牽引，促進創(chuàng)新和應用的同步快速發(fā)展。

除北京、廣東基地以外，江蘇、浙江、廈門、江西等地在政府多年持續(xù)推動下，繼續(xù)保持先發(fā)優(yōu)勢，逐步開始成為國內(nèi)具有較為完整產(chǎn)業(yè)鏈的第三代半導體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)。