周宏偉：我的報告分為五個部分，首先是功率器件簡介，其次是功率器件的市場，再次是功率器件的技術發(fā)展趨勢，接著是中國功率器件發(fā)展現(xiàn)狀，最后是龍騰半導體功率器件簡介。

一、功率器件簡介

功率半導體是集成電路一個非常重要的組成部分，市場空間有400多億美元，從大方面講有200多億美元是功率IC，還有100多億是功率器件。手機充電器，手機當中都會有功率器件。功率器件主要的部分，體量比較大的是IGBT。把IGBT、VDMOS做好，就是一個很好的硬件廠商。IGBT模塊是雙子器件，它的特點是頻率低一點，但是能量密度稍微大一點。所以像在新能源汽車，軌道交通應用得更廣泛。它的重要性不言而喻，前一段發(fā)生中興事件，我們在功能器件行業(yè)也刷屏了一個事情，通信系統(tǒng)如果中興不賣了會是災難，但如果在功率器件國外禁運的話，是一個更加災難性的后果。比如高鐵、電網(wǎng)，這個后果更為嚴重。至于它的重要性，我借用兩個人說的話給大家聽一下。一個是國際能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長邱宇峰說的，已經(jīng)知道電網(wǎng)將從鋼鐵網(wǎng)變成半導體電網(wǎng)，這是一個方面，半導體電網(wǎng)的核心的部件就是IGBT。另外一個重要的應用領域是軌道交通，我們說高鐵是中國高端制造的名片，但是它的核心部分就是IGBT模塊，類似于手機當中的CPU。還有一個更重要的領域，我們國家強推的新能源汽車，新能源汽車功率器件占整個成本的7%到10%，要到1000美元。

正是因為功率器件在高端行業(yè)有核心的應用，像國家電網(wǎng)本來是做電網(wǎng)的，現(xiàn)在自己也整了個公司做功率器件，做IGBT。中車也是，自己干脆建了一條線，自己做IGBT。實際上功率器件是兩個部分，一個是VDMOS，一個是IGBT。抓住這兩個細分領域，中國的元器件就做好了。

二、功率器件的市場

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計報告當中，市場空間有60億美元，這里面大部分是40v以下的設備。從市場份額來看，我們關心的是汽車電子，不管是增長率和市場份額，都是最大的。其次是計算機和存儲，它的市場份額特別大。但是因為PC的發(fā)展比較慢，所以它的增長率比較小。另外是網(wǎng)絡通訊，雖然現(xiàn)在來看市場份額不大，但是增長率很快，基本上和汽車電子一樣。大家知道在通訊行業(yè)我們國家還可以，比如華為和中興在通訊行業(yè)是第一位和第四位，所以伴隨著整機器件的發(fā)展，國內應該有很好的發(fā)展。

在2016年的統(tǒng)計報告當中，關于功率器件市場份額和一些重要的參與者，實際上0到40V體量是最大的。因為只要是手持器件，像數(shù)碼相機、手機這些東西用量非常大，它的市場份額非常高。下面是40V到100V，這個為什么高呢？是因為做到了汽車，汽車電源是12V，很多是60到100V之間。大于400V這一部分統(tǒng)稱為高壓器件。誰是重要的參與者呢？從第一到十的排名，基本上沒有中國廠商?？陀^來說，數(shù)到十五，中國廠商也很難排進去。第一名是很老牌的廠商，之前他的份額沒那么多，三年前他收購了一個重要的廠商。第二位是On Semi，所以整個來看，細分市場里面，歐美日把持了大部分廠家。

從VDMOS再細分一下，就是汽車電子，這個市場在2018年是14億美金，增長比例每年逐漸增加的。前十位里面依然沒有中國廠家。另外一個市場份額比較大的領域，是計算和存儲市場，2018年的市場份額是14億美元。但因為PC發(fā)展緩慢，是一個平穩(wěn)的狀態(tài)。即使這樣，在這個非常大的市場領域前十名，也仍然沒有中國廠家。嚴格來說，15位也沒有。我們一直說是中國是制造大國，不是制造強國，因為在高端制造業(yè)當中，是找不到中國廠商的。

再看另外一種非常重要的功率器件IGBT。IGBT總體市場是在2018年開始接近50億美元，重要的參與者我們也列了一下。IGBT的電壓非常廣，從400V到6500V都有應用，因此很難有廠家獨吞一個市場，所以廠家選自己擅長的領域做。這是第一梯隊、第二梯隊、第三梯隊。第一梯隊仍然是infineon、三菱，軌道交通被ABB壟斷，所以很難見到中國廠商。只是在4500V領域把中車放進去了，但嚴格來說中車沒有大批量量產(chǎn)IGBT。所以整體在IGBT這么大的市場里面，中國的參與度也比較低。

三、功率器件的技術發(fā)展趨勢

所有的高壓器件，這個技術是電子科大提出的，也因為這項工作獲得了中科院的院士資格。這可以寫進教科書，當時介紹的時候用了這么一句話，在半導體的歷史上，陳先生把這個理論給推翻了，在半導體行業(yè)這是第一次。以至于陳先生的工作，正是因為他的奠基性的工作，使得公司在這個行業(yè)是非常領先的。從國內來看，這個結構看起來很簡單，實際上有兩種，一個是溝槽，一個是多次外延和注入。多次外延占了80%的市場份額，因為它的生產(chǎn)歷史比較早，在陳院士提出來以后，他把專利很早提出來了，但是國內實現(xiàn)不了，后來infineon看了專利以后用了幾年的時間，1998年就實現(xiàn)了。所以它的市場化份額開始得比較早。

下面是溝槽刻蝕和回填，這就是先挖一個，再填充，這個工藝現(xiàn)在主要是華虹采取這個工藝。主要有兩家廠家做，從工藝角度來說，華虹的工藝更好。在很深的溝槽里面填充一個沒有缺陷的P型單晶是非常有挑戰(zhàn)性的，你可以在市場上看，華虹是非常好。大家有機會看看華虹每個財季的財報都很漂亮，利潤很高。再仔細看業(yè)務拆分的話，排第一的就是高壓超結。

下面是低壓的VDMOS，一開始也是平面的，再到普通溝槽，然后到現(xiàn)在最熱的SGT，現(xiàn)在是非常熱的。實際上每一家的斷代都不一樣，但都是從平面的PT結構，到最新的PF+RC。從芯片厚度來說，頭發(fā)絲直徑30微米，IGBT60V在五六十微米，所以在8寸上面的精度非常高。應該來說國內和國際有兩代到三代的差別，所以目前IGBT落后還是蠻多的。在學術界熱的就是寬禁代，在五年之內寬禁代碳化硅也會發(fā)展平穩(wěn)，以未來十年來看，增長量會非常大。今天這個節(jié)點上，國內碳化硅和氮化鎵剛剛興起。剛才談的是行業(yè)的現(xiàn)狀，現(xiàn)在談中國的現(xiàn)狀，因為比較分散，數(shù)據(jù)也不好搞，所以很多數(shù)據(jù)是來自國外的。這是2012年的一個報告，從這個上面結合我剛才談的圖，功率器件的市場基本上是在中國，我估計70%的功率器件在中國。

四、中國功率器件發(fā)展現(xiàn)狀

從國內的地域來看，環(huán)渤海，就是北京和天津，有一些代工廠。天津有一個中華做得相當不錯。西部只有西安，西安有龍騰和航天的一些廠。最強在江蘇省，因為江蘇在無錫和蘇州，尤其是無錫，號稱是中國集成電路的黃埔軍校，所以一開始底子打得比較好，目前已經(jīng)研制出很多元器件，不管是代工廠還是設計公司，很多都在無錫。深圳現(xiàn)在在功率器件應用端更強，但是代工廠有一些小的，像中芯、方正。中芯也開始在深圳做功率器件，半導體市場本身很火，但是功率器件比半導體更火。

左邊這個圖重新畫了一下，是全球主要功率MOSFET份額，中國廠商在功率器件不到5%，國內市場加起來不到10%，所以功率器件絕大部分依賴進口。這是個問題，對國內也是一個機會。

再看產(chǎn)業(yè)環(huán)境。功率器件在半導體地位愈發(fā)突出。國務院提出了中國制造2025，它的核心就是功率器件。從現(xiàn)在來說，功率器件基本上還是歐美日把持，國內廠商相對來說比較弱小。國家也應該意識到這個問題了，像NPX，標準器件這部分，可能在國外警惕性沒那么高的情況下，被中國資本拿下來了。2016年我在的時候，華潤要收購相銅（音），我們很多同事也參與了這個談判。最后的結局，它也承認賣給你們最好，但因為血統(tǒng)不行，哪怕便宜賣給別人，也不賣給你。

從功率器件來看，一個是汽車，一個是通訊，都是功率器件的主要推動者，而且國家也把通訊和汽車作為戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，所以功率器件本身是一個非常好的行業(yè)。這是士蘭，這是我們的友商，主營功率器件，它也做功率IC和規(guī)律模塊，做得相當不錯。十幾年前，大家也沒聽說過，它現(xiàn)在有6寸廠，8寸線今年投產(chǎn)，3月份公布在廈門還要建12寸的廠。

還有華虹宏力，從技術來講，它號稱是最大的8寸功率器件的晶圓代工，但是它主要是晶圓代工。它可能有些客戶比較高端，但它主要是做代工業(yè)務。也就是說工藝可以做，但是設計上還是弱。還有華潤微，它的產(chǎn)品線比較全，它的問題如何平衡好又做代工，又做IDM模式，如何平衡是它的問題。另外是華微，華微是個IDM廠商，它主要做高壓平面VDMOS和功率三極管，它號稱中國功率器件最大的上市企業(yè)。新潔能，它更細節(jié)的是低壓的。還有東微，是最兩年冒出來的新秀，是一個設計公司，號稱估值將近10億，它主要做高壓超結。國內還有很多小的代工廠像深愛、方正、衛(wèi)光，每個月可能就兩三萬片，非常少。還有一些小的功率器件設計公司，像韋爾、尚陽通，這些公司體量比較小、比較分散。在可預見的將來，肯定會有一個重組并購的過程，這個重組并購的過程事實上在兩年前國際上已經(jīng)發(fā)生了?？梢韵胂笤诮鼛啄?，有一些資本進入以后，會有重組并購的行為。

功率器件行業(yè)，因為半導體行業(yè)非常熱，功率器件作為半導體行業(yè)的分支，它的投資價值我個人覺得是非常好的。為什么呢？如果我們和國外差幾代，比如我們到28納米大批量生產(chǎn)還是有問題，像臺積電都是7納米，代數(shù)落后非常多。但是功率器件本身來說，從硬件水平來說，無論是6寸高壓平面或者是8寸，做一些低壓的，工藝硬件國內本身絕對能滿足，可以做。最寬的像8寸的，現(xiàn)在面最低的0.18微米，可能到不了納米水平，比如0.5微米可以做，硬件上可以做。在軟件上，經(jīng)過了近幾年發(fā)展問題也不大了。在五六年前，最初的平面的VDMOS，經(jīng)常能看到國外公司。經(jīng)過幾年的發(fā)展，我們已經(jīng)把它給擠走了。甚至ST在深圳的封裝廠，已經(jīng)倒閉了，所以人才的問題也不大。更重要的是功率器件產(chǎn)業(yè)鏈在中國，電子設備、家用設備，功率器件很多廠商在中國，中國就有主場之利，產(chǎn)品設計起來更快。從這上面來看，應該是一個好的方向。最近因為工作的關系，我去***和韓國做了相關的技術交流，從同行的角度來說，他們的危機感非常強，他們認為在近幾年功率器件研發(fā)、銷售，很快會往大陸方面轉移。

所以總體而言，半導體行業(yè)我們和國外還有不小的差距。但應該看到最先接軌的部分，就是最先趕上國外的部分在功率器件上。因為硬件沒有問題，軟件上也培養(yǎng)了很多人才。所以這個投資方向，是很好的。

五、龍騰半導體功率器件簡介

下面我把龍騰半導體產(chǎn)品給介紹一下。龍騰總部在西安，我們有77項專利，而且大部分是發(fā)明專利。下一代的碳化硅，我們也參與了國家的測試標準。我們承擔了2011年國家電力電子專題項目。我們的產(chǎn)品是功率器件，主流的功率器件我們都做，第一類就是低壓的溝槽的VDMOS和SGT產(chǎn)品，高壓超結和高壓平面DMOS我們也做，另外是600V、1200VFS IGBT產(chǎn)品。

這是種低壓MOSFET，普通的溝槽，比如100V以下，不管是N的還是P的，普通的低壓的MOSFET我們都成熟了。這個技術水平也非常接近也能達到和國際主流了，而且我相信和國內的友商一起合作，幾年之內國產(chǎn)份額會比現(xiàn)在有明顯的提高。另外低壓的SGT，這是比較高端的，到現(xiàn)在100V、30V、40V，我們處在上量的階段，當然以后還要做120V、50V，現(xiàn)在100V馬上就要量產(chǎn)。我們有超壓超結的MOSFET，也比較成熟，經(jīng)過國內各個廠商的努力，在中國市場基本已經(jīng)失敗了。華虹是2.5代，有一個參數(shù)RSP，這個越小越好。我們以650V為例，我們是18.7，在國內也是非常領先的。

另一個是IGBT，IGBT有600V和1200V平臺，基本上是國際主流平臺。從效率來看，也沒有太大問題。所以整體來看，龍騰產(chǎn)品基本上接近國際主流水準。所以有機會歡迎大家去西安龍騰，大家去視察一下，我的報告講到這里，謝謝大家。