聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
十進(jìn)制
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
67瀏覽量
13246 -
Renesas
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1757瀏覽量
22833 -
RL78
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
119瀏覽量
21677
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
請問TFP501必須要接EEPROM嗎?
TFP501芯片必須要接EEPROM嗎?
EEPROM中存儲的數(shù)據(jù)哪里提供,是需要提前寫到EEPROM里,還是TFP501自己來操作的不需要額外來讀寫?
TFP501是不是搭接好硬件
發(fā)表于 12-27 06:11
EEPROM與SRAM的區(qū)別和應(yīng)用場景
電子方式擦除和重寫,而不需要物理地移除或更換存儲芯片。 EEPROM的讀寫速度相對較慢,但它們提供了較高的耐用性和靈活性。每個存儲單元可以被單獨擦除和重寫,這使得EEPROM非常適合需要頻繁更新小量數(shù)據(jù)的應(yīng)用。 應(yīng)用場景 配置存
EEPROM輕量級的簡易類文件的數(shù)據(jù)讀寫庫:EEPROMFS
雖然 EEPROM 相對 Flash 讀寫速度更慢,但 EEPROM 一些獨有特性是 Flash 無法實現(xiàn)的,比如字節(jié)讀寫操作。 所以,EEPROM
eeprom芯片用在什么上
電信號擦除和重寫數(shù)據(jù)。EEPROM具有讀寫速度快、擦寫次數(shù)多、功耗低等優(yōu)點,因此在許多應(yīng)用領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用。 EEPROM芯片的應(yīng)用領(lǐng)域 在現(xiàn)代電子技術(shù)中,存儲器是不可或缺的組成部分。EE
EEPROM讀寫程序詳解
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)讀寫程序的詳解涉及多個方面,包括EEPROM的基本工作原理、讀寫流
eeprom存儲原理、存儲結(jié)構(gòu)及讀寫操作
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲器)是一種非易失性存儲器,可以在不移除電源的情況下進(jìn)行讀寫
STM8L101 EEPROM在仿真器跟蹤狀態(tài)下讀寫正常,芯片獨立運行時不能寫入怎么解決?
用下面的代碼在仿真器跟蹤狀態(tài)下讀寫正常,芯片獨立運行時不能寫入。請高手指點一下。謝謝
//CPU: STM8L101F3P6 主時鐘設(shè)為2M
#define EEPROM_ADDR 0
發(fā)表于 04-30 08:23
STM32做IIC讀寫程序,利用HAL庫對IIC讀寫遇到的疑問求解
, uint32_t Timeout)
我利用庫函數(shù)對EEPROM的多字節(jié)讀寫做了實驗如下:
HAL_StatusTypeDef EEPROM_WriteData(uint16_t MemAddr
發(fā)表于 04-24 06:27
EEPROM的Q(SOMI)與D(SIMO)短路了為什么還可以正確讀寫數(shù)據(jù)?
在實驗過程中發(fā)現(xiàn),將EEPROM的Q(SOMI)與D(SIMO)的兩個引腳短路時,主控芯片依舊可以對EEPROM正確讀寫數(shù)據(jù),請問這是什么原理呢?
發(fā)表于 03-26 06:28
利用軟件模擬i2c讀寫EEPROM,超過256個字節(jié)就讀寫不了了的原因?如何處理?
利用野火的軟件模擬i2c讀寫EEPROM,EEPROM的芯片型號為AT24C512,讀寫256個以內(nèi)的字節(jié)都可以(256字節(jié)為2頁的EEPROM
發(fā)表于 03-20 06:42
STM32F103利用軟件模擬I2C讀寫EEPROM,超過385個字節(jié)就讀寫不了的原因?
在STM32F103的芯片中,利用軟件模擬I2C讀寫EEPROM,在使用頁寫入的方式進(jìn)行讀寫時,能夠讀寫385個字節(jié),(EEPROM芯片每頁
發(fā)表于 03-19 07:45
stm32f4軟件模擬I2C讀寫EEPROM無器件響應(yīng)是什么原因造成的?
利用STM32F4軟件模擬I2C讀寫EEPROM時,在檢測I2C總線設(shè)備時,在等待應(yīng)答階段,CPU讀取SDA線口狀態(tài)值為1(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_7)),導(dǎo)致EEPROM無器件
發(fā)表于 03-19 06:36
STM32 FLASH模擬EEPROM,燒寫程序時設(shè)置為讀保護(hù)Level-2級別,還能正常讀寫這個模擬的EEPROM嗎?
STM32系列內(nèi)部FLASH模擬EEPROM,燒寫程序時設(shè)置為讀保護(hù)Level-2級別,還能正常讀寫這個模擬的EEPROM嗎?
發(fā)表于 03-13 07:34
XMC4200的EEPROM仿真時,EEPROM數(shù)據(jù)都被擦除了的原因?
字節(jié)的內(nèi)存。讀寫操作進(jìn)展順利,沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。 當(dāng)微控制器開啟時,所有EEPROM數(shù)據(jù)都被擦除了,所有數(shù)據(jù)都為零。 這在之前的 POWER_DRILL2GO 上 POWER_DRILL2GO 下行
發(fā)表于 01-18 09:25
評論